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這項(xiàng)黑科技將使半導(dǎo)體芯片發(fā)展走上新方向

作者: 時(shí)間:2019-01-28 來源:中關(guān)村在線 收藏
編者按:去年,英特爾第一次在公開場合提出了“混搭”的概念。也就是將不同規(guī)格的半導(dǎo)體芯片通過特殊方式封裝在一個(gè)芯片之上,使之具備更強(qiáng)的性能和更好的功耗表現(xiàn)。這種混搭封裝技術(shù)被英特爾命名為EMIB,即EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge,中文譯名為嵌入式多核心互聯(lián)橋接。EMIB是隨著英特爾KabyLake-G公布以及搭載KBL-G的冥王峽谷NUC發(fā)售而進(jìn)入大眾消費(fèi)者眼簾的。作為冥王峽谷的用戶,我可以算是EMIB技術(shù)的第一批受益者,也深深感受到了這種技術(shù)所存在的潛力。

  去年,英特爾第一次在公開場合提出了“混搭”的概念。也就是將不同規(guī)格的通過特殊方式封裝在一個(gè)之上,使之具備更強(qiáng)的性能和更好的功耗表現(xiàn)。這種混搭封裝技術(shù)被英特爾命名為EMIB,即EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge,中文譯名為嵌入式多核心互聯(lián)橋接。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201901/397178.htm

  EMIB是隨著英特爾KabyLake-G公布以及搭載KBL-G的冥王峽谷NUC發(fā)售而進(jìn)入大眾消費(fèi)者眼簾的。作為冥王峽谷的用戶,我可以算是EMIB技術(shù)的第一批受益者,也深深感受到了這種技術(shù)所存在的潛力。通過EMIB方式,KBL-G平臺(tái)將英特爾酷睿處理器與AMDRadeonRXVegaMGPU整合在一起,同時(shí)具備了英特爾處理器強(qiáng)大的計(jì)算能力與AMDGPU出色的圖形能力,同時(shí)還有著極佳的散熱體驗(yàn)。這顆創(chuàng)造了歷史,也讓產(chǎn)品體驗(yàn)達(dá)到了一個(gè)新的層次。

  冥王峽谷是KBL-G平臺(tái)的代表產(chǎn)品,它將辦公與品質(zhì)娛樂很好的結(jié)合在一起

  在今年初的CES2019上,英特爾繼更早之前的ArchitectureDay之后,又一次展示了Foveros3D封裝技術(shù),作為EMIB技術(shù)的“升級(jí)版”,F(xiàn)overos堪稱芯片界的黑科技。簡單來說,EMIB與Foveros的區(qū)別在于前者是2D封裝技術(shù),而后者則是3D堆疊封裝技術(shù)。

  2D與3D的區(qū)別其實(shí)很好理解,就像是平房和樓房的區(qū)別。假如一個(gè)小區(qū)有300人,這300人要安置在房子里的話,如果使用蓋平房的方式來做的話,那么就需要100間到300間房子,而且這些房子需要平鋪在極大的一片土地上;而如果使用蓋樓房的方式來做的話,那么同樣需要100-300間房子,但是只需要比前者小得多的占地面積就可以承載的下,這就是2D封裝與3D封裝的區(qū)別。

  放在芯片領(lǐng)域來講的話,其實(shí)EMIB和Foveros在芯片性能、功能方面的差異不大,都是將不同規(guī)格、不同功能的芯片堆疊在一起來發(fā)揮不同的作用。不過在體積、功耗等方面,F(xiàn)overos3D堆疊的優(yōu)勢就顯現(xiàn)了出來。今年CES2019英特爾發(fā)布會(huì)上,英特爾公司高級(jí)副總裁兼客戶端計(jì)算事業(yè)部總經(jīng)理GregoryBryant展示了首款Foveros3D堆疊設(shè)計(jì)的主板芯片LakeField,它集成了IceLake處理器以及22nm小核心,具備完整的PC功能,但體積只有幾枚美分硬幣大小,讓人感受到了Foveros3D封裝技術(shù)的強(qiáng)大。

