存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風光難續(xù)

作者：Helan 時間：2018-11-13 來源：中國閃存市場

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　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢。

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201811/394269.htm

　　存儲器原廠Q3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產能“緊急制動”

　　2018年以來，F(xiàn)lash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現(xiàn)跌勢。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，Q3 NAND Flash價格指數(shù)下滑22.5%，相較于Q2 24.6%的跌幅略有收窄。截止到10月底，2018年NAND Flash價格累積跌幅高達63%，其中高容量SSD跌幅高達55%，eMMC價格跌幅達50%，閃存卡價格跌幅超過50%。

　　近3年NAND Flash綜合價格指數(shù)走勢圖

　　來源：中國閃存市場網www.chinaflashmarket.com;數(shù)據(jù)截止至2018年10月31日

　　在NAND Flash價格跌幅持續(xù)擴大的環(huán)境下，存儲器原廠Q3財報卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因為三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級，以及SSD向高容量轉移需求帶動下，F(xiàn)lash原廠NAND Flash bit出貨量增加，從而抵消了Q3市場價格下滑的影響。據(jù)各家公布的財報數(shù)據(jù)顯示，三星Q3凈利潤13.15兆韓元，同比增長17.5%。美光Q4凈利潤43.25億美元，同比增長82.6%。SK海力士Q3凈利潤4.69兆韓元，同比增長54%。英特爾Q3凈利潤63.98億美元，同比增長42%。

　　近2年，存儲器原廠凈利潤持續(xù)走高，除了市場對NAND Flash容量需求增加外，DRAM和NAND Flash價格上漲也是主因。如今NAND Flash價格大跌，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，每GB價格下探至0.08美金，已逐漸逼近部分廠商的成本價。此外，DRAM價格也有明顯的松動，再加上進入傳統(tǒng)的Q4需求淡季，三星、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等Q4財報難抵下滑之勢，均預告營收或利潤會有所下滑。

　　為了提高產品競爭力，存儲器原廠正在加快有成本優(yōu)勢的96層NAND和1ynm DRM技術量產。同時，為了平市場供需，原廠產能采取“緊急制動”，其中西部數(shù)據(jù)宣布Fab工廠減少產出量，并推遲96層技術的下一步擴產計劃，三星擴產平澤廠DRAM產線計劃也有所調整，原廠此舉將有助于NAND Flash和DRAM價格的穩(wěn)定。

　　2018年第三季度原廠財報數(shù)據(jù)分析

　　三星Q3凈利潤同比增17.5%