中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易

　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。

　　然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國的半導(dǎo)體依賴。

　　韓國企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因。

　　首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國企業(yè)的影響。

　　另一位高級(jí)官員也表示，“即使是內(nèi)存芯片，對(duì)美國來說也很難。美光科技計(jì)劃在六年內(nèi)將對(duì)華供應(yīng)增加兩到三倍。單是一條內(nèi)存生產(chǎn)線，就需要兩年多的時(shí)間，花費(fèi)20萬億到30萬億韓元(177.1億到265.6億美元)。有人指出，由于存儲(chǔ)器行業(yè)實(shí)行寡頭壟斷制度，在短時(shí)間內(nèi)提高產(chǎn)量幾乎是不可能的。

　　在此背景下，如果報(bào)道的計(jì)劃屬實(shí)，中國可能會(huì)增加從高通或系統(tǒng)級(jí)芯片的進(jìn)口。一位業(yè)內(nèi)人士說:“三星電子在中國西安生產(chǎn)NAND閃存芯片，SK海力士在無錫生產(chǎn)DRAM芯片。即使中國增加對(duì)美國內(nèi)存半導(dǎo)體的進(jìn)口，這兩家公司也不太可能遭受打擊。

　　值得注意的是，美方對(duì)中方的建議作出了消極回應(yīng)。《華爾街日?qǐng)?bào)》援引美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer的話稱，該提議是旨在實(shí)現(xiàn)"中國制造2025"。

　　一位業(yè)內(nèi)觀察人士說，“美國已經(jīng)禁止向DRAM生產(chǎn)商福建金華集成電路有限公司(JHICC)出口半導(dǎo)體設(shè)備，并以國家安全的名義對(duì)華為技術(shù)有限公司和中興通訊股份有限公司進(jìn)行懲罰?！泵绹惶赡茌p松地接受中國的提議。