X-FAB增強(qiáng)其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車(chē)用嵌入式閃存產(chǎn)品

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)與光電半導(dǎo)體解決方案晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，已為其XP018高壓（HV）車(chē)用產(chǎn)品工藝推出全新閃存功能。這款新的閃存IP利用X-FAB得到廣泛驗(yàn)證的氮化硅氧化物（SONOS）技術(shù)——該技術(shù)具備更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合嚴(yán)格的AEC100-Grade 0汽車(chē)規(guī)范，可承受在-40°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作，并完全支持ISO 26262規(guī)定的功能安全級(jí)別。其陣列大小為32KB，采用8K×39位配置，帶有32位數(shù)據(jù)總線(xiàn)；另外7位專(zhuān)用于錯(cuò)誤代碼校正（ECC），以確保零缺陷的現(xiàn)場(chǎng)可靠性。

X-FAB專(zhuān)有的XSTI嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）IP測(cè)試接口也已包括在內(nèi)，以達(dá)成對(duì)存儲(chǔ)器的完全串行接駁。

該款汽車(chē)級(jí)閃存IP能夠運(yùn)行于單個(gè)1.8V電源，非常適用于低功耗設(shè)計(jì)。新增的內(nèi)置自檢（BIST）模塊對(duì)于實(shí)現(xiàn)有效的存儲(chǔ)器測(cè)試以及全面的產(chǎn)品調(diào)試至關(guān)重要。如需要，X-FAB還可以為客戶(hù)帶來(lái)完整的NVM測(cè)試服務(wù)。

“這一全新IP解決方案進(jìn)一步豐富了X-FAB針對(duì)180nm開(kāi)放技術(shù)平臺(tái)的嵌入式閃存產(chǎn)品組合；該平臺(tái)具有多種電壓與晶圓材料可供選擇，擴(kuò)大了我們向市場(chǎng)提供的產(chǎn)品陣容，使我們能夠滿(mǎn)足客戶(hù)在更多應(yīng)用中的需求。”X-FAB公司NVM開(kāi)發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch表示，“在低功耗和需要適應(yīng)挑戰(zhàn)性環(huán)境的情況下，它將具有特殊的價(jià)值?！?/p>

“在現(xiàn)有X-FAB平臺(tái)上增加的全新嵌入式閃存功能，將實(shí)現(xiàn)更小的面積占比，從而為我們的客戶(hù)帶來(lái)更明顯的收益。此外，XP018的模塊化方法意味著其僅需要更少的掩膜層。這兩個(gè)因素都將有助于推動(dòng)晶片成本的顯著優(yōu)化?！盭-FAB公司NVM解決方案技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Nando Basile補(bǔ)充道，“全新閃存IP意味著XP018現(xiàn)在能夠以高度經(jīng)濟(jì)高效的方式應(yīng)對(duì)需要額外邏輯內(nèi)容和計(jì)算資源的混合信號(hào)及高壓等應(yīng)用。這將特別適用于電池供電的設(shè)備，如便攜式或自主智能傳感器；并在醫(yī)療保健、工業(yè)、消費(fèi)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮巨大潛力?！?/p>

縮略語(yǔ)：

BIST   內(nèi)置自檢

ECC   錯(cuò)誤代碼校正

HV   高壓

IP   知識(shí)產(chǎn)權(quán)

NVM   非易失性存儲(chǔ)器

SONOS   氮化硅氧化物