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使用實(shí)時(shí) MCU 順應(yīng)服務(wù)器電源的設(shè)計(jì)趨勢(shì)

作者: 時(shí)間:2021-12-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

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本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202112/430271.htm

  隨著服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心在全球范圍內(nèi)的應(yīng)用日益廣泛,對(duì)穩(wěn)定高效電源的需求越來越強(qiáng)烈,以應(yīng)對(duì)不斷增加的功耗。用電量一直快速增長,因此需要更多的集成中央處理單元、圖形處理單元和加速器來提高服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的計(jì)算速度。應(yīng)用效益的提高催生了電源裝置(PSU)的發(fā)展,以提供高能效、快速瞬態(tài)響應(yīng)、高功率密度和更大的電源容量。

高能效

  具有高能效的服務(wù)器PSU可通過減少功耗和更大程度提高電源到負(fù)載間的功率傳輸效率,降低運(yùn)營數(shù)據(jù)中心的成本及其對(duì)環(huán)境的影響。這種能力使數(shù)據(jù)中心能夠滿足日益嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)(例如80 Plus),在各種負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高于平均水平的鈦金級(jí)能效,并向環(huán)境排放更少的二氧化碳。

快速瞬態(tài)響應(yīng)

  在應(yīng)用中,具有快速瞬態(tài)響應(yīng)有助于在不斷變化的負(fù)載和輸入瞬態(tài)情況下,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)運(yùn)行。此外,系統(tǒng)需要滿足原始設(shè)備制造商更嚴(yán)格的瞬態(tài)響應(yīng)規(guī)格:在2.5A/μS至5A/μS之間實(shí)現(xiàn)80%至100%的負(fù)載跳躍。圖1說明了這些參數(shù)。

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圖1:瞬態(tài)響應(yīng)參數(shù)

更高的功率密度和更大的電源容量

  服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的功耗不斷增長,因此需要更大的電源容量。通過在更小的空間內(nèi)提供更大的電源容量,氮化鎵(GaN)等電源技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更小巧的電源。為了在電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高功率密度和縮減整個(gè)系統(tǒng)的物料清單,使用實(shí)時(shí)微控制器()控制高開關(guān)頻率至關(guān)重要。

攻克服務(wù)器PSU的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

  為了實(shí)現(xiàn)上述優(yōu)勢(shì),服務(wù)器PSU制造商面臨幾項(xiàng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),例如

  ?實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電源拓?fù)?,例如圖騰柱無橋功率因數(shù)校正和控制算法,包括零電壓開關(guān)、零電流開關(guān)、同步整流時(shí)序和具有混合遲滯控制的電感-電感-電容諧振直流/直流轉(zhuǎn)換。

  ?啟用實(shí)時(shí)控制性能,加快控制回路的執(zhí)行。

  ?在采用GaN和碳化硅(SiC)等寬帶隙功率器件時(shí)減少功耗,同時(shí)保持更高的開關(guān)頻率。

  為了滿足服務(wù)器PSU系統(tǒng)對(duì)電源效率和功率密度不斷增長的要求,實(shí)時(shí)需具有幾個(gè)關(guān)鍵特性,例如低延遲信號(hào)鏈、高脈寬調(diào)制(PWM)靈活性和分辨率、高控制環(huán)路速度和高開關(guān)頻率。圖2顯示了一個(gè)示例PSU框圖。

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圖2:具有交流/直流和直流/直流級(jí)的典型雙控制器架構(gòu)

  TMS320F280039C C2000?實(shí)時(shí)提供上述所有特性,還可幫助滿足或減少服務(wù)器PSU的設(shè)計(jì)預(yù)算。它們將繼續(xù)通過靈活和創(chuàng)新的功能改進(jìn)集成的實(shí)時(shí)信號(hào)鏈(感應(yīng)、處理和控制)。圖3顯示了F28003x系列。

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圖3:F28003x MCU擴(kuò)展了C2000實(shí)時(shí)MCU產(chǎn)品組合

