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西數(shù)發(fā)布BiCS5閃存技術(shù):112層堆棧 1.33Tb世界最高密度QLC

作者:快科技 時間:2020-01-31 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

西數(shù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5,這是西數(shù)與鎧俠(原來的東芝存儲)聯(lián)合開發(fā)的,在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧,有TLC及QLC閃存兩種類型,最高核心密度1.33Tb,是目前存儲密度最高的產(chǎn)品。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202001/409518.htm

西數(shù)存儲芯片技術(shù)和制造高級副總裁Steve Paak博士表示,在進(jìn)入下一個十年的時候,一種新型的3D閃存對持續(xù)滿足不斷增長的數(shù)據(jù)容量及速率的需求至關(guān)重要,而BiCS5的成功研發(fā)體現(xiàn)了西數(shù)在閃存技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位及路線圖的強大執(zhí)行力。

BiCS5閃存是西數(shù)目前最先進(jìn)、密度最高的3D NAND閃存,通過采用第二代多層存儲孔、改進(jìn)工藝及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了存儲芯片的橫向存儲密度,再加上112層縱向堆棧,使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4閃存技術(shù)有了明顯提升,存儲容量提升40%,IO性能提升了50%,同時優(yōu)化了成本。

西數(shù)BiCS5閃存主要有TLC及QLC閃存兩種類型,初期會以512Gb核心的TLC開始量產(chǎn),后續(xù)會提供更多容量選擇,包括最高密度的1.33Tb QLC閃存,預(yù)計2020年下半年開始商業(yè)化量產(chǎn),主要生產(chǎn)工廠是日本三重縣四日市及巖手縣北上市的晶圓廠。

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關(guān)鍵詞: 西部數(shù)據(jù) TLC閃存

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