中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發(fā)160層閃存

上周中國的長江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。

對(duì)3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。

不過每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層,今年也是量產(chǎn)的主力。

在136層之后,三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎(chǔ)。

目前160層+的3D閃存還沒有詳細(xì)的技術(shù)信息,韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級(jí)到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。

考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據(jù)了超過1/3的份額,實(shí)力是最強(qiáng)的,不出意外160+層堆棧的閃存應(yīng)該也會(huì)是他們首發(fā),繼續(xù)保持閃存技術(shù)上的優(yōu)勢(shì),拉開與對(duì)手的差距。

對(duì)了,單從層數(shù)上來說,三星的160層+還不是最高的,SK Hynix去年宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存,不過他們家的閃存結(jié)構(gòu)甚至命名都跟其他廠商有所不同,不能單看層數(shù)高低。