意法半導(dǎo)體推出世界首款驅(qū)動(dòng)與GaN集成產(chǎn)品開創(chuàng)更小、更快充電器電源時(shí)代

橫跨多重 電子應(yīng)用 領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST) 近日推出世界首個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片和一對氮化鎵(GaN)晶體管的 MasterGaN^? 產(chǎn)品平臺，這個(gè)集成化解決方案將有助于加快下一代400W以下輕便節(jié)能的用于消費(fèi)電子和工業(yè)充電器和電源適配器的開發(fā)速度。

※   世界首個(gè)單封裝集成硅基驅(qū)動(dòng)芯片和GaN功率晶體管的解決方案

※   比硅基充電器和適配器尺寸縮小80%，減重70%，充電速度提高2倍

 GaN技術(shù) 使電子設(shè)備能夠處理更大功率，同時(shí)設(shè)備本身變得更小、更輕、更節(jié)能，這些改進(jìn)將會改變用于智能手機(jī)的超快充電器和 無線充電器 、用于PC和游戲機(jī)的USB-PD緊湊型適配器，以及太陽能儲電系統(tǒng)、不間斷電源或高端OLED電視機(jī)和云服務(wù)器等工業(yè)應(yīng)用。

在當(dāng)今的GaN市場上，通常采用分立 功率晶體管 和驅(qū)動(dòng)IC的方案，這要求設(shè)計(jì)人員必須學(xué)習(xí)如何讓它們協(xié)同工作，實(shí)現(xiàn)最佳性能。意法半導(dǎo)體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰(zhàn)，縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并能獲得預(yù)期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡單，電路組件更少，系統(tǒng)可靠性更高。憑借GaN技術(shù)和意法半導(dǎo)體集成產(chǎn)品的優(yōu)勢，采用新產(chǎn)品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80％，減重70％。

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁、模擬產(chǎn)品分部總經(jīng)理Matteo Lo Presti表示：“ST獨(dú)有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗(yàn)的專業(yè)知識和設(shè)計(jì)能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的環(huán)境友好型產(chǎn)品的開發(fā)?！?/p>

MasterGaN1是意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品平臺的首款產(chǎn)品，集成兩個(gè)半橋配置的GaN功率晶體管和高低邊驅(qū)動(dòng)芯片。

MasterGaN1現(xiàn)已量產(chǎn)，采用9mm x 9mm GQFN封裝，厚度只有1mm。

意法半導(dǎo)體還提供一個(gè)產(chǎn)品評估板，幫助客戶快速啟動(dòng)電源產(chǎn)品項(xiàng)目。

技術(shù)細(xì)節(jié):

MasterGaN平臺借用意法半導(dǎo)體的STDRIVE 600V柵極驅(qū)動(dòng)芯片和GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封裝保證高功率密度，為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，高低壓焊盤間的爬電距離大于2mm。

該產(chǎn)品系列有多種不同RDS(ON) 的GaN晶體管，并以引腳兼容的半橋產(chǎn)品形式供貨，方便工程師成功升級現(xiàn)有系統(tǒng)，并盡可能少地更改硬件。在高端的高能效拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，例如，帶有源鉗位的反激或正激式變換器、諧振變換器，無橋圖騰柱PFC（功率因數(shù)校正器），以及在 AC/DC 和 DC/DC變換器 和DC/AC逆變器中使用的其它軟開關(guān)和硬開關(guān)拓?fù)?，GaN晶體管的低導(dǎo)通損耗和無體二極管恢復(fù)兩大特性，使產(chǎn)品可以提供卓越的能效和更高的整體性能。

MasterGaN1有兩個(gè)時(shí)序參數(shù)精確匹配的常關(guān)晶體管，最大額定電流為10A，導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 為150mΩ。邏輯輸入引腳兼容3.3V至15V的信號，還配備全面的保護(hù)功能，包括高低邊UVLO欠壓保護(hù)、互鎖功能、關(guān)閉專用引腳和過熱保護(hù)。