東芝新型IC芯片再創(chuàng)佳績(jī)，可大幅提升可穿戴設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備續(xù)航能力
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出TCK12xBG系列負(fù)載開(kāi)關(guān)IC，可支持極低的靜態(tài)電流[1]以及1A的額定輸出電流。該系列IC采用緊湊型WCSP4G封裝，可支持產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)創(chuàng)新功耗更低、電池續(xù)航能力更強(qiáng)的新一代可穿戴設(shè)備與IOT設(shè)備。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202201/430907.htmTCK12xBG系列采用新型驅(qū)動(dòng)電路，具有0.08nA的典型導(dǎo)通靜態(tài)電流。與東芝當(dāng)前產(chǎn)品TCK107AG相比，新系列產(chǎn)品的靜態(tài)電流降低大約99.9%，實(shí)現(xiàn)了極大的能效提升，因此由小型電池供電的可穿戴設(shè)備和IOT設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間將得到顯著提升。
WCSP4G是專為該產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的一種新型封裝，比TCK107AG小34%左右，僅為0.645mm×0.645mm，便于小型電路板安裝。器件特有的背面涂層設(shè)計(jì)用于支持便捷安裝，即便是如此微小的芯片也無(wú)需擔(dān)心在安裝過(guò)程中造成芯片損傷。
東芝計(jì)劃推出三款該系列IC：高電平有效時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK127BG；高電平有效時(shí)不啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK126BG；以及低電平有效時(shí)啟動(dòng)自動(dòng)放電的TCK128BG。該系列器件為產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員和設(shè)計(jì)人員提供了根據(jù)設(shè)計(jì)要求自由選擇最佳負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的可能。
東芝將持續(xù)不斷地改進(jìn)低靜態(tài)電流技術(shù)產(chǎn)品，推進(jìn)設(shè)備小型化和降低功耗，并為可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)做出貢獻(xiàn)。
■ 應(yīng)用：
- 可穿戴設(shè)備、IOT設(shè)備、智能手機(jī)（傳感器電源開(kāi)關(guān)等）
- 替代由MOSFET、晶體管等分立半導(dǎo)體器件構(gòu)成的負(fù)載開(kāi)關(guān)電路
■ 特性：
- 超低靜態(tài)電流（導(dǎo)通狀態(tài)）：IQ＝0.08nA（典型值）
- 低待機(jī)電流（關(guān)斷狀態(tài)）：IQ(OFF)＋I(xiàn)SD(OFF)＝13nA（典型值）
- 緊湊型WCSP4G封裝：0.645mm×0.645mm（典型值），厚度：0.465mm（最大值）
- 背面涂層可減少電路板安裝過(guò)程中的損傷
■ 主要規(guī)格：
（除非另有說(shuō)明，@Ta＝25℃）
器件型號(hào) | TCK126BG | TCK127BG | TCK128BG | ||
封裝 | 名稱 | WCSP4G | |||
尺寸典型值（mm） | 0.645×0.645 厚度：0.465（最大值） | ||||
絕對(duì)最大額定值 | 輸入電壓VIN（V） | －0.3～6.0 | |||
控制電壓VCT（V） | －0.3～6.0 | ||||
輸出電流IOUT（A） | 直流 | 1.0 | |||
脈沖 | 2.0 | ||||
功耗PD（W） | 1.0 | ||||
工作范圍 （@Ta_opr＝ -40℃至85℃） | 輸入電壓VIN（V） | 1.0～5.5 | |||
輸出電流IOUT最大值（A） | 1.0 | ||||
電氣特性 | 靜態(tài)電流（導(dǎo)通狀態(tài)） IQ典型值（nA） | @VIN＝5.5V | 0.08 | ||
待機(jī)電流（關(guān)斷狀態(tài)） IQ(OFF)＋I(xiàn)SD(OFF) 典型值（nA） | @VIN＝5.5V | 13 | |||
導(dǎo)通電阻RON典型值（mΩ） | @VIN＝5.0V， IOUT＝-0.5A | 46 | |||
@VIN＝3.3V， IOUT＝-0.5A | 58 | ||||
@VIN＝1.8V， IOUT＝-0.5A | 106 | ||||
@VIN＝1.2V， IOUT＝-0.2A | 210 | ||||
@VIN＝1.0V， IOUT＝-0.05A | 343 | ||||
交流特性 | VOUT上升時(shí)間tr 典型值（μs） | @VIN＝3.3V | 363 | 363 | 363 |
VOUT下降時(shí)間tf 典型值（μs） | 125 | 32 | 32 | ||
導(dǎo)通時(shí)延tON 典型值（μs） | 324 | 324 | 324 | ||
關(guān)斷時(shí)延tOFF 典型值（μs） | 10 | 10 | 10 | ||
自動(dòng)放電功能 | - | 內(nèi)置 | 內(nèi)置 | ||
開(kāi)關(guān)控制邏輯 | 高電平有效 | 高電平有效 | 低電平有效 | ||
庫(kù)存查詢與購(gòu)買(mǎi) | 在線購(gòu)買(mǎi) | 在線購(gòu)買(mǎi) | 在線購(gòu)買(mǎi) | ||
注：
[1] 1mm2或更緊湊的封裝，額定輸出電流為1A的負(fù)載開(kāi)關(guān)IC。截至2022年1月的東芝調(diào)查。
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