中國(guó)自研Nvme固態(tài)硬盤(pán)主控獲得重大突破：讀取達(dá)3375MB/s

　　日前從上游供應(yīng)鏈了解到，中國(guó)自研PCIe(NVMe)固態(tài)硬盤(pán)主控芯片性能指標(biāo)已獲得實(shí)質(zhì)性技術(shù)突破，從實(shí)測(cè)性能看已經(jīng)超過(guò)國(guó)外同類(lèi)PCIe主控性能指標(biāo)，主控性能爆棚。據(jù)了解2019年1月美國(guó)CES展會(huì)期間，該國(guó)產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤(pán)主控芯片將隨國(guó)際知名SSD品牌廠商同臺(tái)展出，并正式對(duì)外發(fā)布。

　　國(guó)產(chǎn)主控測(cè)試性能，從圖中可以看出是1TB的版本，連續(xù)讀取性能3375MB/s，連續(xù)寫(xiě)入高達(dá)2675MB/s。其中4K性能也極其強(qiáng)大!而且，由于是原型機(jī)，所以后續(xù)應(yīng)該還有優(yōu)化的空間!這個(gè)性能已經(jīng)與可以與國(guó)際一線同臺(tái)了!

　　該國(guó)產(chǎn)主控合作伙伴評(píng)測(cè)原型板 主控的容量適配，也是一個(gè)市場(chǎng)的關(guān)注點(diǎn)，同樣也是技術(shù)上的重點(diǎn)，得知該國(guó)產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤(pán)主控芯片目前已經(jīng)完成256G、512G、1TB、2TB四種容量固件開(kāi)發(fā)，4TB版本固件也將會(huì)推出。

　　性能上以1TB版本為例，順序讀寫(xiě)速度3375MB/s、2675MB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)性能最高可到達(dá)687KIOPS、431KIOPS，而且還在不斷的優(yōu)化中，最終性能會(huì)更好。

　　該國(guó)產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤(pán)主控芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人向記者透露：“公司為此PCIe(NVME)的固態(tài)硬盤(pán)主控芯片的研發(fā)投入100多名工程師，3名博士，歷經(jīng)20多個(gè)月精心打磨，目前測(cè)試情況顯示該固態(tài)硬盤(pán)主控芯片各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　當(dāng)前SATA接口固態(tài)硬盤(pán)主控芯片，國(guó)內(nèi)已經(jīng)有廠商實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力已經(jīng)可以與國(guó)際接軌，但在PCIe接口固態(tài)硬盤(pán)主控芯片領(lǐng)域，雖然有多個(gè)國(guó)內(nèi)廠商陸續(xù)發(fā)布多款產(chǎn)品，但尚未形成規(guī)模商業(yè)應(yīng)用案例，與國(guó)際同行的技術(shù)成熟度和可量產(chǎn)性尚存在較大差距。此次公司推出的PCIe接口固態(tài)硬盤(pán)主控芯片力爭(zhēng)在2019年能夠通過(guò)其高品質(zhì)獲得市場(chǎng)的青睞，獲得一席之地，從而彌補(bǔ)國(guó)產(chǎn)PCIe主控芯片沒(méi)有大規(guī)模量產(chǎn)的缺憾”。

　　觀點(diǎn)：

　　1. 當(dāng)前市場(chǎng)上NVME接口的固態(tài)硬盤(pán)貨源并不穩(wěn)定，期待這顆中國(guó)芯能早日量產(chǎn)， 進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈，為市場(chǎng)和消費(fèi)者帶來(lái)更豐富的高性能選擇!

　　2. 正如該國(guó)產(chǎn)PCIE(NVME)主控芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人所透露的，目前國(guó)產(chǎn)SATA主控芯片已經(jīng)有多家大規(guī)模量產(chǎn)。但在PCIE(NVME)上目前還有缺口。

　　3. 一旦該國(guó)產(chǎn)PCIE(NVME)主控芯片大規(guī)模量產(chǎn)，將會(huì)驅(qū)動(dòng)國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈一起升級(jí)，形成”技術(shù)——產(chǎn)品——營(yíng)銷(xiāo)”的新體系。我們期待!