DDR5內(nèi)存芯片：美光在2019新策略

　　隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來了春天，各類產(chǎn)品層出不窮，而美光成為內(nèi)存的老牌廠商，為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內(nèi)部有消息稱，美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)。

　　作為DDR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格。

　　從美光公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。

　　DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預(yù)計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度，電源電壓降至1.1 V，允許的波動范圍為3%(即±0.033V)。每個模塊使用兩個獨(dú)立的32/40位通道(不使用/或使用ECC)。此外，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率(因?yàn)橥ǖ缹⒕哂衅渥约旱?位地址(添加)/命令(Cmd)總線)，更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

　　事實(shí)上，Cadence甚至表示，與DDR4相比，改進(jìn)的DDR5功能將使實(shí)際帶寬提高36%，即使在3200 MT / s(此聲明必須進(jìn)行測試)和4800 MT / s速度開始，與DDR4-3200相比，實(shí)際帶寬將高出87%。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16 Gb的單片芯片密度。

　　此外，美光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品，并將在2019年實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。

　　在日前美光公布的2018財年第四季度和全年財報中可以看出截止美光第四財季收入84.40億美元(均按GAAP)，同比增長37.5%，毛利率61.0%，同比提高10.3個百分點(diǎn)，凈利潤43.25億美元，同比增長82.6%。

　　整個2018財年美光的財務(wù)報表更是異常搶眼：收入303.91億美元，同比增長49.5%，毛利率58.9%，同比提高17.4個百分點(diǎn)，凈利潤141.35億美元，同比大漲178%!

　　DRAM內(nèi)存貢獻(xiàn)了美光總收入的超過70%，是絕對的主力，而且同比增長了47%，毛利率更是高達(dá)恐怖的71%，而且均價還在穩(wěn)定或微漲。NAND閃存收入占比也超過25%，增長21%，毛利率也有48%。

　　美光CEO Sanjay Mehrotra更是表示，在創(chuàng)紀(jì)錄業(yè)績的支撐下，美光已經(jīng)成為僅次于Intel的美國第二大半導(dǎo)體企業(yè)。

　　作為半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱的存儲器產(chǎn)業(yè)，競爭的重點(diǎn)集中在制造工藝和產(chǎn)能，從而為有效降低成本，最終贏得市場提供保證，生產(chǎn)制造能力是存儲器廠商的核心競爭力。

　　對于美光科技這家內(nèi)存和儲存巨擘來說，現(xiàn)在正值充滿挑戰(zhàn)的時期，因?yàn)樗麄円言趦Υ骖I(lǐng)域落后于三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)等競爭對手。其混合內(nèi)存立方體(Hybrid Memory Cube;HMC)和Automata處理器等突破性產(chǎn)品，未能取得明顯的成長動能，再加上與英特爾(Intel)共同設(shè)計的3DXPoint內(nèi)存延遲，而使得美光的收益被推遲至2020年。

　　美光科技的高層認(rèn)為，深度學(xué)習(xí)的崛起將有助于推動對于內(nèi)存和儲存的需求。這筆1億美元的創(chuàng)投基金將有助于美光科技利用AI趨勢擴(kuò)展該公司涉及的DRAM、NAND和NOR Flash內(nèi)存等應(yīng)用領(lǐng)域，其目標(biāo)在于藉由投資于AI的硬件、軟件和服務(wù)，從而推動該公司的成長，特別是在該公司看好的自動駕駛、AR/VR以及工廠自動化等技術(shù)領(lǐng)域。