TI：運用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴建 – 以氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更高效率」為題，分享設(shè)計工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。
李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
他也強調(diào)，一直以來，TI始終致力于支持臺灣和全球客戶在不同應(yīng)用領(lǐng)域里迅速發(fā)展。
李原榮補充，TI 的自有產(chǎn)能和長期投資，能夠快速擴展氮化鎵等各項技術(shù)，以協(xié)助客戶透過實現(xiàn)更小的系統(tǒng)來滿足不斷增長的市場需求，進而以更高的效率處理更多數(shù)據(jù)。
而面對擴建數(shù)據(jù)中心的有限空間和服務(wù)器持續(xù)運行所需的大量電力，企業(yè)必須不斷提高數(shù)據(jù)中心的用電效率及功率密度。
TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切換驅(qū)動器，以及內(nèi)部保護與溫度感測功能，可在有限的電路板空間中具有更高效能表現(xiàn)，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度（100W/in3）。而 TI 的C2000實時微控制器提供復(fù)雜并具時效性的處理能力、精確控制、軟件和周邊產(chǎn)品可擴充性等，透過支持不同電源設(shè)計與高切換頻率的特性，能充分發(fā)揮GaN型電源解決方案潛能，從而最大限度地提高電源效率。