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基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計(jì)

作者:施三保,陳 銳 (英飛凌科技(中國(guó))有限公司,深圳 518000) 時(shí)間:2021-02-23 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(chǎng)(如電飯煲,油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,減小系統(tǒng)尺寸,降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來(lái)越多客戶(hù)的需求。本文設(shè)計(jì)了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺(tái)。搭載了英飛凌自帶保護(hù)IPD Protect,XMC單片機(jī)和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓?fù)洳捎脝味瞬⒙?lián)諧振電路,最大輸出功率2.1 kW,實(shí)現(xiàn)了IPD Protect的快速過(guò)流保護(hù),過(guò)壓保護(hù),過(guò)溫報(bào)警和保護(hù),輸入電壓欠壓保護(hù)和低靜態(tài)電流等功能,其中IPD protect過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)點(diǎn)可以根據(jù)系統(tǒng)要求來(lái)調(diào)節(jié)。同時(shí),


本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202102/422893.htm

0   引言

因加熱時(shí)間快,無(wú)明火,功率大,電能熱能轉(zhuǎn)換效率高和系統(tǒng)成本低等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在家電市場(chǎng)大規(guī)模普遍應(yīng)用。但制造商和最終用戶(hù)仍然對(duì)提出了越來(lái)越多的要求,如減小系統(tǒng)尺寸和重量,降低系統(tǒng)成本和降低失效率及返修率等。由于在快速加熱和大功率環(huán)境工作,對(duì)功率器件造成很大的應(yīng)力沖擊,引起相當(dāng)比率的市場(chǎng)失效,制造商需要花費(fèi)大的成本來(lái)做售后維護(hù),同時(shí)也影響了品牌口碑。另外,激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致更加嚴(yán)格的成本要求,設(shè)計(jì)者往往為了降低BOM 成本會(huì)忽視甚至去掉極限情況下 的保護(hù)功能。同時(shí)系統(tǒng)的一些報(bào)警功能可以提醒用戶(hù)較少持續(xù)惡劣工況下運(yùn)行,也可以做到降低系統(tǒng)的失效率。

因此,設(shè)計(jì)一種大功率,高可靠性,高集成的感應(yīng)加熱系統(tǒng)就很有必要。本文介紹了一款2.1 kW 感應(yīng)加熱評(píng)估板,來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的各種需求,同時(shí),自帶完善的保護(hù)功能,以及經(jīng)過(guò)優(yōu)化的PCB 設(shè)計(jì)可以給設(shè)計(jì)者提供參考。

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圖1 器件圖片和內(nèi)部功能框圖

1   自帶保護(hù)功能? IPD Protect器件介紹

針對(duì)感應(yīng)加熱市場(chǎng)應(yīng)用,英飛凌推出了一款新穎F系列? IPD (Integrated Power Device),也稱(chēng)作“”,TO-247-6 引腳封裝的器件EWS20R5135IPB 集成了1350 V 20 A 的RCH5 和獨(dú)立自帶保護(hù)的驅(qū)動(dòng)器,集成的體內(nèi)二極管可以實(shí)現(xiàn)軟換流[1]。

器件封裝TO247-6 實(shí)現(xiàn)集電極和發(fā)射極飛行距離3 mm,爬電距離5.7 mm 和7.5 mm[4]。VDET 引腳檢測(cè)電壓VCEshi 實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù) [3];CS 引腳檢測(cè)流過(guò)IPDProtect 的電流實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù):INN 引腳實(shí)現(xiàn)過(guò)溫報(bào)警和保護(hù);VCC 引腳實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)。

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2   感應(yīng)加熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)

2.1   感應(yīng)加熱原理介紹

1831 年8 月,英國(guó)物理學(xué)家法拉第發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)現(xiàn)象,電磁感應(yīng)加熱的原理就是感應(yīng)加熱電源產(chǎn)生的交變電流通過(guò)感應(yīng)器(即線圈)產(chǎn)生交變磁場(chǎng),導(dǎo)磁性物體置于其中切割交變磁力線,從而在物體內(nèi)部產(chǎn)生交變的電流(即渦流),渦流使物體內(nèi)部的原子高速無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng),原子互相碰撞、摩擦而產(chǎn)生熱能,從而起到加熱物品的效果。將電能轉(zhuǎn)化為磁能,使被加熱鋼體感應(yīng)到磁能而發(fā)熱的一種加熱方式,這種方式從根本上解決了電熱片,電熱圈等電阻式通過(guò)熱傳導(dǎo)方式加熱的效率低下問(wèn)題。

