“新基建”或?qū)⒊蔀橐吆笾亟ㄗ畲髣?dòng)力,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新機(jī)遇(下)
如果我們把前互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代稱(chēng)之為互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的話(huà),那么當(dāng)前則從以軟件服務(wù)為核心的互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代向以硬件服務(wù)為核心的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代轉(zhuǎn)變。特別是在疫情期間14億人宅在家的流量井噴讓我們所有人都意識(shí)到了通信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心的重要意義。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202004/412548.htm在當(dāng)前的節(jié)點(diǎn)之上,幾乎上至國(guó)家,下至企業(yè),所有人都認(rèn)識(shí)到了硬科技生態(tài)體系對(duì)于中國(guó)經(jīng)濟(jì)的重要意義,這也是為什么國(guó)家提出了新基建,而資本市場(chǎng)也把所有的目光都聚焦到了新基建上面的根本原因。
從中長(zhǎng)期看, 中國(guó)企業(yè)上“云”、數(shù)字化的趨勢(shì)不可逆轉(zhuǎn),經(jīng)過(guò)此次疫情,預(yù)計(jì)進(jìn)度還將加快,數(shù)字經(jīng)濟(jì)的趨勢(shì)已經(jīng)勢(shì)不可擋,在這個(gè)時(shí)候其實(shí)對(duì)于數(shù)字經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)設(shè)施要求反而更高。
截至3月1日,包括北京、上海、江蘇、福建、河南、重慶等在內(nèi)的 13 個(gè)省市區(qū)發(fā)布了 2020 年重點(diǎn)項(xiàng)目投資計(jì)劃清單,包括 10326 個(gè)項(xiàng)目,其中 8 個(gè)省份公布了計(jì)劃總投資額,共計(jì) 33.83 萬(wàn)億元。如此高的新基建投入,讓所有人不得不相信,這個(gè)大風(fēng)口正在全面到來(lái)。
5G、大數(shù)據(jù)中心、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域加速崛起,為半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了新的增長(zhǎng)動(dòng)力。
“新基建”助力第三代半導(dǎo)體發(fā)展
以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。以第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)制備的電子器件是支撐“新基建”5G基建、特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車(chē)充電樁等領(lǐng)域的關(guān)鍵核心器件。
隨著“新基建”政策的進(jìn)一步推進(jìn),以碳化硅和氮化鎵為核心的第三代半導(dǎo)體必然會(huì)是受益者。貫穿于“新基建”中的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品包括:
?以碳化硅以及IGBT為核心的功率半導(dǎo)體:主要支撐了新能源汽車(chē)、充電樁、基站/數(shù)據(jù)中心電源、特高壓以及軌道交通系統(tǒng);SiC基SBD、MOSFET及GaN基HEMT功率器件是特高壓輸電、軌道交通和新能源汽車(chē)的核心器件。
?以氮化鎵為核心的射頻半導(dǎo)體:主要支撐的是5G基站以及工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)建設(shè);GaN基射頻器件是5G基站核心器件之一, GaN基LED可見(jiàn)光通信是5G 通信的重要組成部分,5G基建將直接促進(jìn)Mini/Micro-LED 4K/8K高清顯示及VR/AR等數(shù)據(jù)高容量存儲(chǔ)、大流量傳輸和快速度響應(yīng)有強(qiáng)烈需求的相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
