TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
—— Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
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日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時，經(jīng)過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝相似導通電阻的器件減小65 %。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/202009/418674.htm日前發(fā)布的TrenchFET? 第四代功率MOSFET典型導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低20 %，FOM比上一代解決方案低17 %。這些指標降低了導通和開關損耗，從而節(jié)省能源。外形緊湊的靈活器件便于設計師取代相同導通損耗，但體積大的MOSFET，節(jié)省PCB空間，或尺寸相似但導通損耗高的MOSFET。
SiSS94DN適用于隔離式DC/DC拓撲結構原邊開關和同步整流，包括通信設備、計算機外設、消費電子； 筆記本電腦、LED電視、車輛船舶LED背光；以及GPS、工廠自動化和工業(yè)應用電機驅(qū)動控制、負載切換和功率轉換。
器件經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
SiSS94DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。
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