國際巨頭把控全球存儲市場，國內(nèi)企業(yè)如何破局

根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對半導(dǎo)體存儲器進(jìn)行劃分，半導(dǎo)體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類。我們熟知的RAM（隨機(jī)存取存儲器）屬于易失性存儲器，其中RAM又可分為DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）與SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。而ROM（只讀存儲器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲器，即斷電之后存儲器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲設(shè)備。

據(jù)IC Insights預(yù)測，2022年、2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1804億和2196億美元，市場成長空間廣闊。

但在全球的存儲芯片領(lǐng)域，市場主要被三星、海力士、美光、東芝等國際企業(yè)所把控。不過近年來借著芯片國產(chǎn)化的東風(fēng)，越來越多的國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在存儲領(lǐng)域迅速成長，紛紛在DRAM、NAND Flash領(lǐng)域突圍。

國內(nèi)的半導(dǎo)體存儲企業(yè)，主要是以Fabless模式為主，即沒有制造業(yè)務(wù)、只專注于設(shè)計的運(yùn)作模式，集成電路的生產(chǎn)和封測則委托給專業(yè)的集成電路代工廠或加工商進(jìn)行。

A股部分存儲芯片企業(yè)介紹

兆易創(chuàng)新：2021年營收85.10億 首款DRAM實現(xiàn)流程全部國產(chǎn)化

兆易創(chuàng)新的主營業(yè)務(wù)主要分為存儲器、微控制器（MCU）和傳感器三大板塊，其芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)終端、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等多個領(lǐng)域，“存儲+控制+傳感器”布局已然成型。

2021年，兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入85.10億元，比2020年同期增長89.25%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為23.37億元，比2020年同期增長165.33%，其中存儲器業(yè)務(wù)收入增加約21.68億元，較上年度增幅66.04%。

兆易創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品主要包括NOR Flash、NAND Flash和DRAM：

NOR Flash 即代碼型閃存芯片，主要用于存儲代碼及少量數(shù)據(jù)；

NAND Flash 即數(shù)據(jù)型閃存芯片，兆易創(chuàng)新的NAND Flash產(chǎn)品屬于SLC NAND，可以為移動設(shè)備、機(jī)頂盒、數(shù)據(jù)卡、電視等設(shè)備的多媒體數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用提供所必需的大容量存儲和性能；

DRAM則是當(dāng)前市場中最為重要的系統(tǒng)內(nèi)存，在計算系統(tǒng)中占據(jù)核心位置，DRAM廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、移動設(shè)備、PC、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。兆易創(chuàng)新的首款DRAM 產(chǎn)品已于2021年推出，實現(xiàn)了從設(shè)計、流片，到封測、驗證的全部國產(chǎn)化。

北京君正：加快布局高端存儲市場 21年實現(xiàn)營收52.74億元

北京君正成立于2005年,最初的業(yè)務(wù)是基于自主創(chuàng)新的CPU技術(shù)。當(dāng)前，北京君正的集成電路產(chǎn)品根據(jù)產(chǎn)品功能和應(yīng)用領(lǐng)域主要分為微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲芯片、模擬與互聯(lián)芯片四個類別。

2021年，北京君正的營業(yè)收入為52.74億元，同比增長143.07%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為9.26億元，同比增長1165.27%；其中存儲芯片業(yè)務(wù)營收為35.94億元，同比增長135.63%，占2021年營收比重的68.15%。

北京君正的存儲芯片業(yè)務(wù)共分為SRAM、DRAM和Flash三大類別。北京君正的存儲芯片主要面向汽車電子、工業(yè)制造、醫(yī)療設(shè)備、通信設(shè)備等行業(yè)市場，在技術(shù)和產(chǎn)品性能的要求上，車規(guī)級和工業(yè)級芯片對產(chǎn)品的可靠性、一致性、外部環(huán)境兼容性等方面的要求均比消費(fèi)級芯片更為嚴(yán)格。

SRAM：

在SRAM的新產(chǎn)品研發(fā)上，北京君正部分產(chǎn)品進(jìn)行了工程樣品方面的工作；

DRAM:

在DRAM方面，北京君正進(jìn)行了高速DRAM、Mobile DRAM存儲芯片系列的產(chǎn)品研發(fā)，包括從DDR2、LPDDR2、DDR3到DDR4、LPDDR4等不同種類、不同容量的產(chǎn)品研發(fā)，部分新產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段；

Flash:

Flash方面，北京君正產(chǎn)品線包括NOR Flash存儲芯片和NAND Flash存儲芯片，2021年，北京君正面向高品質(zhì)類、不同容量、不同種類的Flash產(chǎn)品定義、研發(fā)和工程樣片等相關(guān)工作進(jìn)展順利。

國科微：固態(tài)存儲芯片進(jìn)步迅速 21年實現(xiàn)營收23.22億元 同比增長217.66%

國科微成立于2008年,總部位于長沙,是國家規(guī)劃布局內(nèi)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計企業(yè)。國科微長期致力于存儲、智能機(jī)頂盒、視頻編碼、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域大規(guī)模集成電路及解決方案的設(shè)計研發(fā)，是國內(nèi)領(lǐng)先的數(shù)據(jù)存儲、多媒體和衛(wèi)星定位芯片解決方案提供商。固態(tài)存儲芯片及產(chǎn)品是國科微重點(diǎn)發(fā)力的產(chǎn)品，國科微在該領(lǐng)域投入了大量的研發(fā)資源。

