ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET^*1）被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動(dòng)汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。

與IGBT^*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體，在電動(dòng)汽車以及基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源、工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。

ROHM于2010年全球首家開始SiC MOSFET的量產(chǎn)，作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，ROHM一直在推動(dòng)世界先進(jìn)的產(chǎn)品開發(fā)。另外，在汽車領(lǐng)域，ROHM于2012年在業(yè)界率先開始供應(yīng)車載產(chǎn)品，并在電動(dòng)汽車的快速充電用車載充電器領(lǐng)域擁有很高的市場份額，該產(chǎn)品在電動(dòng)汽車的電機(jī)和逆變器中的采用也日益加速。

此次，ROHM的SiC　MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達(dá)95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。并且，這一先進(jìn)的解決方案獲得了UAES頒發(fā)的2019年度最佳技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。

未來，ROHM將作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，不斷壯大產(chǎn)品陣容，并結(jié)合充分發(fā)揮元器件性能的控制IC等外圍元器件和模塊化技術(shù)優(yōu)勢，繼續(xù)提供有助于下一代汽車技術(shù)創(chuàng)新的電源解決方案。

采用SiC MOSFET的好處

在大功率（高電壓×大電流）范圍中，與Si-IGBT相比，SiC MOSFET具有“開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗^*3小”、“抗溫度變化能力強(qiáng)”等優(yōu)點(diǎn)。得益于這些優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)SiC MOSFET用于電動(dòng)汽車的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品中時(shí)，可降低功率轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗并實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化，高頻工作還可實(shí)現(xiàn)線圈小型化，從而有助于提高應(yīng)用的效率、減少部件數(shù)量并縮減安裝面積。

ROHM的SiC功率元器件開發(fā)歷史

術(shù)語解說：

^*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的縮寫）

金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)。用作開關(guān)元件。

^*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)特性和雙極晶體管的低傳導(dǎo)損耗特性的功率晶體管。

^*3） 傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗

因元器件結(jié)構(gòu)的緣故，MOSFET和IGBT等晶體管在使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗。傳導(dǎo)損耗是電流流過元器件時(shí)（ON狀態(tài)時(shí)），受元器件的電阻分量影響而產(chǎn)生的損耗。開關(guān)損耗是切換元器件的通電狀態(tài)時(shí)（開關(guān)動(dòng)作時(shí)）產(chǎn)生的損耗。

關(guān)于聯(lián)合汽車電子有限公司（UAES）

UAES公司是中聯(lián)汽車電子有限公司和德國羅伯特·博世有限公司在中國的合資企業(yè)，是汽車行業(yè)一級綜合供應(yīng)商。自1995年成立以來，該公司已在中國市場獲得了引擎控制單元和燃油汽車動(dòng)力總成業(yè)務(wù)領(lǐng)域極高的市場份額，2009年之后開始面向電動(dòng)汽車領(lǐng)域開發(fā)包括主機(jī)逆變器在內(nèi)的產(chǎn)品。