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沃衍資本金鼎:中國半導(dǎo)體的機遇-IC封測將成突破口

作者: 時間:2019-05-08 來源:北國網(wǎng) 收藏

 根據(jù)IC Insights 統(tǒng)計數(shù)據(jù),2018年,中國集成電路自給率僅為15.35%,核心芯片自給率更低?!靶就础敝螅袊?a class="contentlabel" href="http://www.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/半導(dǎo)體">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的機會在哪里?這是一個值得深度思考的問題。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201905/400306.htm

  在4月26日由新材料在線?主辦的“2019中國新材料資本技術(shù)春季峰會”上,沃衍資本合伙人金鼎給出了回答:將成為突破口。

沃衍資本金鼎:中國半導(dǎo)體的機遇-IC封測將成突破口

  金鼎,沃衍資本合伙人,新加坡國立大學(xué)材料科學(xué)與工程博士。歷任飛利浦集團全球戰(zhàn)略與業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)、全球創(chuàng)新支持總監(jiān),Lam Research多個研發(fā)管理崗位。在世界500強企業(yè)和頂級研究所,近二十年廣泛從事戰(zhàn)略、商業(yè)發(fā)展、創(chuàng)新管理、大型項目管理等全球性管理職位。以“價值”為驅(qū)動力,不斷地為企業(yè)拓展新業(yè)務(wù)領(lǐng)域,成功地建設(shè)區(qū)域和全球的研發(fā)團隊。2018年年初加入沃衍資本擔(dān)任合伙人,負責(zé)等相關(guān)領(lǐng)域投資。

  從產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要有三個核心環(huán)節(jié):IC設(shè)計、IC制造和IC封裝。其中,設(shè)計端的支撐產(chǎn)業(yè)有計算機輔助模擬(EDA)和知識產(chǎn)權(quán)供應(yīng)商(IP),制造端的支撐輔助產(chǎn)業(yè)有設(shè)備和材料。

沃衍資本金鼎:中國半導(dǎo)體的機遇-IC封測將成突破口

  從IC設(shè)計方面來看,盡管2011年-2017年,我國設(shè)計公司的數(shù)量已經(jīng)增長了一倍,特別是2018年,增加了380多個,但整體實力普遍都不高。

  “關(guān)于EDA方面,如果我們以2017年的數(shù)據(jù)來看,四家公司已經(jīng)占到全球占有量的70%以上。所以在輔助性的供應(yīng)鏈上中國沒有任何競爭優(yōu)勢?!苯鸲χ赋?,一方面,盡管我們有60%的終端芯片應(yīng)用市場,但上推到制造、設(shè)備材料、工藝我們的比重就越來越小??偠灾覀冊诎雽?dǎo)體材料整個的能力還是非常弱。

沃衍資本金鼎:中國半導(dǎo)體的機遇-IC封測將成突破口

  再看IC制造,也是任重而道遠,在高端設(shè)備和關(guān)鍵材料上依然受制于人?!皩嶋H上,我們真正可以自己制造的設(shè)備是非常少的,材料就更加難看了。比如光罩材料,我們發(fā)展了20年,但是實際上真正可以用在尖端的14納米以下的,沒有幾家。”

  金鼎總結(jié)稱,中國半導(dǎo)體的機會在于:應(yīng)用倒逼設(shè)計,檢測突破為先,加碼未來材料。

  下游應(yīng)用來看,未來幾年半導(dǎo)體設(shè)計的驅(qū)動力主要有新能源汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)、半導(dǎo)體進口替代及顯示和氣候變化承諾與環(huán)保壓力雙重推動等。

  質(zhì)量是“中國制造”的瓶頸,半導(dǎo)體制造質(zhì)量的提升依賴檢測。金鼎表示,在中,特別是隨著封測市場的迅猛發(fā)展,我們可以借力后道封測市場上客戶對自主可控的需求,讓檢測上有實力的公司突圍,從而建立起一些“超強”的公司。

  相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2017年全球ATE檢測設(shè)備市場規(guī)模約50億美金,中國8~10億美金,2025年中國封測產(chǎn)值有望從20%增加到45%。

沃衍資本金鼎:中國半導(dǎo)體的機遇-IC封測將成突破口

  在加碼未來材料方面,金鼎特別強調(diào)“化合物半導(dǎo)體”或者是‘第三代半導(dǎo)體’,以GaN 和SiC 為代表的化合物半導(dǎo)體有很多物理方面的優(yōu)勢。以碳化硅為例,當(dāng)前階段,其器件成本比傳統(tǒng)的硅高五倍,系統(tǒng)成本略高20%。如果以耐高溫性導(dǎo)致的冷卻系數(shù)要求比較低,加上對電容電感的減少,能量損失的減少,以及留出更大的空間給電池組,在整個系統(tǒng)器件上已經(jīng)接近于硅基為基礎(chǔ)的第一代半導(dǎo)體。

  在未來三年新材料成本不斷下降,加上器件成本下降,系統(tǒng)總體成本很有可能比傳統(tǒng)硅基成本還要低20%,預(yù)示著碳化硅在電動汽車發(fā)展當(dāng)中很有可能成為一個爆破點。



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