2.2 系統(tǒng)整體介紹

感應(yīng)加熱應(yīng)用一般采用單端并聯(lián)諧振拓?fù)?singleended parallel-resonant-SEPR),這種拓?fù)浼軜?gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,可實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,同時(shí)可降低EMI。然而這種電

路拓?fù)湟灿幸恍┤毕?,如工作在諧振狀態(tài)下,輸入電壓經(jīng)過(guò)諧振后放大,電壓應(yīng)力加在IGBT 上,不可控的高壓很容易造成IGBT 的過(guò)壓失效。同時(shí),諧振模式下的電流尖峰,也非常容易引起IGBT 的過(guò)流損壞。

系統(tǒng)整體框圖如圖2 所示,220 V 交流電壓經(jīng)濾波整流后,通過(guò)諧振電容,大線盤(pán),IPD Protect 等進(jìn)行高頻諧振。輔助電源輸出18 V 給IPD Protect,5 V給單片機(jī)。單片機(jī)通過(guò)檢測(cè)輸入電壓,諧振電壓和輸出電壓進(jìn)行閉環(huán)控制,同時(shí)也檢測(cè)保護(hù)信號(hào)。按鍵和LED 顯示等人機(jī)交互界面用來(lái)控制和監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)。PCB 板實(shí)物照片如圖3。

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3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)和測(cè)試結(jié)果

3.1 正常滿(mǎn)載工作狀態(tài)

設(shè)置系統(tǒng)輸出滿(mǎn)載功率2.1 kW 運(yùn)行時(shí),測(cè)試IPD Protect 器件的波形如圖4 所示,VCE 尖峰電壓1 036 V,ICE 尖峰電流50 A,INN 高低電平分別為2.5 V 和0 V??梢钥闯?,功率器件一直工作在軟開(kāi)關(guān)狀態(tài)中,INN 上升沿到VCE 電壓上升延時(shí)時(shí)間為1.8 μs。

3.2   過(guò)壓保護(hù)電路

如圖5 所示,IPD Protect的VCE 電壓通過(guò)分壓電阻后連接到VDET 腳,與內(nèi)部設(shè)定的過(guò)壓觸發(fā)電壓門(mén)限比較,當(dāng)達(dá)到VDET+1 時(shí), 過(guò)壓保護(hù)功能觸發(fā),VCE 被鉗位到VClamp1,當(dāng)達(dá)到VDET+2 時(shí),內(nèi)部閉環(huán)啟動(dòng),VE 被恒定鉗位在VClamp2, 如果故障排除后,VCE 下降到VRST 時(shí),退出過(guò)壓保護(hù)模式。

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其中,VClamp1 是設(shè)計(jì)期望的IPD Protect VCE 鉗位電壓,VDET+1 是內(nèi)部的過(guò)壓觸發(fā)門(mén)限電壓。VDET+2=4.36 V 和VRST-=1.37 V 代入,可得VClamp2=673.1 V,VRST=211.5 V

3.3   過(guò)流保護(hù)電路

如圖6 所示, 流過(guò)IPD Protect 內(nèi)部IGBT 發(fā)射極的電流經(jīng)過(guò)采樣電阻R8 后,通過(guò)電阻R27 和RCS 分壓后, 連接到IPD Protect 的CS 腳, 與內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓VCETH- 進(jìn)行比較,如果大于VCETH-,過(guò)流保護(hù)功能將被觸發(fā)。

IPD Protect 的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)計(jì)算公式如下所示,經(jīng)過(guò)計(jì)算可得,IPD Protect 在系統(tǒng)中的ICE 過(guò)流保護(hù)點(diǎn)為68 A。

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3.4   過(guò)溫保護(hù)電路

IPD Protect 內(nèi)部自帶過(guò)溫保護(hù)功能,當(dāng)芯片內(nèi)部結(jié)溫達(dá)到結(jié)溫報(bào)警點(diǎn)TvjTW 時(shí)( 典型值75 ℃ ),INN PWM 電壓會(huì)從2.5 V 抬高到4 V,這樣單片機(jī)就可以檢測(cè)到這個(gè)抬高的報(bào)警信號(hào),可以做一些降額處理。當(dāng)芯片結(jié)溫繼續(xù)上升,達(dá)到結(jié)溫保護(hù)關(guān)斷點(diǎn)TvjSD時(shí)( 典型值150 ℃ ),IPD Protect 的驅(qū)動(dòng)就會(huì)被拉低,系統(tǒng)關(guān)機(jī),當(dāng)溫度下降到75 ℃以下時(shí),系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)重啟。

