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Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性,節(jié)省空間

—— 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120 V、150 V和200 V設(shè)備兼具肖特基和快速恢復(fù)二極管的最佳屬性
作者: 時間:2020-05-27 來源:EEPW 收藏

奈梅亨,2020年5月27日:半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202005/413628.htm

新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場為目標(biāo)市場,尤其適合高溫應(yīng)用,例如,LED照明、發(fā)動機(jī)控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴(kuò)展的安全工作區(qū)域,在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時,工程師也可以使用適用于高溫設(shè)計的快速恢復(fù)二極管,優(yōu)化設(shè)計以實現(xiàn)更高效率。SiGe整流器增大低正向電壓(Vf)和低Qrr,使傳導(dǎo)損耗降低10-20%。

PMEG SiGe設(shè)備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。封裝采用實心銅夾片,降低熱阻,優(yōu)化熱傳輸至周圍環(huán)境,使PCB更小、更緊湊。此外,使用SiGe技術(shù),能夠輕松實現(xiàn)肖特基和快速恢復(fù)二極管的引腳到引腳替換。

產(chǎn)品經(jīng)理Jan Fischer評論道:“使用的創(chuàng)新型鍺化硅技術(shù),讓工程師有更多選擇來設(shè)計電源電路,最終構(gòu)建引領(lǐng)市場的產(chǎn)品,這是之前從未有過的。SiGe是Nexperia功率二極管產(chǎn)品的完美補(bǔ)充,該產(chǎn)品采用夾片粘合FlatPower (CFP)封裝,包括100多個肖特基整流器和快速恢復(fù)整流器。此外,我們還將繼續(xù)擴(kuò)展產(chǎn)品組合,始終為客戶提供符合其應(yīng)用的產(chǎn)品?!?span style="text-align: center; text-indent: 0em;">

第一批4款符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120V SiGe整流器目前已進(jìn)入量產(chǎn)階段。更有8款150V和200V的產(chǎn)品現(xiàn)可提供樣片。



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