傳合肥長鑫年底量產(chǎn)DDR4內(nèi)存：19nm工藝、8Gb核心

前不久紫光宣布在重慶投資數(shù)百億建設DRAM內(nèi)存研發(fā)中心及晶圓廠，最快2021年量產(chǎn)，這對國產(chǎn)芯片，尤其是內(nèi)存來說是一個大事件。

不過在紫光之前，我們可能看到的第一個國產(chǎn)內(nèi)存應該是合肥長鑫公司的，他們比紫光做內(nèi)存更早，該公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投資就高達72億美元（約合494億人民幣），將建設一座月產(chǎn)能12.5萬晶圓的內(nèi)存廠，目前工廠建設已經(jīng)進入了尾聲，正在進行設備安裝、調(diào)試階段。

最新消息顯示，合肥長鑫的進展還跟順利，已經(jīng)提前進行機臺安裝，有望在Q4季度順利量產(chǎn)國內(nèi)第一批內(nèi)存。

根據(jù)合肥長鑫之前公開的資料，去年該公司與兆易創(chuàng)新達成了合作協(xié)議，共同開發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存，去年底已經(jīng)推出了8Gb DDR4內(nèi)存樣品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內(nèi)存樣品，年底正式量產(chǎn)，月產(chǎn)能將達到2萬片晶圓，后續(xù)不斷提升到12.5萬片晶圓/月的目標產(chǎn)能。

此前在GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲技術發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長鑫的DRAM內(nèi)存技術來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數(shù)據(jù)，在此基礎上改進、研發(fā)自主產(chǎn)權的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

如果年底順利量產(chǎn)19nm工藝、8Gb核心的內(nèi)存，雖然與美光、三星等公司的第三代10nm工藝還有一兩代的代差，但是這個技術水平還是可以的，因為市面上很多內(nèi)存條也就是這個規(guī)格，用于制備單條8GB、16GB的內(nèi)存條是OK的，可以說國產(chǎn)內(nèi)存的起點是非常高的，但后續(xù)的良率、產(chǎn)能提升才是關鍵，在這個市場上賺到錢活下去并不容易。