總投資200億元，名冠微電子項目主廠房建設(shè)啟動

近日，江西贛州經(jīng)開區(qū)舉行名冠微電子項目主廠房建設(shè)啟動儀式。

據(jù)贛州經(jīng)開區(qū)微新聞報道，名冠微電子（贛州）有限公司由贛州經(jīng)開區(qū)和名芯有限公司、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院合資設(shè)立，投資200億元，致力于成為一家開發(fā)、生產(chǎn)、銷售世界先進(jìn)水平功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的高科技企業(yè)。

2019年11月30日，名冠微電子（贛州）有限公司功率芯片項目正式簽約。根據(jù)此前的資料顯示，名冠微電子項目將分兩期建設(shè)，其中項目一期總投資60億元，建設(shè)一條8英寸0.09-0.11微米功率晶圓生產(chǎn)線，一期建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn)100萬片功率半導(dǎo)體晶圓；項目二期投資約140億元，規(guī)劃建設(shè)第三代6/8英寸晶圓制造生產(chǎn)線或12英寸硅基晶圓制造生產(chǎn)線。

項目涉及產(chǎn)品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領(lǐng)域全部類別中80%品種。項目建成后，將填補(bǔ)江西省半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線空白。2020年3月10日，名冠微電子功率芯片生產(chǎn)項目（一期）正式開工。