?以AI芯片為核心的SOC芯片、人工智能芯片:主要支撐的是數(shù)據(jù)中心、人工智能系統(tǒng)建設(shè);在人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中,基于第三代半導(dǎo)體的傳感器產(chǎn)品在市場(chǎng)上還相對(duì)較少,這些產(chǎn)品目前仍處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段。
目前碳化硅和氮化鎵發(fā)展的比較成熟,所以,其生產(chǎn)成本也在不斷的降低,此后,它將會(huì)憑借著自身出色的性能突破硅基材料的瓶頸,從而有望引領(lǐng)新一輪的產(chǎn)業(yè)革命。而憑借著“新基建”政策,我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展也將得到保證,這樣在全球化市場(chǎng)上,也會(huì)有一席之地。
另外,以上是從“新基建”的角度說(shuō)寬禁帶/第三代半導(dǎo)體,實(shí)際上寬禁帶/第三代半導(dǎo)體的核心應(yīng)用還有在光電領(lǐng)域,比如2014年獲得諾貝爾獎(jiǎng)的中村修二就是做氮化鎵藍(lán)光器件。
產(chǎn)業(yè)界的布局實(shí)際上比較早,比如以下幾個(gè)廠(chǎng)商:
?小米是全球氮化鎵功率器件領(lǐng)導(dǎo)生產(chǎn)商N(yùn)avitas的股東,拆解小米氮化鎵充電器,其中NV6115_NV6117器件應(yīng)用其中。
?華為參股了山東天岳,天岳作為中國(guó)為數(shù)不多的碳化硅襯底企業(yè),碳化硅對(duì)于功率和射頻的重要意義不言而喻。
?2016年,大陸收購(gòu)AIXTRON被否,然后中微半導(dǎo)體熱炒的原因,都是與第三代半導(dǎo)體有關(guān)。
?疫情以來(lái),紫外LED消毒技術(shù)也將氮化鎵推上一個(gè)風(fēng)口,可以看看中科院半導(dǎo)體所在山西的公司布局。
面上是大家看到的,面下是以碳化硅與氮化鎵為核心的第三代半導(dǎo)體的暗潮洶涌。在這一輪“新基建”的催化下,資本的嗅覺(jué)已經(jīng)開(kāi)始發(fā)動(dòng)。
“新基建”釋放新動(dòng)能 國(guó)產(chǎn)芯片趁勢(shì)崛起
2020年,國(guó)產(chǎn)替代還將會(huì)是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主線(xiàn),在國(guó)家政策的扶持下,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正在加速突圍,積極打造完整的芯片代工、封裝、測(cè)試以及配套設(shè)備和材料等產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展格局,實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵裝備、材料的全面國(guó)產(chǎn)化。
與此同時(shí),“新基建”的航行恰逢國(guó)產(chǎn)替代正成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的主線(xiàn),兩者交匯將會(huì)釋放新動(dòng)能。在“新基建”動(dòng)能的釋放下,芯片產(chǎn)業(yè)將迎發(fā)展“春天”,有望引導(dǎo)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪發(fā)展周期。
新基建大量新增的需求,諸多重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目將尋求經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型、數(shù)字化轉(zhuǎn)型、節(jié)能環(huán)保轉(zhuǎn)型,進(jìn)行顛覆式行業(yè)創(chuàng)新。這會(huì)為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展帶來(lái)新的機(jī)遇,特別是在國(guó)產(chǎn)替代方面也留足了充分的發(fā)展空間。同時(shí),通過(guò)參與新基建建設(shè),國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商也得以掌握核心技術(shù),進(jìn)入供應(yīng)鏈的核心環(huán)節(jié),加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。
目前,我國(guó)已有四條4/6英寸SiC生產(chǎn)/中試線(xiàn)和三條GaN生產(chǎn)/中試線(xiàn)相繼投入使用,并在建多個(gè)與第三代半導(dǎo)體相關(guān)的研發(fā)中試平臺(tái)。國(guó)產(chǎn)化的單晶襯底、外延片所占市場(chǎng)份額不斷擴(kuò)大,國(guó)產(chǎn)化的SiC二極管和MOSFET開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。
