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存儲產(chǎn)業(yè)需求隨摩爾定律放緩,價(jià)格持續(xù)上漲

作者: 時(shí)間:2018-10-30 來源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏
編者按:存儲芯片市場在經(jīng)過長達(dá)一年半時(shí)間的猛漲后,部分內(nèi)存芯片的價(jià)格突然下跌,加之韓國三星電子近期發(fā)布的令人失望的2017年盈利報(bào)告,導(dǎo)致那些押注芯片繁榮的投資者感到極度不安。

     有消息顯示,芯片市場目前已開始喪失部分動(dòng)能,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)的高端閃存芯片的價(jià)格在2017年第四季度下跌了近5%,閃存價(jià)格由漲轉(zhuǎn)跌。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201810/393548.htm

  2018年內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)居高不下,有報(bào)告顯示,2018年第三季度和第四季度閃存的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)將下降10%,其主要原因是因?yàn)槭袌鲂枨蟛蛔悖绕涫侵悄苁謾C(jī)旺季卻被滯銷,再加上最近英特爾14nm產(chǎn)能不足的消息,導(dǎo)致了PC市場需求雪上加霜。

  三大存儲器的價(jià)格大幅上漲

  2017年,存儲器銷售額為歷年來最高點(diǎn),超過1200億美元,占全球半導(dǎo)體市場總值的30.1%。其主要原因,是DRAM和 Flash從2016年下半年起缺貨,從而引發(fā)的漲價(jià)。

  1、DRAM平均售價(jià)同比上漲77%,銷售總值達(dá)720億美元,同比增長74%。

  2、NAND Flash平均售價(jià)同比上漲38%,銷售總額達(dá)498億美元,同比增長44%。

  3、NOR Flash銷售總額為43億美元。

  由此看出,三大存儲器的價(jià)格大幅上漲導(dǎo)致全球存儲器總體市場增長58%,存儲器也首次超越歷年占比最大的邏輯電路,成為全球半導(dǎo)體市場銷售額占比最高的分支,在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。

  存儲器市場的景氣大幅度攀升

  受惠于全球智能手機(jī)出貨量的增長以及電子信息設(shè)備內(nèi)存搭載量的不斷攀升,從2016 年下半年起,全球存儲器市場:DRAM 和 NAND 閃存等,結(jié)束了連續(xù) 18 個(gè)月的低迷景象,無論是存儲器的出貨量還是銷售價(jià)格,都出現(xiàn)了大幅度的提升。據(jù)多家市場調(diào)研機(jī)構(gòu)調(diào)查分析,這一輪存儲器市場的景氣延續(xù)至2017年和2018年上半年。

  2016 年全球 DRAM 的銷售規(guī)模為454億美元;而Flash的銷售規(guī)模為319億美元,其中NAND Flash為312億美元,NOR Flash僅為7億美元左右。全球存儲器的市場規(guī)模為773億美元,比2015年減少7.3%。初步統(tǒng)計(jì)2017年存儲器市場規(guī)模達(dá)到853億美元,較2016年增長10.3%。到2021年可望擴(kuò)大至1099億美元,2016~2021年年均增長率將達(dá)7.3%。

  與此同時(shí),存儲器的制造技術(shù)也顯著提升,全球三大 DRAM 廠商的制程技術(shù)從2X nm推進(jìn)到1X nm,3D NAND閃存從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來越顯示出它們的應(yīng)用前景。

  存儲器產(chǎn)能有限,量價(jià)齊增

  目前,三星、SK 海力士兩大韓系廠商在擴(kuò)產(chǎn)腳步上是猛踩油門,包括三星在韓國平澤的P1廠房和Line 15生產(chǎn)線,以及SK海力士的M14生產(chǎn)線,與此同時(shí),美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,但產(chǎn)能的增加仍主要依靠兩大韓系廠商。

  根據(jù)三家公司目前最新的建廠規(guī)模,2017年全球每季度芯片產(chǎn)能為1100K左右。到2018年,預(yù)計(jì)三星和SK海力士將會有接近20%左右的產(chǎn)能提升,美光的產(chǎn)能增量為10%,預(yù)計(jì)全球每季度芯片產(chǎn)能為1200K左右。

  隨著工藝尺寸越來越小,DRAM良率無法得到有效控制,導(dǎo)致DRAM產(chǎn)能增速的放緩,與此同時(shí),EUV光刻設(shè)備年產(chǎn)能極其有限,這些問題使得DRAM工藝節(jié)點(diǎn)突破困難重重,各廠商工藝進(jìn)度計(jì)劃也被迫一再推遲。再加上賣方主導(dǎo)DRAM市場和新型非易失性存儲器技術(shù)的出現(xiàn),進(jìn)一步造成了全球范圍內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)技術(shù)升級和擴(kuò)產(chǎn)意愿下降。

  總的來說,DRAM擴(kuò)產(chǎn)受困于技術(shù)瓶頸和國際大廠的壟斷,2018-2020年全球bit growth將繼續(xù)徘徊在20%左右的歷史低位水平。但是下游終端應(yīng)用的市場需求將持續(xù)溫和上升,特別是終端品牌繼續(xù)向國產(chǎn)品牌集中,造成國產(chǎn)手機(jī)對于DRAM產(chǎn)品的需求出現(xiàn)區(qū)域性的增加,同時(shí)5G、云計(jì)算、IDC等將拉動(dòng)服務(wù)器應(yīng)用大幅增長,隨著5G商用的節(jié)點(diǎn)越來越近,將帶動(dòng)內(nèi)存市場需求的加速提升。



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