  雖說Foveros是更為先進(jìn)的3D封裝技術(shù),但它與EMIB之間并非取代關(guān)系,英特爾在后續(xù)的制造中會(huì)將二者結(jié)合起來使用。

  以下兩張圖,是對(duì)這一突破性發(fā)明的詳細(xì)介紹,第一張圖展示了Foveros如何與英特爾嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)2D封裝技術(shù)相結(jié)合,將不同類型的小芯片IP靈活組合在一起,第二張圖則分別從俯視和側(cè)視的角度透視了Foveros3D封裝技術(shù)。

  無論是EMIB還是Foveros,封裝方式不同,但解決的問題是一樣的。

  以往單片時(shí)代處理器內(nèi)部的CPU核心、GPU核心、IO單元、內(nèi)存控制器等子單元都必須是同一工藝制程下設(shè)計(jì)的,不過在實(shí)際應(yīng)用中其實(shí)并不需要大家都一樣。比如CPU、GPU核心需要更高的性能,那么以更加先進(jìn)的工藝去設(shè)計(jì)制造是必要的。但是像IO單元、控制器等器件,就不需要這么先進(jìn)的工藝了。以前的封裝技術(shù)無法解決這種問題,但是通過EMIB或Foveros就可以實(shí)現(xiàn)不同工藝芯片之間的堆疊封裝了。

  此外,F(xiàn)overos與EMIB的意義不僅僅在于可以將不同規(guī)格之間的芯片封裝在一起,更重要的意義在于它的出現(xiàn)能夠讓英特爾擺脫芯片架構(gòu)與工藝之間“捆綁”的束縛,使工藝與架構(gòu)分離,這樣可以使英特爾在制程、架構(gòu)設(shè)計(jì)上有更強(qiáng)的靈活性。

  在目前的半導(dǎo)體芯片行業(yè)中,英特爾是為數(shù)不多的IDM垂直整合型半導(dǎo)體公司。即自己設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)、自己制造芯片、自己封裝芯片,這一點(diǎn)其它芯片廠商幾乎做不到。

  不過這也是一把雙刃劍。優(yōu)點(diǎn)是英特爾能夠自主根據(jù)不同工藝開發(fā)不同的CPU架構(gòu),而且因?yàn)槭侨灾?,所以新工藝開發(fā)的架構(gòu)可以最大化的利用特定工藝的優(yōu)勢,使之達(dá)到更好的匹配與契合;但不足之處在于將架構(gòu)與工藝?yán)壠饋碇萍s了靈活性,比如延期之后,英特爾無法使用14nm工藝去生產(chǎn)制程架構(gòu)就是典型的例子。

  Foveros與EMIB的出現(xiàn),使得英特爾能夠在未來的發(fā)展中跳出制程工藝與架構(gòu)捆綁的約束,在推進(jìn)制程工藝發(fā)展和架構(gòu)發(fā)展方面能夠更為靈活,有更多的選擇空間。

  而對(duì)于OEM合作伙伴來說,全新的封裝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)客制化需求,這一點(diǎn)極為重要。以往英特爾與OEM的關(guān)系是“我升級(jí)芯片你做相應(yīng)的產(chǎn)品”。OEM的選擇權(quán)不大,只能跟著英特爾的節(jié)奏走,英特爾不更新OEM就只能干等著。全新封裝技術(shù)的出現(xiàn),可以允許OEM去向英特爾客制化自己想要的芯片,從而在不同類型、不同形態(tài)的產(chǎn)品之上選擇不同的芯片方案,更加靈活。因此,F(xiàn)overos與EMIB不僅僅對(duì)于英特爾自身有著重要意義,同時(shí)對(duì)于整個(gè)PC產(chǎn)業(yè)、甚至是IT數(shù)碼產(chǎn)業(yè)都有著極為重要的意義。



關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 芯片 10nm

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