“新基建”或將成為疫后重建最大動力，半導體產業(yè)迎來新機遇（下）

如果我們把前互聯(lián)網時代稱之為互聯(lián)網時代的話，那么當前則從以軟件服務為核心的互聯(lián)網時代向以硬件服務為核心的工業(yè)互聯(lián)網、物聯(lián)網時代轉變。特別是在疫情期間14億人宅在家的流量井噴讓我們所有人都意識到了通信網絡、數據中心的重要意義。

在當前的節(jié)點之上，幾乎上至國家，下至企業(yè)，所有人都認識到了硬科技生態(tài)體系對于中國經濟的重要意義，這也是為什么國家提出了新基建，而資本市場也把所有的目光都聚焦到了新基建上面的根本原因。

從中長期看， 中國企業(yè)上“云”、數字化的趨勢不可逆轉，經過此次疫情，預計進度還將加快，數字經濟的趨勢已經勢不可擋，在這個時候其實對于數字經濟的基礎設施要求反而更高。

截至3月1日，包括北京、上海、江蘇、福建、河南、重慶等在內的 13 個省市區(qū)發(fā)布了 2020 年重點項目投資計劃清單，包括 10326 個項目，其中 8 個省份公布了計劃總投資額，共計 33.83 萬億元。如此高的新基建投入，讓所有人不得不相信，這個大風口正在全面到來。

5G、大數據中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網等多個領域加速崛起，為半導體行業(yè)帶來了新的增長動力。

“新基建”助力第三代半導體發(fā)展

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料，具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優(yōu)點。以第三代半導體材料為基礎制備的電子器件是支撐“新基建”5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁等領域的關鍵核心器件。

隨著“新基建”政策的進一步推進，以碳化硅和氮化鎵為核心的第三代半導體必然會是受益者。貫穿于“新基建”中的第三代半導體產品包括：

?以碳化硅以及IGBT為核心的功率半導體：主要支撐了新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)；SiC基SBD、MOSFET及GaN基HEMT功率器件是特高壓輸電、軌道交通和新能源汽車的核心器件。

?以氮化鎵為核心的射頻半導體：主要支撐的是5G基站以及工業(yè)互聯(lián)網系統(tǒng)建設；GaN基射頻器件是5G基站核心器件之一， GaN基LED可見光通信是5G 通信的重要組成部分，5G基建將直接促進Mini/Micro-LED 4K/8K高清顯示及VR/AR等數據高容量存儲、大流量傳輸和快速度響應有強烈需求的相關產業(yè)的發(fā)展。

?以AI芯片為核心的SOC芯片、人工智能芯片：主要支撐的是數據中心、人工智能系統(tǒng)建設；在人工智能、工業(yè)互聯(lián)網應用中，基于第三代半導體的傳感器產品在市場上還相對較少，這些產品目前仍處于實驗室研發(fā)階段。

目前碳化硅和氮化鎵發(fā)展的比較成熟，所以，其生產成本也在不斷的降低，此后，它將會憑借著自身出色的性能突破硅基材料的瓶頸，從而有望引領新一輪的產業(yè)革命。而憑借著“新基建”政策，我國第三代半導體技術發(fā)展也將得到保證，這樣在全球化市場上，也會有一席之地。

另外，以上是從“新基建”的角度說寬禁帶/第三代半導體，實際上寬禁帶/第三代半導體的核心應用還有在光電領域，比如2014年獲得諾貝爾獎的中村修二就是做氮化鎵藍光器件。

產業(yè)界的布局實際上比較早，比如以下幾個廠商：

?小米是全球氮化鎵功率器件領導生產商Navitas的股東，拆解小米氮化鎵充電器，其中NV6115_NV6117器件應用其中。

?華為參股了山東天岳，天岳作為中國為數不多的碳化硅襯底企業(yè)，碳化硅對于功率和射頻的重要意義不言而喻。

?2016年，大陸收購AIXTRON被否，然后中微半導體熱炒的原因，都是與第三代半導體有關。

?疫情以來，紫外LED消毒技術也將氮化鎵推上一個風口，可以看看中科院半導體所在山西的公司布局。

面上是大家看到的，面下是以碳化硅與氮化鎵為核心的第三代半導體的暗潮洶涌。在這一輪“新基建”的催化下，資本的嗅覺已經開始發(fā)動。

“新基建”釋放新動能 國產芯片趁勢崛起

2020年，國產替代還將會是國內半導體產業(yè)發(fā)展的主線，在國家政策的扶持下，國產存儲產業(yè)正在加速突圍，積極打造完整的芯片代工、封裝、測試以及配套設備和材料等產業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展格局，實現關鍵裝備、材料的全面國產化。

