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高通驍龍875G/735G首曝:三星5nm工藝 明年見

作者: 時間:2020-07-16 來源:驅(qū)動之家 收藏

7月16日消息,@手機晶片達人分享了一份投行報告,這份報告曝光了未來的芯片產(chǎn)品規(guī)劃。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202007/415710.htm

如圖所示,將在2020年Q4商用662和460,2021年Q1商用875G和驍龍435G,2021年Q1到Q2之間商用驍龍735G。

其中驍龍875G是2021年主打的旗艦平臺,驍龍735G是高通2021年的中端平臺,二者都是5nm EUV工藝制程。

據(jù)報道,5nm EUV工藝性能提升10%,功耗降低20%。

至于驍龍875G,此前有消息稱高通會采用Cortex X1超大核心+Cortex A78大核心的組合。

報道稱高通自驍龍855開始就已經(jīng)在旗艦平臺上引入1+3+4三叢集架構(gòu),隨著ARM Cortex A78和Cortex X1核心架構(gòu)的登場,高通驍龍875G有可能會引入真正的超大核組合架構(gòu),也就是Cortex X1+Cortex A78。

ARM表示,Cortex X1核心架構(gòu)將提供比Cortex-A77高30%的最大效能,也較同時發(fā)表的Cortex-A78核心最大效能高23%,機器學(xué)習(xí)能力是Cortex-A78的兩倍。

一旦高通驍龍875G使用Cortex X1+Cortex A78的組合,它將會打破安卓陣營中處理器的性能紀(jì)錄。而且驍龍875G不再采外掛基帶的方式,而是真正將基帶芯片集成,其整體性能更令人期待。



關(guān)鍵詞: 高通 驍龍 三星

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