日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，也因此當(dāng)前確實(shí)有觀察到部分模組廠利用該原物料事件而開出上揚(yáng)的價(jià)格或表示將停止生產(chǎn)。然而，目前現(xiàn)貨市場(chǎng)占整體DRAM市場(chǎng)僅不到10%水平，中長(zhǎng)期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢(shì)仍需關(guān)注占比超過9成的合約市場(chǎng)為主。

從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機(jī)，或是企業(yè)用服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心建置，目前整體終端需求仍呈現(xiàn)十分疲弱的態(tài)勢(shì)。然而，反觀供給端目前DRAM供應(yīng)商的庫存水平仍普遍高于3個(gè)月，也導(dǎo)致PC、服務(wù)器內(nèi)存及行動(dòng)式內(nèi)存的合約價(jià)在第三季初仍舊持續(xù)走跌，暫時(shí)未看見反轉(zhuǎn)向上的跡象。集邦咨詢認(rèn)為，DRAM市況受此原物料事件而出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

NAND Flash市場(chǎng)行情則受到日本材料出口審查趨嚴(yán)，以及東芝停電事件的影響。由于Wafer市場(chǎng)報(bào)價(jià)已經(jīng)偏低，預(yù)計(jì)七月起各供應(yīng)商報(bào)價(jià)將浮現(xiàn)漲勢(shì)。然而，由于供應(yīng)商普遍備有2-3個(gè)月的庫存水位，多數(shù)模組廠不會(huì)第一時(shí)間接受漲價(jià)，后續(xù)則需視市場(chǎng)及供應(yīng)端庫存狀況決定交易價(jià)是否上漲。至于對(duì)OEM的各類SSD、eMMC/UFS產(chǎn)品報(bào)價(jià)方面，目前雖有部分供應(yīng)商暫停出貨，但從供需狀況分析，并考量OEM端的庫存水位，集邦咨詢認(rèn)為，雖然NAND Flash價(jià)格短期將出現(xiàn)上揚(yáng)，但長(zhǎng)期仍有跌價(jià)壓力。