助力“新基建”提速，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需“錯(cuò)位發(fā)展”防泡沫

“新基建”是近期熱詞之一。國(guó)家發(fā)改委近日首次明確新型基礎(chǔ)設(shè)施的范圍———新型基礎(chǔ)設(shè)施是以新發(fā)展理念為引領(lǐng),以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),以信息網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ),面向高質(zhì)量發(fā)展需要,提供數(shù)字轉(zhuǎn)型、智能升級(jí)、融合創(chuàng)新等服務(wù)的基礎(chǔ)設(shè)施體系。

“在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中,第三代半導(dǎo)體均可發(fā)揮重要作用。” 北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體,以碳化硅和氮化鎵為代表,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,是支撐新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件。

沈波解釋說,相比于目前在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域依然占主流地位的傳統(tǒng)硅基器件,第三代半導(dǎo)體功率電子器件可使電子和電器設(shè)備進(jìn)一步高效化、小型化、智能化。例如,耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊,可大規(guī)模應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車等領(lǐng)域;高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊,則可大規(guī)模應(yīng)用于新一代通用電源,如大數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)通訊基站、物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備的電源,以及手機(jī)、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領(lǐng)域,具有巨大技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)空間。

其中,第三代半導(dǎo)體射頻電子器件在民用和軍用領(lǐng)域都已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。尤其是,由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢(shì),氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動(dòng)通信基站建設(shè)中發(fā)揮著不可替代的作用,我國(guó)5G建設(shè)提速,將觸發(fā)對(duì)氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長(zhǎng)。

放眼國(guó)際,2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期,但第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),龍頭企業(yè)紛紛加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局,通過調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域,擴(kuò)大產(chǎn)能供給,整合并購(gòu),增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)能力。相比之下,我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)處于起步階段,已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平3-5年,亟需突破材料、器件、封裝及應(yīng)用等環(huán)節(jié)的核心關(guān)鍵技術(shù)和可靠性、一致性等工程化應(yīng)用問題。

“新基建提速為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了寶貴機(jī)遇,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體材料和器件的需求快速提升,終端應(yīng)用企業(yè)也在調(diào)整供應(yīng)鏈,扶持國(guó)內(nèi)企業(yè),此前難以進(jìn)入供應(yīng)鏈的產(chǎn)業(yè)鏈上中游產(chǎn)品將獲得下游用戶驗(yàn)證機(jī)會(huì),進(jìn)入多個(gè)關(guān)鍵廠商供應(yīng)鏈。” 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)于坤山說。

近日發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報(bào)告(2019年)》預(yù)測(cè),2024年我國(guó)第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將近200億元,未來5年復(fù)合增長(zhǎng)率超過40%。

面對(duì)難得機(jī)遇,于坤山建議,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更應(yīng)腳踏實(shí)地,行穩(wěn)致遠(yuǎn)?！斑^去幾年政策資源大量?jī)A斜,多地將第三代半導(dǎo)體列為重點(diǎn)支持產(chǎn)業(yè),多措并舉招攬項(xiàng)目,也造成了一些低水平的重復(fù)。鑒于此,各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時(shí),還需關(guān)注協(xié)調(diào)、錯(cuò)位發(fā)展,做好項(xiàng)目甄別,結(jié)合地方已有產(chǎn)業(yè)、人才和資源優(yōu)勢(shì),考慮財(cái)政承載力和政策成本收益率,因地制宜配套政策?！?/p>

此外,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近兩年市場(chǎng)高速增長(zhǎng)主要得益于國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的大力提倡所獲得的資本進(jìn)入,以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的新應(yīng)用,但當(dāng)前經(jīng)濟(jì)下行導(dǎo)致消費(fèi)電子、汽車乃至工業(yè)電機(jī)等各類產(chǎn)品市場(chǎng)下滑,出口受阻,下游需求萎縮, “行業(yè)應(yīng)苦練內(nèi)功,不斷提升產(chǎn)品性能和競(jìng)爭(zhēng)力,深挖創(chuàng)新性應(yīng)用,在拓展增量市場(chǎng)的同時(shí)不斷擴(kuò)展在存量市場(chǎng)的滲透率,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)良性、可持續(xù)發(fā)展,同時(shí)還要面對(duì)‘為搶占先機(jī)超前投入,但市場(chǎng)的啟動(dòng)往往低于預(yù)期’這一矛盾,把握好產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節(jié)奏?！庇诶ど綇?qiáng)調(diào)。