與此同時，“新基建”的航行恰逢國產替代正成為國內半導體業(yè)發(fā)展的主線，兩者交匯將會釋放新動能。在“新基建”動能的釋放下，芯片產業(yè)將迎發(fā)展“春天”，有望引導我國半導體產業(yè)進入新一輪發(fā)展周期。

新基建大量新增的需求，諸多重點建設項目將尋求經濟轉型、數字化轉型、節(jié)能環(huán)保轉型，進行顛覆式行業(yè)創(chuàng)新。這會為國內半導體業(yè)發(fā)展帶來新的機遇，特別是在國產替代方面也留足了充分的發(fā)展空間。同時，通過參與新基建建設，國內廠商也得以掌握核心技術，進入供應鏈的核心環(huán)節(jié)，加速實現國產化替代。

目前，我國已有四條4/6英寸SiC生產/中試線和三條GaN生產/中試線相繼投入使用，并在建多個與第三代半導體相關的研發(fā)中試平臺。國產化的單晶襯底、外延片所占市場份額不斷擴大，國產化的SiC二極管和MOSFET開始進入市場。

不過，在頭部廠商取得成績的背后，我國整體實力和產業(yè)化能力的提升，還有待進一步加強。國內半導體廠商在處理器、傳感器、微控制器、通信芯片和功率半導體等核心器件方面仍主要集中在中低端市場，模擬芯片方面幾乎被國際巨頭壟斷，這是既須正視的現實，也是努力的方向。

除了海思、紫光展銳、中星微這些資深玩家，造芯新勢力也在迅速崛起，甚至不乏阿里、百度、格力、比亞迪這樣的跨界選手。相信隨著國內互聯(lián)網巨頭進軍芯片產業(yè)，國產自研芯片熱潮已經到來，中國芯正在崛起。

綜合來看，擺脫國外依賴，掌握核心技術已經成為共識，國產芯片的加速發(fā)展，使我國逐漸掌握半導體領域的核心話語權，然而在中高端領域的發(fā)力，才是國內半導體產業(yè)發(fā)展的重要角力點，讓我們拭目以待。

“新基建”中半導體產業(yè)發(fā)展需要注意的問題

新基建領域涉及的半導體領域眾多，反映國家對半導體業(yè)的重視，從立意上一定要攻克難關，但目前困難仍然重重，主要是缺領軍人才和先進制程技術，包括前后道、設計及設備與材料，以及外部的一些阻力等。

目前，最大的問題在于如何推進市場化，這樣才能避免出現許多地方政府雷同的項目上馬，缺乏可行性分析，導致同質化厲害，力量難以集中。如果能集中力量辦大事，將會取得更為扎實的進步。

半導體業(yè)已經是一個成熟行業(yè)，屬于高資本長周期，并要不斷地迭代，其實是很辛苦的行業(yè)。刺激性的政策最大的問題就是它會促進需求形成一個波峰，但在波峰之后就會迎來一個波谷，導致產能過剩，心態(tài)能否及時調整、風險能否擔當都要加以考量。

雖然新基建的更新?lián)Q代將拉動半導體產業(yè)的發(fā)展，但理想與現實總有“差距”：國內具備創(chuàng)新性并實現盈利的IC設計公司仍然較少，晶圓制造和封測產能仍有較大的缺口，特別是在先進工藝、先進材料和關鍵產能等方面還較多依賴于國外。

在國產替代和新基建的背景下，還應著力尋求技術突破、產能擴充和加強人才培養(yǎng)。同時，防止結構性產能過剩也要注重產品類型的全面布局和長期發(fā)展，避免扎堆于單一的短平快的中低端產品及市場，造成惡性競爭。

政府政策的驅動難以是普惠型的，國家對新基建項目雖然都會加大投入力度，但如何投入還沒有細化。以往的基建基本上都以國有企業(yè)為主導，效果也是立竿見影的。但新基建等行業(yè)上游涉及大量的民營企業(yè)，如何銜接還存在諸多障礙。只有充分發(fā)揮“新基建”對七大領域的政策落實，才能讓半導體產業(yè)真正的站在風口上，最后的結果才能事半功倍。