日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，也因此當(dāng)前確實有觀察到部分模組廠利用該原物料事件而開出上揚的價格或表示將停止生產(chǎn)。然而，目前現(xiàn)貨市場占整體DRAM市場僅不到10%水平，中長期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢仍需關(guān)注占比超過9成的合約市場為主。

從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機(jī)，或是企業(yè)用服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心建置，目前整體終端需求仍呈現(xiàn)十分疲弱的態(tài)勢。然而，反觀供給端目前DRAM供應(yīng)商的庫存水平仍普遍高于3個月，也導(dǎo)致PC、服務(wù)器內(nèi)存及行動式內(nèi)存的合約價在第三季初仍舊持續(xù)走跌，暫時未看見反轉(zhuǎn)向上的跡象。集邦咨詢認(rèn)為，DRAM市況受此原物料事件而出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

NAND Flash市場行情則受到日本材料出口審查趨嚴(yán)，以及東芝停電事件的影響。由于Wafer市場報價已經(jīng)偏低，預(yù)計七月起各供應(yīng)商報價將浮現(xiàn)漲勢。然而，由于供應(yīng)商普遍備有2-3個月的庫存水位，多數(shù)模組廠不會第一時間接受漲價，后續(xù)則需視市場及供應(yīng)端庫存狀況決定交易價是否上漲。至于對OEM的各類SSD、eMMC/UFS產(chǎn)品報價方面，目前雖有部分供應(yīng)商暫停出貨，但從供需狀況分析，并考量OEM端的庫存水位，集邦咨詢認(rèn)為，雖然NAND Flash價格短期將出現(xiàn)上揚，但長期仍有跌價壓力。