不過(guò),在頭部廠(chǎng)商取得成績(jī)的背后,我國(guó)整體實(shí)力和產(chǎn)業(yè)化能力的提升,還有待進(jìn)一步加強(qiáng)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)商在處理器、傳感器、微控制器、通信芯片和功率半導(dǎo)體等核心器件方面仍主要集中在中低端市場(chǎng),模擬芯片方面幾乎被國(guó)際巨頭壟斷,這是既須正視的現(xiàn)實(shí),也是努力的方向。
除了海思、紫光展銳、中星微這些資深玩家,造芯新勢(shì)力也在迅速崛起,甚至不乏阿里、百度、格力、比亞迪這樣的跨界選手。相信隨著國(guó)內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)巨頭進(jìn)軍芯片產(chǎn)業(yè),國(guó)產(chǎn)自研芯片熱潮已經(jīng)到來(lái),中國(guó)芯正在崛起。
綜合來(lái)看,擺脫國(guó)外依賴(lài),掌握核心技術(shù)已經(jīng)成為共識(shí),國(guó)產(chǎn)芯片的加速發(fā)展,使我國(guó)逐漸掌握半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心話(huà)語(yǔ)權(quán),然而在中高端領(lǐng)域的發(fā)力,才是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要角力點(diǎn),讓我們拭目以待。
“新基建”中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要注意的問(wèn)題
新基建領(lǐng)域涉及的半導(dǎo)體領(lǐng)域眾多,反映國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體業(yè)的重視,從立意上一定要攻克難關(guān),但目前困難仍然重重,主要是缺領(lǐng)軍人才和先進(jìn)制程技術(shù),包括前后道、設(shè)計(jì)及設(shè)備與材料,以及外部的一些阻力等。
目前,最大的問(wèn)題在于如何推進(jìn)市場(chǎng)化,這樣才能避免出現(xiàn)許多地方政府雷同的項(xiàng)目上馬,缺乏可行性分析,導(dǎo)致同質(zhì)化厲害,力量難以集中。如果能集中力量辦大事,將會(huì)取得更為扎實(shí)的進(jìn)步。
半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)是一個(gè)成熟行業(yè),屬于高資本長(zhǎng)周期,并要不斷地迭代,其實(shí)是很辛苦的行業(yè)。刺激性的政策最大的問(wèn)題就是它會(huì)促進(jìn)需求形成一個(gè)波峰,但在波峰之后就會(huì)迎來(lái)一個(gè)波谷,導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩,心態(tài)能否及時(shí)調(diào)整、風(fēng)險(xiǎn)能否擔(dān)當(dāng)都要加以考量。
雖然新基建的更新?lián)Q代將拉動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,但理想與現(xiàn)實(shí)總有“差距”:國(guó)內(nèi)具備創(chuàng)新性并實(shí)現(xiàn)盈利的IC設(shè)計(jì)公司仍然較少,晶圓制造和封測(cè)產(chǎn)能仍有較大的缺口,特別是在先進(jìn)工藝、先進(jìn)材料和關(guān)鍵產(chǎn)能等方面還較多依賴(lài)于國(guó)外。
在國(guó)產(chǎn)替代和新基建的背景下,還應(yīng)著力尋求技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)充和加強(qiáng)人才培養(yǎng)。同時(shí),防止結(jié)構(gòu)性產(chǎn)能過(guò)剩也要注重產(chǎn)品類(lèi)型的全面布局和長(zhǎng)期發(fā)展,避免扎堆于單一的短平快的中低端產(chǎn)品及市場(chǎng),造成惡性競(jìng)爭(zhēng)。
政府政策的驅(qū)動(dòng)難以是普惠型的,國(guó)家對(duì)新基建項(xiàng)目雖然都會(huì)加大投入力度,但如何投入還沒(méi)有細(xì)化。以往的基建基本上都以國(guó)有企業(yè)為主導(dǎo),效果也是立竿見(jiàn)影的。但新基建等行業(yè)上游涉及大量的民營(yíng)企業(yè),如何銜接還存在諸多障礙。只有充分發(fā)揮“新基建”對(duì)七大領(lǐng)域的政策落實(shí),才能讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正的站在風(fēng)口上,最后的結(jié)果才能事半功倍。
評(píng)論