“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時代“

隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時代。

碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的發(fā)展前景。

國內(nèi)的碳化硅半導(dǎo)體企業(yè)如天科合達(dá)，山東天岳，瀚天天成，東莞天域以及中國電科55所，中車時代，楊杰科技等也在碳化硅半導(dǎo)體材料及器件制造方面持續(xù)的取得了一些進(jìn)展，全國范圍也陸續(xù)有相關(guān)的項目落地，前景可期。

然而目前，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的痛點還是在產(chǎn)業(yè)上游晶圓供應(yīng)不足，SiC材料成本偏高，設(shè)備主要依賴進(jìn)口，前期投入大等問題，這使得SiC器件目前的市場滲透率還是較低。碳化硅行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)安森美半導(dǎo)體表示：SiC晶圓生產(chǎn)工藝的改良是降低SiC功率器件成本的根本方法。

第五屆國際碳材料大會---碳化硅半導(dǎo)體論壇將針對新時代下碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)如何創(chuàng)新突破，晶圓制造工藝設(shè)備、產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，功率器件的設(shè)計與優(yōu)化等方向，邀請來自高校，企業(yè)，研究機構(gòu)的專家學(xué)者做相關(guān)報告，干貨滿滿，為碳化硅產(chǎn)業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的解決方案，解析碳化硅器件應(yīng)用方向及發(fā)展趨勢，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

還有產(chǎn)業(yè)博覽會，項目路演，海報展示，圓桌討論等同期活動，全方面實現(xiàn)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)學(xué)研結(jié)合，為產(chǎn)業(yè)鏈上下游反饋提供平臺。

時間：2020.11.17—11.20

地點：上海跨國采購會展中心

主辦單位：DT新材料

協(xié)辦單位：中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟

承辦單位： 寧波德泰中研信息科技有限公司

話題：1. 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新變局新形勢

          2. SiC半導(dǎo)體材料、器件市場

          3. 4寸、6寸 SiC晶圓國產(chǎn)化及更大尺寸襯底制備技術(shù)

          4. SiC單晶加工設(shè)備的研究和發(fā)展現(xiàn)狀

          5. SiC PVT長晶技術(shù)&HTCVD法的現(xiàn)狀和發(fā)展

          6. SiC外延片生長、生產(chǎn)方法

          7. 外延材料加工設(shè)備的自主研發(fā)進(jìn)程

          8. 先進(jìn)制造技術(shù)的研究進(jìn)展，eg: 光刻，薄膜沉積，離子注入等

          9. SiC MOSFET器件技術(shù)方面的最新研究進(jìn)展

          10. 碳化硅功率器件設(shè)計及集成技術(shù)

          11. 5G+碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用方向及趨勢

          12. 碳化硅在新能源汽車/太陽能光伏/軌道交通等領(lǐng)域應(yīng)用技術(shù)路線和發(fā)展前景