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東芝面向車載應(yīng)用推出采用緊湊型封裝的100V N溝道功率MOSFET

作者:TOSHIBA 時間:2019-12-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出兩款面向48V應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計(jì)劃于今天開始。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/201912/408635.htm

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MOSFET產(chǎn)品圖

新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu),安裝在電路板上時能夠進(jìn)行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗;XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。

應(yīng)用

汽車設(shè)備:電源裝置(DC-DC轉(zhuǎn)換器)和LED頭燈等(電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負(fù)載開關(guān))

特性

東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝。

通過AEC-Q101認(rèn)證。

低導(dǎo)通電阻:

●RDS(ON)=4.1m?(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

●RDS(ON)=6.3m?(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance(WF)封裝。

主要規(guī)格

(除非另有說明,@Ta=25°C)

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注釋

[1]截至2019年12月25日。

[2]在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中,截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。



關(guān)鍵詞: 電氣系統(tǒng) 車載

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