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2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾人民幣2,900億元

作者: 時(shí)間:2019-03-15 來源:TrendForce 收藏
編者按:TrendForce在最新《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出,受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣,較2017年增長(zhǎng)8%。

  TrendForce在最新《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出,受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)2018年中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣,其中離散式元件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣,較2017年增長(zhǎng)8%。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201903/398523.htm

  TrendForce分析師謝瑞峰指出,作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年景氣仍然持續(xù)向上,雖然仍有貿(mào)易戰(zhàn)等不利因素影響,但在需求驅(qū)動(dòng)下受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品,TrendForce預(yù)估,2019年中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2,907億元人民幣,較2018年成長(zhǎng)12.17%,維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。

  受益于中國(guó)國(guó)產(chǎn)替代的政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況,2018年多家中國(guó)本土功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績(jī),并擴(kuò)大布局腳步。其中,比亞迪微電子憑藉擁有終端的優(yōu)勢(shì),在車用市場(chǎng)快速崛起,取得中?車用市場(chǎng)超過兩成的市占率,一躍成為銷售額位于中國(guó)前三的IGBT供應(yīng)商;MOSFET廠商華微電子和揚(yáng)杰科技營(yíng)收大增,并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場(chǎng)。

  另外,有新建與規(guī)劃IGBT產(chǎn)線的廠商包含士蘭微廈門12寸特色工藝產(chǎn)線、華潤(rùn)微電子在重慶建設(shè)的12寸特色工藝產(chǎn)線,以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級(jí)IGBT產(chǎn)線等。同時(shí),多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體的SiCMOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市,而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線也已開始接單、比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiCMOSFET,其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiCMOSFET對(duì)矽基IGBT的全面替代。

  展望2019年,從終端需求來看,新能源汽車仍然為中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)最大需求來源,根據(jù)TrendForce資料顯示,2019年中國(guó)新能源車產(chǎn)量預(yù)估為150萬輛,較前一年成長(zhǎng)45%,其ADAS系統(tǒng)、電控以及充電樁的需求將帶動(dòng)功率元件市場(chǎng)規(guī)模約270億元。

  同時(shí),5G建設(shè)所需的基站設(shè)備及其普及后帶來物聯(lián)網(wǎng)、云端運(yùn)算的快速發(fā)展,將對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)生長(zhǎng)期大量需求,另外,工業(yè)自動(dòng)化規(guī)劃持續(xù)推進(jìn),與之相關(guān)的電源、控制、驅(qū)動(dòng)電路將持續(xù)推升功率半導(dǎo)體的采購(gòu)。

  從供應(yīng)端來看,2019年雖然有3-5條功率產(chǎn)線將進(jìn)入量產(chǎn),但根據(jù)TrendForce預(yù)計(jì),2019年前三季度功率元件產(chǎn)品缺貨情況恐難有明顯好轉(zhuǎn),多家廠商的產(chǎn)品價(jià)格預(yù)期仍將上漲。從廠商的技術(shù)發(fā)展來看,SiCMOSFET有望進(jìn)一步提高在車用領(lǐng)域?qū)ξ鵌GBT的替代率,矽基IGBT則有望向更低功耗、更高效率的方向繼續(xù)發(fā)展。



關(guān)鍵詞: 功率半導(dǎo)體 IGBT

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