新基建所需的電力電源方案特點

5G基礎設施、數(shù)據(jù)中心、太陽能逆變器、電動汽車(EV)及其充電樁是一些高增長領域。 通常，客戶是要追求更高能效、更高集成度和更高可靠性的方案。  

為了推動更高能效和功率密度，采用寬禁帶(WBG)電源半導體器件是個上升趨勢。未來幾年，替代能源和新基礎設施市場將以70%的復合增長率(CARG)快速增長?；A設施包括光伏轉換器、充電樁、電池存儲以及風能和水能。此外，建筑越來越“智能”，所有建筑基礎設施都需要高能效方案來維持綠色碳足跡。 SiC和GaN是專門設計用于提高能效、降低材料使用量(物料單(BOM)器件）、減少寄生/磁性器件并最終降低能量轉換成本。SiC技術隨多代SiC MOSFET和SiC二極管而推進。GaN技術仍是新興技術，但GaN的產量仍然很小。

安森美半導體 中國區(qū)應用工程總監(jiān) 吳志民

正如許多研究機構所指出的那樣，從2019—2027年，WBG半導體的復合年增長率(CAGR)將超過20％。碳化硅(SiC)在許多大功率應用中越來越受歡迎，尤其是太陽能逆變器、車載充電器(OBC)等。安森美半導體為客戶提供各種方案，用于所有這些基礎設施。

安森美半導體 寬禁帶產品線經理 Brandon Becker

安森美半導體正擴展產品方案陣容，并計劃將從生產晶錠開始，將一切都垂直整合到內部生產。最近發(fā)布的許多電源適配器都使用氮化鎵(GaN)作為主電源開關; 當中有很多是使用安森美半導體的脈寬調制(PWM)控制器 NCP1342 ，主要原因是NCP1342 有很高頻的驅動能力。此外，安森美半導體還推出了專用的高壓半橋GaN驅動器 NCP51820 ，增強已經很豐富的驅動器陣容。

收購Fairchild之后，安森美半導體成為全球第2大功率半導體供應商。通過擴展功率模塊，安森美半導體一直在迅速發(fā)展，并已成為智能功率模塊(IPM)和功率集成模塊(PIM)的主要供應商。 1 500 V總線電壓正逐漸成為太陽能系統(tǒng)組串式逆變器的主流，安森美半導體將發(fā)布一系列升壓/逆變器PIM，使客戶能夠開發(fā)高達250 kW的太陽能逆變器。安森美半導體還推出了 NXH40B120MNQ 全SiC電源模塊系列，集成了1 200 V、40 mΩ SiC MOSFET和 1 200 V、40 A SiC二極管組成兩通道升壓模塊，體現(xiàn)出安森美半導體SiC成熟的技術。 SiC技術的使用提供所需的低反向恢復和快速開關特性，實現(xiàn)太陽能逆變器要求的高電源能效。

電機驅動系統(tǒng)隨工業(yè)自動化和機器人技術激增，這些系統(tǒng)要求在苛刻的工業(yè)環(huán)境中具有高能效和高可靠性。安森美半導體發(fā)布的 NXH25C120L2C2 、 NXH35C120L2C2 / 2C2E 和 NXH50C120L2C2E ，是25 A、35 A和50 A版本的 壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)，適用于1 200 V應用，提供轉換器-逆變器-制動(CIB)和轉換器-逆變器(CI)配置。新的模塊采用成熟的壓鑄模封裝，從而延長了溫度和功率的循環(huán)壽命。

隨著云計算的爆炸性增長，云服務為數(shù)據(jù)中心的增長提供了動力，而數(shù)據(jù)中心需要大量的服務器支撐其運作，從而為安森美半導體提供很多新的機會。 安森美半導體提供各種高效可靠的電源方案用于服務器。除了負載點和熱插拔方案之外，還提供基于英特爾(Intel)的VR13/13HC/14電源方案。

最后但同樣重要的是，安森美半導體位于美國東菲什基爾(East Fishkill)的300 mm晶圓廠已開始在全球制造設施的基礎上增加產能，這將確保客戶能夠獲得按時交貨的支持。

（本文來源于《電子產品世界》雜志2020年9月期）