從晉華DRAM事件出發(fā),了解我國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)瓶頸在哪里
圖12 DRAM和NAND競(jìng)爭(zhēng)格局分析
海關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2017年中國進(jìn)口存儲(chǔ)芯片889億美元,比2016年增長39.6%。DRAM、NAND的寡頭壟斷造成下游客戶毫無議價(jià)能力。2017財(cái)年,三星、SK海力士、美光三家存儲(chǔ)巨頭的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國的營收分別為104、254、89億美金,合計(jì)達(dá)到447億美金,超過中國存儲(chǔ)芯片進(jìn)口額度的半數(shù)。
因此,無論從經(jīng)濟(jì)安全,還是信息安全角度,我國都亟待發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)。
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我國存儲(chǔ)芯片市場(chǎng):短期格局難變
作為全球最大的存儲(chǔ)芯片消費(fèi)市場(chǎng)之一,面對(duì)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱,自給率極低的窘境,在政府引導(dǎo)和支持下,產(chǎn)業(yè)界全力以赴追趕超越,加快發(fā)展。目前,國內(nèi)有三大存儲(chǔ)項(xiàng)目:紫光集團(tuán)與武漢、南京及成都合作展開的NAND與DRAM項(xiàng)目,兆易創(chuàng)新與合肥合作的DRAM項(xiàng)目(合肥長鑫),聯(lián)電與福建省合作的DRAM項(xiàng)目(福建晉華)。
表2 主要存儲(chǔ)芯片企業(yè)分析
紫光集團(tuán)(長江存儲(chǔ)+紫光南京+紫光成都)
紫光集團(tuán)在南京、成都各有一座半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地,又與武漢新芯合作成立長江存儲(chǔ)國家存儲(chǔ)芯片基地。南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要生產(chǎn)DRAM以及NAND芯片,成都基地和長江存儲(chǔ)將專注于3D NAND閃存芯片。
長江存儲(chǔ)2016年7月成立,由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路基金、湖北科投聯(lián)合投資240億美元。
2016年12月,以長江存儲(chǔ)為主體的國家存儲(chǔ)芯片基地正式開工,建設(shè)3座全球單座面積最大的3D NAND Flash廠。項(xiàng)目一期2018年建成投產(chǎn),實(shí)現(xiàn)零的突破,成功進(jìn)入市場(chǎng),預(yù)計(jì)2019年毛利轉(zhuǎn)正,2020年月產(chǎn)能30萬片,2023年月產(chǎn)能100萬片,年產(chǎn)值達(dá)1000 億人民幣。
圖13 長江存儲(chǔ)項(xiàng)目重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)
紫光南京/成都半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地均由紫光集團(tuán)投資建設(shè),目前處于建設(shè)期,未來產(chǎn)能均為30萬片/月。
合肥長鑫
合肥長鑫存儲(chǔ)由兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股合作,建設(shè)19nm、12寸晶圓DRAM芯片項(xiàng)目,預(yù)算金額180億元。
合肥長鑫2018年一季度已完成設(shè)備安裝,一期計(jì)劃產(chǎn)能12.5萬片/月,三期全部滿產(chǎn)產(chǎn)能為37.5萬片/月。第一階段主要生產(chǎn)基于19nm平臺(tái)的8GB LPDDR4產(chǎn)品,用于智能手機(jī)。目前已開始投產(chǎn),預(yù)計(jì)2018年底良率可達(dá)10%,2019年底良率可達(dá)80%左右,實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
圖14 合肥長鑫項(xiàng)目重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)
福建晉華
由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資,與臺(tái)灣聯(lián)電展開技術(shù)合作,總投資56.5億美元,建設(shè)12寸內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線,從事利基型DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)銷售,產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC及數(shù)據(jù)中心,未來瞄準(zhǔn)消費(fèi)電子產(chǎn)品。雖然消費(fèi)電子的存儲(chǔ)需求步入存量博弈階段,但市場(chǎng)規(guī)模依舊龐大。
該項(xiàng)目共4期,每期設(shè)計(jì)產(chǎn)能6萬片/月,總計(jì)24萬片/月。預(yù)計(jì)4期滿產(chǎn)總產(chǎn)值500億人民幣。規(guī)劃第一階段提供25nm 4GB DDR4/DDR3產(chǎn)品,爭(zhēng)取2018年研發(fā)成功,后續(xù)繼續(xù)研發(fā)1xnm產(chǎn)品。此次美國禁售,原計(jì)劃很大可能將會(huì)推遲。
圖15 福建晉華項(xiàng)目重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)
圖16 中國大陸主要半導(dǎo)體制造產(chǎn)線分布圖
從上述規(guī)劃看,我國廠商仍處于起步階段,存儲(chǔ)芯片研發(fā)、良品率、成本控制等能否達(dá)到預(yù)期,還有一定的不確定性,產(chǎn)能釋放將是一個(gè)緩慢的過程。從產(chǎn)能規(guī)劃看,國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市占率短期內(nèi)將維持較低水平,2-3年內(nèi)難以超過1%,2020年后有望得到較大提升。
從存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的專利分布、申請(qǐng)趨勢(shì)以及產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的深入分析看,我們清晰的看到自身技術(shù)積累的薄弱,在人才儲(chǔ)備、產(chǎn)能規(guī)模、企業(yè)體量與國際巨頭還有顯著的差距。雖然晉華事件走向何方還不明朗,但我國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的決心只會(huì)更加堅(jiān)定。面臨挑戰(zhàn),我們必須著眼于產(chǎn)業(yè)生態(tài)打造,進(jìn)一步整合資源,完善產(chǎn)業(yè)鏈布局,同時(shí)加大力度布局前瞻性技術(shù)研發(fā),尋找技術(shù)變革帶來的新發(fā)展機(jī)遇??上驳氖?,10月26日,中國存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在武漢成立,行業(yè)抱團(tuán)取暖,團(tuán)結(jié)就是力量。雖然產(chǎn)業(yè)發(fā)展道阻且長,但是我們別無選擇。
評(píng)論