SK海力士沖擊16層堆疊內(nèi)存：1平方毫米打10萬個孔

SK海力士宣布，已經(jīng)與Xperi Corp旗下子公司Invensas簽訂新的專利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲得了后者DBI Ultra 2.5D/3D互連技術(shù)的授權(quán)。

DBI Ultra是一種專利的裸片-晶圓(die-wafer)混合鍵合互連技術(shù)，每平方毫米的面積里可以容納10萬個到100萬個互連開孔，孔間距最小只有1微米，相比每平方毫米最多625個互連開孔的傳統(tǒng)銅柱互連技術(shù)，可大大提高傳輸帶寬。

DBIUltra使用化學(xué)鍵合來連接不同的互聯(lián)層，也不需要銅柱和底層填充，因此不會增加高度，從而大大降低整體堆疊高度，釋放空間，可將8層堆疊翻番到16層堆疊，獲得更大容量。

雖然它要使用新的工藝流程，但是良品率更高，也不需要高溫，而高溫正是影響良品率的關(guān)鍵因素。

和其他下一代互連技術(shù)類似，DBI Ultra也靈活支持2.5D、3D整合封裝，還能集成不同尺寸、不同工藝制程的IP模塊，因此不但可用來制造DRAM、3DS、HBM等內(nèi)存芯片，也可用于高集成度的CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC。

比如3D堆棧內(nèi)存方案，可以是4層的DRAM，可以是4/8/12/16層的HBM2/HBM3并在底部整合邏輯電路。

比如3D集成方案，可以上方是4-16層堆疊HBM、下方是CPU/GPU/FPGA/SoC等邏輯單元。

比如2.5D集成方案，可以在基板上一邊是4-16層堆疊HBM并通過邏輯電路接入基板，另一邊則是CPU/GPU/FPGA/SoC等邏輯單元直接以DBI Ultra互連的方式接入基板。

SK海力士還未透露會將DBI Ultra封裝技術(shù)用在哪里，但是DRAM、HBM顯然是最佳選擇。