SK海力士、三星、英特爾在華晶圓廠均已獲得美國出口限制豁免！

10月12日消息，今天美國針對中國大陸的半導體制造“設施”開發(fā)、生產(chǎn)或使用集成電路的限制規(guī)則正式生效。這也意味著美系半導體設備廠商將無法繼續(xù)向中國大陸的半導體制造商供應半導體設備、零部件及技術支持。

昨天的消息也顯示，美系設備廠商在大陸晶圓廠的駐場人員已經(jīng)于10日開始陸續(xù)撤離。SK海力士等外資廠商在大陸的晶圓廠也接到了相關美系半導體設備廠商的通知。

不過，據(jù)韓聯(lián)社今天的中午的報道稱，韓國存儲芯片大廠SK海力士與三星電子已經(jīng)于美國當?shù)貢r間10月11日獲得了美國商務部的許可，兩家企業(yè)可以在未來1年內(nèi)無需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得美系半導體設備的供應。因此，這兩家存儲芯片廠商位于中國大陸的晶圓廠的生產(chǎn)都將不會受到禁令的影響。

根據(jù)美國此前于當?shù)貢r間10月7日出臺的新禁令，所有位于中國大陸芯片制造廠商，如果要采購16nm或14nm或以下非平面晶體管結構（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片、以及128層或以上NAND閃存芯片制造所需的美系半導體設備，都將被“直接拒絕”，而在這個“閾值”以下的設備供應仍需要獲得美國的許可。

對于三星、SK海力士、英特爾等在中國大陸設有晶圓廠的外資廠商，美國則表示“跨國公司擁有的半導體制造設施將根據(jù)具體情況決定”。

據(jù)悉，目前三星和SK海力士正在升級其位于中國大陸的晶圓廠，需要進口眾多的設備。

資料顯示，截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續(xù)推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM存儲半導體生產(chǎn)總量將近一半的份額。

此外，在2020年10月20日，SK海力士還以90億美元收購了包括英特爾大連NAND閃存工廠在內(nèi)的英特爾NAND閃存業(yè)務。但是，英特爾仍將繼續(xù)保留其特有的傲騰業(yè)務。2021年12月22日，在獲得中國政府審批后，SK海力士正式完成了對于英特爾NAND閃存業(yè)務的收購。不過目前，英特爾大連廠尚未完全交割。根據(jù)約定預計，雙方將在 2025年3月份最終交割時，SK 海力士將支付剩余的20億美元從英特爾收購其余相關資產(chǎn)，包括 NAND 閃存晶圓的生產(chǎn)及設計相關的知識產(chǎn)權、研發(fā)人員以及中國大連工廠的員工。

今年5月16日，愛思開海力士·英特爾DMTM半導體（大連）有限公司非易失性存儲器項目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項目將建設一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。

另外，三星也正在持續(xù)推進西安高端3D NAND存儲芯片項目的建設。該項目分為三期，一期項目總投資108億美元，2014年5月竣工投產(chǎn)，月產(chǎn)能13萬片；二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。目前，二期第二階段項目已于2021年年中建成投產(chǎn)。三星西安一期、二期項目存儲芯片月產(chǎn)能各13萬片。三星西安NAND存儲生產(chǎn)基地產(chǎn)能占三星全球NAND Flash整體產(chǎn)能當中的占比高達40%。根據(jù)之前的規(guī)劃，三星還將投資150億美元建設西安三期項目，主要制造5G芯片和汽車芯片。

正是因為SK海力士和三星的大陸工廠升級所需的設備較多，因此，每個案件的審批程序復雜，需要很長時間，因此，他們在與美國政府溝通后，一次性獲得了所需的設備進口綜合許可。這也使得此前三星和SK海力士疑慮的，需要根據(jù)個案逐案審查，可能造成的程序延遲等不確定性暫時得到了消除。

SK hynix官方表示：“為了在中國大陸繼續(xù)生產(chǎn)半導體產(chǎn)品，我們與美國進行了圓滿的協(xié)商，今后將與政府一起與美國商務部密切協(xié)商，努力在遵守國際秩序的范圍內(nèi)運營中國大陸工廠。”

另據(jù)芯智訊了解，英特爾位于大連的存儲工廠（SK海力士收購后尚未完全交割）也獲得了美國商務部的許可。一位美系設備廠商內(nèi)部人員告訴芯智訊：“我們收到通知，英特爾大連廠已經(jīng)獲得了美國商務部的許可，我們已經(jīng)可以繼續(xù)向英特爾大連廠提供支持了。”

不過，目前尚不清楚英特爾大連廠所獲得的許可是否與SK海力士一樣是為期一年的許可。

另外據(jù)韓聯(lián)社報道稱，美國對SK海力士的許可措施似乎僅限于對現(xiàn)有工廠的升級，至于一年后是否會繼續(xù)獲得許可尚不得而知。

據(jù)悉，美國政府的立場是，主要針對的不是現(xiàn)在進行中的項目，而更多的是針對未來的項目，后續(xù)將繼續(xù)與韓方協(xié)商允許進口設備的程度。

一位消息人士表示：“美國并不會無限期地給予許可，而是針對三星和SK海力士在升級中國當?shù)毓S期間，為了避免進行復雜的逐案申請，所以給予了為期1年的許可。”

另一位消息人士表示：“據(jù)我了解，此次措施是美國政府對三星和SK的具體項目給予全面許可的?！?/p>

報道稱，美國政府在準備出口管制措施的過程中就與韓國共享了內(nèi)容，韓國政府為了不讓三星和SK海力士在中國大陸工廠的運營出現(xiàn)問題，因此與美國方面進行了密切協(xié)商。韓方要求美方確保韓國企業(yè)在大陸正在進行升級的半導體制造項目不要出現(xiàn)問題。在雙方的磋商過程中，美國政府也向韓國政府轉達了“不會對跨國公司的半導體生產(chǎn)造成干擾”的立場。

從美國的立場來看，如果出口管制要取得效果，自然是需要韓國這個半導體強國的協(xié)助，如果韓國企業(yè)在美國的制裁當中受到損失，韓國政府與美國政府的合作將會面臨巨大壓力。

值得注意的是，目前美國正在積極推動與韓國、日本、中國臺灣組建由美國領導的“芯片四方聯(lián)盟”（Chip4）。雖然美國之前表示，該聯(lián)盟旨在聯(lián)合這幾個在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈當中占據(jù)優(yōu)勢地位的地區(qū)，解決半導體供應鏈問題。但是，業(yè)界認為，美國組建Chip4的背后的意圖是利用這一組織將中國大陸排除在全球半導體供應鏈之外。此前韓國也一直對此存有疑慮，希望避免針對中國大陸。

那么為了讓韓國、日本、中國臺灣能夠幫助美國更好的實現(xiàn)其圍堵中國大陸的戰(zhàn)略目標，美國自然會想辦法拉攏他們，并且會避免在圍堵中國大陸的過程中誤傷到相關的海外企業(yè)。

所以，美國在出臺對華制裁新規(guī)之前就已經(jīng)與韓國政府共享了內(nèi)容，并第一時間給予了韓國相關企業(yè)以豁免。而在美國對華禁令的實施下，中國大陸的存儲廠商發(fā)展大大受限，三星、SK海力士等存儲巨頭也將間接受益。