3.5   輸入電壓跌落試驗(yàn)

當(dāng)輸入電壓突變時(shí),諧振電流突然增大可能導(dǎo)致功率器件失效。測(cè)試條件為,在滿(mǎn)載2.1 kW 工作時(shí),輸入電壓從312 V 跌落到56 V,持續(xù)200 μs,查看系統(tǒng)是否異常。測(cè)試波形如圖7 所示,當(dāng)輸入電壓突然上升時(shí),母線電壓過(guò)沖會(huì)導(dǎo)致功率器件IPD Protect 電壓VCE 和電流ICE 迅速上升,可能導(dǎo)致器件失效。由于IPD Protect 內(nèi)部集成良好的電流限制功能,從而可以限制器件電壓的上升,保護(hù)IPD Protect 不損壞。

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3.6   運(yùn)行時(shí)移鍋測(cè)試

系統(tǒng)運(yùn)行時(shí),突然移動(dòng)被加熱的鍋,會(huì)造成系統(tǒng)負(fù)載的突變,會(huì)對(duì)持續(xù)諧振工作狀態(tài)下系統(tǒng)的穩(wěn)定性和器件的應(yīng)力造成沖擊。實(shí)際測(cè)試中波形很穩(wěn)定平滑,也沒(méi)有出現(xiàn)IPD Protect 器件的電流電壓應(yīng)力問(wèn)題。

3.7   PCB布板和整體設(shè)計(jì)建議

1)   外圍旁路電路靠近器件放置

由于IPD Protect 內(nèi)部集成了很多模擬和功率電路,芯片對(duì)于引腳采集的信號(hào)十分敏感,為了保證芯片功能不被干擾,芯片外圍的電路需要盡量靠近芯片放置。

如芯片+18 V 供電電壓的旁路電容需要靠近VCC 腳,VCE 電壓采樣電路的濾波電容需要靠近VDET 腳,ICE 電流采樣的RC 濾波電路需要靠近CS 腳等。

2)   LC 濾波回路和諧振回路盡量短單端并聯(lián)諧振電路拓?fù)湟恢惫ぷ髟谥C振模式,所以功率回路一定要盡量短,避免一些寄生參數(shù)造成工作不穩(wěn)定。工作在諧振模式下的電感,IPD Protect,諧振電容和母線電容,需要盡量靠近放置[2]。

3)   安規(guī)距離

由于系統(tǒng)存在高壓危險(xiǎn)電壓信號(hào),同時(shí)又有一些人機(jī)交互的單片機(jī)數(shù)字電路,所以在布局的時(shí)候一定要考慮高壓電路的安規(guī)距離。

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圖5 過(guò)壓保護(hù)電路和VCE波形

4) 散熱設(shè)計(jì)

盡管IPD Protect 內(nèi)部集成了過(guò)溫報(bào)警和關(guān)閉功能,但是由于過(guò)溫保護(hù)點(diǎn)的精度和過(guò)溫保護(hù)的響應(yīng)時(shí)間問(wèn)題,同時(shí)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)諧振狀態(tài)會(huì)引起大的結(jié)溫波動(dòng),所以系統(tǒng)設(shè)計(jì)的時(shí)候還是需要良好的散熱,比如使用足夠風(fēng)量的風(fēng)扇進(jìn)行強(qiáng)制散熱,IPD Protect 器件與散熱器之間緊密的接觸等。

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圖6 過(guò)流保護(hù)電路和ICE波形

4   結(jié)語(yǔ)

本文針對(duì)感應(yīng)加熱產(chǎn)品的一些技術(shù)問(wèn)題和客戶(hù)痛點(diǎn),設(shè)計(jì)了一款新穎的2.1 kW 感應(yīng)加熱系統(tǒng),采用英飛凌高集成度的IPD Protect 功率器件,大大提高了系統(tǒng)的集成度和可靠性,同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)的難度,在市場(chǎng)的應(yīng)用將具有很大的吸引力和前景。

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參考文獻(xiàn):

[1] 英飛凌.IEWS20R5135IPB數(shù)據(jù)手冊(cè)[Z].v2.3.2020.

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[3] 英飛凌.Trenchstop feature IGBT Protected series for induction heating[Z].v01.2020.

[4] 英飛凌.AN2018-34 IPD Protect-features,description and design tips[Z]. V1.3.2020.


作者簡(jiǎn)介:施三保(1980—),男,高級(jí)主任工程師,碩士,從事功率半導(dǎo)體系統(tǒng)研發(fā)方案設(shè)計(jì)。郵箱:15769903@qq.com。

(本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志社2021年2月期)



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