2021年，國科微實現(xiàn)營業(yè)收入23.22億元，同比增長217.66%，公司實現(xiàn)歸母凈利潤2.93億元，同比增長313.63%。其中固態(tài)存儲系列芯片及產(chǎn)品銷售收入為10.93億元，較上年同期增長131.14%，占國科微全年營業(yè)收入的47.06%。

基于閃存的固態(tài)硬盤(Solid State Drive)是由控制單元和存儲單元(FLASH芯片)組成，該種固態(tài)硬盤在市場中處于主流地位，應(yīng)用較為廣泛。

國科微所開發(fā)的固態(tài)硬盤控制器芯片，屬于微處理器和邏輯集成電路的范疇，主要用于后端控制3D NAND存儲顆粒，其前端符合SATA等類型的接口規(guī)范要求。

固態(tài)硬盤控制器芯片主要應(yīng)用于固態(tài)存儲硬盤，包括企業(yè)級服務(wù)器硬盤、桌面機(jī)硬盤、筆記本硬盤等。2021年，國科微繼續(xù)擴(kuò)大自身在固態(tài)存儲控制器芯片上的領(lǐng)先技術(shù)優(yōu)勢，持續(xù)發(fā)展國產(chǎn)全自主固態(tài)硬盤。與此同時，新一代全新存儲控制器芯片GK2302 V200開發(fā)順利，其對應(yīng)的固態(tài)硬盤已經(jīng)于2021年正式上市量產(chǎn)。

在固態(tài)存儲控制器領(lǐng)域的新品方面，國科微計劃研發(fā)新一代工藝平臺的企業(yè)級固態(tài)存儲控制器，并研發(fā)支持QLC 3D NAND顆粒特性的下一代控制器芯片。

東芯股份：中小容量存儲芯片領(lǐng)軍企業(yè) 21年實現(xiàn)營收11.34億元

東芯半導(dǎo)體股份有限公司成立于2014年,是我國領(lǐng)先的中小容量存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。東芯半導(dǎo)體聚焦中小容量NAND Flash、NOR Flash、DRAM芯片的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售,是國內(nèi)可以同時提供NAND/NOR/DRAM/MCP設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設(shè)計企業(yè)。

2021年，東芯股份實現(xiàn)營業(yè)收入11.34億元，同比增長44.62%，實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤 2.62億元，同比增長 1240.27%。

東芯股份的主要產(chǎn)品為非易失性存儲芯片 NAND Flash、NOR Flash，易失性存儲芯片 DRAM 以及衍生產(chǎn)品 MCP，各類產(chǎn)品具體情況如下：

NAND Flash

NAND Flash方面，東芯股份聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計與研發(fā)，主要產(chǎn)品采用浮柵型工藝結(jié)構(gòu)，存儲容量覆蓋1Gb至32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，可搭配 3.3V/1.8V 兩種電壓。

NOR Flash

NOR Flash方面，東芯股份自主設(shè)計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋 2Mb至 256Mb，并支持多種數(shù)據(jù)傳輸模式，其產(chǎn)品主要被用于存儲代碼程序。

DRAM

DRAM方面，東芯股份研發(fā)的 DDR3系列可以傳輸雙倍數(shù)據(jù)流的 DRAM 產(chǎn)品，具有高帶寬、低延時等特點(diǎn)，在通訊設(shè)備、移動終端等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

衍生產(chǎn)品MCP

衍生產(chǎn)品MCP是通過將閃存芯片與 DRAM 進(jìn)行合封的產(chǎn)品，以共同實現(xiàn)存儲與數(shù)據(jù)處理功能，在節(jié)約空間的同時提高存儲密度，主要面向空間受限的電子產(chǎn)品，被應(yīng)用于移動終端、通訊設(shè)備等領(lǐng)域。

DRAM、NAND Flash是中國存儲市場重點(diǎn)發(fā)力方向

簡單而言，在手機(jī)、電腦等消費(fèi)類電子領(lǐng)域，在程序運(yùn)行方面主要依靠DRAM存儲器，用于保存需要臨時處理的數(shù)據(jù)；而在數(shù)據(jù)存儲方面主要依靠NAND Flash，用于數(shù)據(jù)的長期存貯。因此，這兩種存儲器的應(yīng)用最為廣泛，市場規(guī)模最大。

據(jù)IC Insights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM銷售額在2020年約占整個存儲市場的53%，閃存比重約占45%，其中NAND Flash為44%，NOR Flash為1%。DRAM與NAND Flash的銷售額在存儲市場的占比約為97%，國內(nèi)的存儲企業(yè)大多在這DRAM、NAND Flash領(lǐng)域均有所布局。

在全球半導(dǎo)體存儲市場中，物聯(lián)網(wǎng)、云計算、互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心、邊緣計算等領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步推動了存儲市場的持續(xù)發(fā)展，與此同時，汽車的智能化程度不斷升級，也帶來了車規(guī)級芯片的增長需求。

據(jù)IC Insights預(yù)測，2022年的全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到2196億美元，可謂蛋糕巨大。相較三星、海力士、美光等國際大廠而言，國內(nèi)的存儲廠商起步相對較晚，只有不斷加大研發(fā)投入、積累技術(shù)，一步一個腳印，才能實現(xiàn)市占率的穩(wěn)步提升，并在高端存儲市場分一塊蛋糕。