2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

　　盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。

　　ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。

　　隨著Flash市場需求增加，各存儲器業(yè)者為擴(kuò)大或升級3DNAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項(xiàng)支出分別年增92%與16%，達(dá)276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。

　　而隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash產(chǎn)量擴(kuò)張計(jì)劃，預(yù)估2019年全球Flash資本支出，將較2018年下滑18%，達(dá)260億美元。不過該支出金額仍高于同年DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的205億與202億美元。

　　雖然2019年全球Flash資本支出將會下滑18%，但就目前市場狀況而言，260億美元支出仍然是非常健康的支出水平。

　　再就全球主要NAND業(yè)者在擴(kuò)建或新建生產(chǎn)線上的發(fā)展情形而言，2018年10月SK海力士(SKHynix)在韓國清州的M15晶圓廠已正式開始啟用。該廠初期會以生產(chǎn)72層3DNAND產(chǎn)品為主，其后將會加入96層3DNAND的生產(chǎn)。

　　而已脫離東芝(Toshiba)的東芝存儲器公司(TMC)，也于2018年上半完成了位于日本四日市的12吋新晶圓廠(Fab6)興建作業(yè)。預(yù)期該廠會于2019年初展開第一階段營運(yùn)。此外，位于日本巖手縣北上市的另一新晶圓廠，也已于2018年7月開始動工。

　　美光(Micron)除了對位于新加坡的2座Flash存儲器晶圓廠，進(jìn)行大規(guī)模升級投資外，也開始在當(dāng)?shù)嘏d建第3座NANDFlash晶圓廠。

　　國內(nèi)紫光集團(tuán)旗下武漢新芯/長江存儲的Flash存儲器新晶圓廠，也已完成設(shè)備安裝，并開始小量生產(chǎn)32層NANDFlash。

　　至于三星電子(SamsungElectronics)在面對其他業(yè)者競爭，尤其是國內(nèi)新興業(yè)者來勢洶洶的情況下，投資金額遠(yuǎn)高于其他業(yè)者，希望能夠借此維持自家產(chǎn)品在市場上的競爭優(yōu)勢。

　　資料顯示，2017與2018年三星在Flash上的資本支出金額分別為130億與90億美元，占各當(dāng)年所有業(yè)者合計(jì)支出的47%與28%。預(yù)估2019年三星Flash支出雖然會下滑至70億美元，但仍占當(dāng)年所有業(yè)者合計(jì)支出的27%。