新聞中心

EEPW首頁 > 業(yè)界動態(tài) > 2021年ASML將推下一代EUV光刻機 面向2nm、1nm工藝

2021年ASML將推下一代EUV光刻機 面向2nm、1nm工藝

作者: 時間:2020-02-24 來源:快科技 收藏

作為全球唯一能生產光刻機的公司,荷蘭公司去年出售了26臺光刻機,主要用于臺積電、三星的7nm及今年開始量產的5nm工藝,預計今年出貨35臺光刻機。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202002/410216.htm

目前出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時,支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的產能也從之前的125WPH(每小時處理晶圓數)提升到了175WPH。

不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA(數值孔徑)為0.33。

根據光刻機的分辨率公式,NA數字越大,光刻機精度還會更高,現在還研發(fā)NA 0.55的新一代EUV光刻機EXE:5000系列,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。

EXE:5000系列的下一代光刻機主要面向后3nm時代,目前三星、臺積電公布的制程工藝路線圖也就到3nm,2nm甚至1nm工藝都還在構想中,要想量產就需要新的制造裝備,新一代EUV光刻機是重中之重。

根據ASML的信息,EXE:5000系列光刻機最快在2021年問世,不過首發(fā)的還是樣機,真正用于生產還得等幾年,樂觀說法是2023年或者2024年才有可能看到NA 0.55的EXE:5000系列光刻機上市。



關鍵詞: ASML EUV

評論


技術專區(qū)

關閉