存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風(fēng)光難續(xù)

　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢。

　　存儲器原廠Q3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產(chǎn)能“緊急制動”

　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應(yīng)用，導(dǎo)致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，Q3 NAND Flash價格指數(shù)下滑22.5%，相較于Q2 24.6%的跌幅略有收窄。截止到10月底，2018年NAND Flash價格累積跌幅高達(dá)63%，其中高容量SSD跌幅高達(dá)55%，eMMC價格跌幅達(dá)50%，閃存卡價格跌幅超過50%。

　　近3年NAND Flash綜合價格指數(shù)走勢圖

　　來源：中國閃存市場網(wǎng)www.chinaflashmarket.com;數(shù)據(jù)截止至2018年10月31日

　　在NAND Flash價格跌幅持續(xù)擴(kuò)大的環(huán)境下，存儲器原廠Q3財報卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因為三星、蘋果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級，以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動下，F(xiàn)lash原廠NAND Flash bit出貨量增加，從而抵消了Q3市場價格下滑的影響。據(jù)各家公布的財報數(shù)據(jù)顯示，三星Q3凈利潤13.15兆韓元，同比增長17.5%。美光Q4凈利潤43.25億美元，同比增長82.6%。SK海力士Q3凈利潤4.69兆韓元，同比增長54%。英特爾Q3凈利潤63.98億美元，同比增長42%。

　　近2年，存儲器原廠凈利潤持續(xù)走高，除了市場對NAND Flash容量需求增加外，DRAM和NAND Flash價格上漲也是主因。如今NAND Flash價格大跌，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，每GB價格下探至0.08美金，已逐漸逼近部分廠商的成本價。此外，DRAM價格也有明顯的松動，再加上進(jìn)入傳統(tǒng)的Q4需求淡季，三星、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等Q4財報難抵下滑之勢，均預(yù)告營收或利潤會有所下滑。

　　為了提高產(chǎn)品競爭力，存儲器原廠正在加快有成本優(yōu)勢的96層NAND和1ynm DRM技術(shù)量產(chǎn)。同時，為了平市場供需，原廠產(chǎn)能采取“緊急制動”，其中西部數(shù)據(jù)宣布Fab工廠減少產(chǎn)出量，并推遲96層技術(shù)的下一步擴(kuò)產(chǎn)計劃，三星擴(kuò)產(chǎn)平澤廠DRAM產(chǎn)線計劃也有所調(diào)整，原廠此舉將有助于NAND Flash和DRAM價格的穩(wěn)定。

　　2018年第三季度原廠財報數(shù)據(jù)分析

　　三星Q3凈利潤同比增17.5%

　　三星Q3營收65.46兆韓元，同比增長5.5%，環(huán)比增長12%;營業(yè)利潤17.57兆韓元，同比增長20.9%，環(huán)比增長18.2%。

　　西部數(shù)據(jù)Q1凈利潤同比下滑25%

　　注：西部數(shù)據(jù)2019財年Q1，即2018年7-9月數(shù)據(jù)

　　西部數(shù)據(jù)Q1營收50億美元，同比下滑3%;營業(yè)利潤6.86億美元，同比下滑24%。其中HDD營收25億美元，F(xiàn)lash營收25億美元，各占大約50%。

　　美光Q4凈利潤同比增長82.6%

　　注：美光2018財年Q4財報，即2018年6-8月數(shù)據(jù)

　　美光Q4營收84.4億美元，同比增長38%，環(huán)比增長8.2%;營業(yè)利潤43.77億美元，同比增長75%;環(huán)比增長10.7%。

　　SK海力士Q3凈利潤同比增長54%

　　SK海力士Q3營收11.42兆韓元，同比增長41%，環(huán)比增長10%;營業(yè)利潤6.47兆韓元，同比增長73%，環(huán)比增長16%。

　　國際原廠聚焦新技術(shù)

　　隨著Flash原廠從2018下半年陸續(xù)進(jìn)入64層QLC和96層TLC量產(chǎn)階段，國際原廠新一輪技術(shù)較量正式拉開序幕，預(yù)計2019年將推進(jìn)96層QLC技術(shù)發(fā)展，不僅單顆Die容量向1Tb升級，也將進(jìn)入QLC元年，而NAND Flash市場供貨進(jìn)一步增加，將對市場影響巨大。

　　中國企業(yè)機(jī)遇與危機(jī)

　　隨著武漢二期、南京、成都三大基地開工，中國存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展又向前推進(jìn)了一步。然而，中國企業(yè)也遇到了困難和險阻。比如：長江存儲如何快速推進(jìn)3D技術(shù)工藝;紫光存儲如何整合資源強(qiáng)化競爭力;以及福建晉華如何化解 “美國禁令”危機(jī)等，很多問題都有待去解決。