X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術產品組合中的車用嵌入式閃存產品

全球公認的卓越的模擬/混合信號與光電半導體解決方案晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，已為其XP018高壓（HV）車用產品工藝推出全新閃存功能。這款新的閃存IP利用X-FAB得到廣泛驗證的氮化硅氧化物（SONOS）技術——該技術具備更高的性能水平和一流的可靠性，完全符合嚴格的AEC100-Grade 0汽車規(guī)范，可承受在-40°C至175°C的溫度范圍內工作，并完全支持ISO 26262規(guī)定的功能安全級別。其陣列大小為32KB，采用8K×39位配置，帶有32位數(shù)據(jù)總線；另外7位專用于錯誤代碼校正（ECC），以確保零缺陷的現(xiàn)場可靠性。

X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲器（NVM）IP測試接口也已包括在內，以達成對存儲器的完全串行接駁。

該款汽車級閃存IP能夠運行于單個1.8V電源，非常適用于低功耗設計。新增的內置自檢（BIST）模塊對于實現(xiàn)有效的存儲器測試以及全面的產品調試至關重要。如需要，X-FAB還可以為客戶帶來完整的NVM測試服務。

“這一全新IP解決方案進一步豐富了X-FAB針對180nm開放技術平臺的嵌入式閃存產品組合；該平臺具有多種電壓與晶圓材料可供選擇，擴大了我們向市場提供的產品陣容，使我們能夠滿足客戶在更多應用中的需求?！盭-FAB公司NVM開發(fā)總監(jiān)Thomas Ramsch表示，“在低功耗和需要適應挑戰(zhàn)性環(huán)境的情況下，它將具有特殊的價值?！?/p>

“在現(xiàn)有X-FAB平臺上增加的全新嵌入式閃存功能，將實現(xiàn)更小的面積占比，從而為我們的客戶帶來更明顯的收益。此外，XP018的模塊化方法意味著其僅需要更少的掩膜層。這兩個因素都將有助于推動晶片成本的顯著優(yōu)化?！盭-FAB公司NVM解決方案技術營銷經理Nando Basile補充道，“全新閃存IP意味著XP018現(xiàn)在能夠以高度經濟高效的方式應對需要額外邏輯內容和計算資源的混合信號及高壓等應用。這將特別適用于電池供電的設備，如便攜式或自主智能傳感器；并在醫(yī)療保健、工業(yè)、消費和物聯(lián)網(wǎng)領域發(fā)揮巨大潛力?！?/p>

縮略語：

BIST   內置自檢

ECC   錯誤代碼校正

HV   高壓

IP   知識產權

NVM   非易失性存儲器

SONOS   氮化硅氧化物