埃賦隆宣布面向ISM應(yīng)用推出業(yè)界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶體管

荷蘭奈梅亨– 2019年5月8日，埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在宣布基于其成熟的第9代高壓LDMOS工藝技術(shù)派生出高級(jí)加固技術(shù)（Advanced Rugged Technology，ART），并借此開(kāi)發(fā)出新系列射頻功率器件中的首款產(chǎn)品。這個(gè)新工藝的開(kāi)發(fā)旨在用于實(shí)現(xiàn)極其堅(jiān)固的、工作電壓高達(dá)65V的晶體管。

首款采用該工藝的產(chǎn)品ART2K0FE是一款2kW的晶體管，其頻率響應(yīng)為0至650MHz，采用氣腔陶瓷封裝。其設(shè)計(jì)能夠承受工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）應(yīng)用中常見(jiàn)的最惡劣的條件，可用于驅(qū)動(dòng)大功率CO2激光器、等離子發(fā)生器和一些MRI系統(tǒng)。ART器件之所以適用于這些應(yīng)用，是因?yàn)槠淇梢蕴幚?5V條件下高達(dá)65:1的駐波比（VSWR）失配，而這在CO2激光器和等離子發(fā)生器工作時(shí)可能碰到。

基于ART工藝開(kāi)發(fā)的器件具有很高的阻抗，因此在開(kāi)發(fā)階段更容易將其集成到產(chǎn)品中，并確保在批量生產(chǎn)中具有更高的產(chǎn)品一致性。該工藝還可使所開(kāi)發(fā)的器件比LDMOS競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品更加高效。這樣便可通過(guò)節(jié)省輸入電能，降低發(fā)熱，來(lái)降低最終應(yīng)用的運(yùn)營(yíng)成本。此外，采用該工藝的器件還可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，也就是說(shuō)，它們可以采用更小、更低成本的封裝，從而減少其電路板占位面積，進(jìn)而降低系統(tǒng)成本。

ART器件還具有高擊穿電壓，有助于確保它們?cè)谡麄€(gè)預(yù)期壽命期間始終如一地可靠工作。埃賦隆半導(dǎo)體還保證這類器件可以供貨15年，從而使產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員可以進(jìn)行長(zhǎng)期規(guī)劃。

采用氣腔陶瓷封裝的ART2K0FE現(xiàn)可提供樣品，并有不同頻率的參考電路可以選擇。埃賦隆半導(dǎo)體還提供較低熱阻的超模壓塑料版本ART2K0PE。兩種版本預(yù)計(jì)在2019年下半年量產(chǎn)。