高精度檢測

  F280039C MCU通過其集成式模擬元件(包括多個(gè)可靈活管理轉(zhuǎn)換啟動(dòng)、具有11個(gè)有效位數(shù)和一個(gè)后處理塊的4MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器),實(shí)現(xiàn)了服務(wù)器PSU的高能效和快速瞬態(tài)響應(yīng)。MCU還集成了具有優(yōu)化電源控制功能的快速模擬比較器,例如消隱、延遲跳閘、峰值電流模式控制和斜率補(bǔ)償,可實(shí)現(xiàn)精確的功率轉(zhuǎn)換。

高性能處理

  F280039C基于32位數(shù)字信號(hào)處理器架構(gòu)并結(jié)合了控制律加速器,可提供超過240MIPS的實(shí)時(shí)性能,具有浮點(diǎn)單元和三角函數(shù)加速器等特性,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和高瞬態(tài)響應(yīng),能夠處理復(fù)雜的時(shí)間關(guān)鍵型計(jì)算。

靈活的高分辨率控制

  在大功率服務(wù)器PSU系統(tǒng)中,即使在高頻下,實(shí)現(xiàn)更大的電源容量并保持相位間同步也至關(guān)重要。F280039C提供150ps分辨率的PWM通道,具有谷底開關(guān)、延遲跳閘、死區(qū)時(shí)間調(diào)整和全局重新加載等功能,可以精確控制復(fù)雜的電源拓?fù)浜涂刂扑惴?。集成的可配置邏輯塊進(jìn)一步增強(qiáng)了PWM的靈活性,并無縫銜接GaN技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高功率密度。

C2000實(shí)時(shí)MCU在服務(wù)器PSU系統(tǒng)中的其他優(yōu)勢(shì)

  除了電源管理和快速實(shí)時(shí)控制的趨勢(shì)外,F(xiàn)280039C MCU還可以滿足服務(wù)器PSU的幾項(xiàng)其他熱點(diǎn)要求:

  ?實(shí)時(shí)固件更新可以在不中斷電源的情況下無縫切換到新固件,并通過具有多個(gè)閃存選項(xiàng)的多組型號(hào)和更快的閃存組擦除時(shí)間,更大限度降低軟件開銷。

  ?通信接口從PMBus轉(zhuǎn)到控制器局域網(wǎng)(CAN)總線(以及可能的CAN-FD),可實(shí)現(xiàn)更快速度、更高數(shù)據(jù)速率和可靠的主機(jī)通信。

  ?通過加密功能(例如高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)、安全啟動(dòng)和安全聯(lián)合測試行動(dòng)組)實(shí)現(xiàn)安全性,可在這個(gè)更加互聯(lián)的世界中保護(hù)代碼和數(shù)據(jù)免受外部攻擊,解決業(yè)界擔(dān)憂。

結(jié)語

  F280039C MCU在C2000 MCU平臺(tái)上進(jìn)行了擴(kuò)展,提供集成功能,可幫助您實(shí)現(xiàn)高級(jí)實(shí)時(shí)控制,同時(shí)降低物料清單成本。F28003x MCU系列通過解鎖GAN和SiC等寬帶隙技術(shù)的全部潛力,實(shí)現(xiàn)了更高能效、更高功率密度以及更快響應(yīng)時(shí)間,與這些技術(shù)相得益彰。簡便易用的軟件可加快服務(wù)器PSU設(shè)計(jì)人員的開發(fā)速度。

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  德州儀器()(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)是一家全球性的半導(dǎo)體公司,致力于設(shè)計(jì)、制造、測試和銷售模擬和嵌入式處理芯片,用于工業(yè)、汽車、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場。我們致力于通過半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實(shí)用,創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界。如今,每一代創(chuàng)新都建立在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)之上,使我們的技術(shù)變得更小巧、更快速、更可靠、更實(shí)惠,從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,這就是工程的進(jìn)步。這正是我們數(shù)十年來乃至現(xiàn)在一直在做的事。欲了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問公司網(wǎng)站http://www.ti.com.cn/。



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