硅單光子探測(cè)器取得重要進(jìn)展

由無(wú)錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔(dān)的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“重大科學(xué)儀器設(shè)備開(kāi)發(fā)”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)“高靈敏硅基雪崩探測(cè)器研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究”項(xiàng)目經(jīng)過(guò)近兩年的努力，突破了低抖動(dòng)、大光敏面硅單光子探測(cè)芯片設(shè)計(jì)、界面電場(chǎng)調(diào)控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)發(fā)出硅單光子探測(cè)器樣機(jī)。近日，項(xiàng)目順利通過(guò)了科技部高技術(shù)中心組織的中期檢查。

硅單光子探測(cè)器具有超高靈敏度，是300-1100nm波段超高靈敏探測(cè)不可替代的關(guān)鍵芯片，且器件性能穩(wěn)定可靠、易形成面陣，是實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離精密測(cè)量、激光雷達(dá)等重大科學(xué)儀器的關(guān)鍵核心部件之一。目前國(guó)內(nèi)硅單光子探測(cè)芯片主要依賴進(jìn)口，且陣列芯片禁運(yùn)。開(kāi)展硅單光子探測(cè)器的自主化研究，對(duì)獨(dú)立自主研制精密測(cè)量、激光雷達(dá)等裝備具有重要意義。項(xiàng)目提出了雪崩過(guò)程隨機(jī)性電場(chǎng)抑制方法，基于國(guó)產(chǎn)硅片和研發(fā)平臺(tái)，研制出大光敏面、低時(shí)間抖動(dòng)的硅雪崩探測(cè)器芯片，開(kāi)發(fā)了一系列可工程化應(yīng)用的制備關(guān)鍵技術(shù)，并在“北斗系統(tǒng)”開(kāi)展了激光測(cè)距示范應(yīng)用；同時(shí)還面向智能交通的市場(chǎng)需求，研制出線性模式硅雪崩探測(cè)器。

該項(xiàng)目下一步將加快產(chǎn)品化開(kāi)發(fā)，提高產(chǎn)品技術(shù)成熟度，加快產(chǎn)品應(yīng)用示范及推廣。