貿(mào)澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
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2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202209/438513.htm(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電和IT/服務(wù)器電源等應(yīng)用。
貿(mào)澤電子供應(yīng)的UJ4C/SC器件采用獨(dú)特的共源共柵SiC FET技術(shù)，其中常開(kāi)SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關(guān)SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感，與包含的開(kāi)爾文源極連接一起，可降低開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。
UJ4C/SC系列的D2PAK-7L版本提供從9 mΩ到60 mΩ的導(dǎo)通電阻選項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)保持充足的設(shè)計(jì)冗余和電路穩(wěn)健性。這些FET具有750 V額定電壓、出眾的導(dǎo)通電阻×面積 (RDS(on) × A) 品質(zhì)因數(shù)、較低的體二極管、超低柵極電荷，以及支持0 V至15 V柵極驅(qū)動(dòng)的4.8 V閾值電壓，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)多功能性與低傳導(dǎo)損耗。
評(píng)論