新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 功率器件實際結溫和殼頂溫度的差異研究

功率器件實際結溫和殼頂溫度的差異研究

作者:劉 松,王傳喜(萬國半導體元件(深圳)有限公司,上海 200070) 時間:2022-10-28 來源:電子產品世界 收藏

摘 要:本文主要研究功率器件的內部實際和外的差異,給出了測量內部實際的方法。研究表明,不同的器件、不同的封裝類型,不同的內部封裝方法,都會直接影響到溫度差異,環(huán)境溫度越高,溫度差值越??;封裝材料越厚,溫度差值越大。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202210/439746.htm

關鍵詞;

開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件,在設計過程中,要測量功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, 金氧半場效晶體管)或 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)結溫,保證其在合理安全的工作范圍,因為功率器件結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件結溫有兩種方法:熱電偶和紅外熱成像測溫儀。使用熱電偶測量溫度,為了提高測量精度,需要進行精確的溫度補償和校準。熱電偶本身要用特定粘膠固定在測量器件表面,或用機械方式固定并保證其和器件底部銅片具有良好的接觸。固定方式和接觸面積都會影響測量的精度。相對于被測量功率器件,熱電偶接觸面積大,本身相當于散熱器作用,影響測量精度。此外,器件底部銅片和結溫也有一定差異,也影響內部結溫的測量精度。

紅外熱成像測溫儀不需要和器件接觸,測量過程對測量精度影響小。但是,紅外熱成像測溫儀測量的是功率器件塑料外殼頂部溫度,這個溫度和功率器件內部結溫有一定差異,本文就是研究這二者溫度差值的范圍,從而為實際應用提供溫度降額的設計參考。

1666923559809248.png

為了更精確得到塑料外殼頂部溫度和實際器件結溫的差異,使用實驗測量方式,進行定量的分析,同時,也研究塑料外殼和芯片尺寸大小對于溫度差異的影響。

1666923600390752.png

1666923617754050.png

2 芯片結溫校核曲線測量

功率器件內部通常會有 PN 結二極管,如功率 MOSFET 反并聯寄生體二極管,就相當于一個溫度傳感器,一定的溫度對應著一定的二極管壓降。每一個硅器件都對應著特定的校準曲線,一旦確定,在靜態(tài)條件下,可以測量功率器件內部寄生二極管的壓降,通過校核的結溫曲線,得到相應的內部芯片結溫。

1666923672211479.png

1666923698441319.png

1666923721265860.png

選擇三種類型的功率 MOSFET:AON6414A,AON6500,AO4407A,封裝和內部芯片尺寸如表 1 所示,然后分別測出它們的結溫校核曲線。

1666923750193047.png

image.png

圖4 同封裝器件

3 器件塑料外殼頂部溫度和芯片結溫測量

器件塑料外殼頂部溫度和芯片結溫測量系統的示意圖,如圖 5 所示,每個器件分別安裝在不同焊盤銅皮尺寸的 PCB 板上,如圖 6 所示,PCB 為 2 層板,覆銅厚度 2 OZ(約 0.07 mm)。

1666923877541393.png

圖5 測量系統的示意圖

1666923954583573.png

 (a) 0.3 cm2焊盤銅皮

1666923983119058.png

(b) 10 cm2封裝焊盤銅皮

圖6 器件安裝的PCB

測量的步驟如下。

(1)將器件 AON6414A 安裝在 PCB 板上,設定功率回路的電流值,如 1 A,連通功率回路和測量回路,器件寄生體二極管中通過 1.01 A 電流,寄生體二級管的功耗加熱器件,使用紅外熱成像測溫儀測量器件塑料外殼頂部溫度;當其溫度穩(wěn)定后,記錄相應功耗和對應的器件塑料外殼頂部溫度。

(2)斷開步驟 1 中功率回路,僅保持 10 mA 測量回路的連通,10 mA 電流繼續(xù)流過器件寄生體二極管,測量寄生體二極管的電壓,在器件的結溫校核曲線中,由二極管的電壓得到相應的芯片結溫。通常,此過程的測量時間非常短,同時由于器件熱容的影響,內部芯片結溫基本不會降低。

(3)改變功率回路的電流值,重復步驟 1 和步驟 2,完成器件 AON6414A 的測量。

按照上面的方法,分別測出 AON6500 和 AO4407A 的結果。測量的結果分別見表 2、表 3、表 4 和表 5。

1666924048463926.png

1666924066404911.png

1666924097486459.png

1666924115905730.png

image.png

圖7 溫度差異和塑料外殼頂部溫度關系

增加環(huán)境的溫度,AO4407A 測量的結果見表 6。

1666924179952329.png

1666924200435575.png

1666924218629419.png

在實際工作的條件下,不太可能實時測量功率器件內部寄生二極管的壓降來確定內部芯片的結溫??梢詫⑹褂蒙鲜鲮o態(tài)方式測量的結溫,結合紅外熱成像測溫儀測量的塑料外殼頂部溫度,校核它們之間的差值。在實際應用中,測量到塑料外殼頂部溫度,基于這個差值,就可以得到芯片內部結溫。

4 結語

芯片塑料殼頂部和結溫的差異受封裝的影響大,不同封閉類型、不同外殼材料等因素都會影響到這個差值;頂部塑料殼越厚,溫差越大;貼片類型的封裝,芯片塑料殼頂部和結溫的溫差,經驗值通常取 5~10 ℃ 左右;同樣環(huán)境溫度條件下,熱阻 RJA(結到環(huán)境)隨著結溫的增加而增大,熱阻 RJT(結到頂部)隨著結溫的增加而減??;芯片塑料殼頂部和結溫的差異,隨著環(huán)境溫度的增加而減小。

模型 2 可以為一些科學軟件提供升級解決方案。在一些繪制圖形的工程軟件中,經常使用閉合線收縮。該模型可以為此提供更準確的閉合線收縮方案,保證工程圖紙的準確性。

參考文獻

[1]?黃楨翔,王祥.建造導向的復雜空間結構拓撲幾何優(yōu)化研究[J].建筑學報,2022(04):28-35.

[2]?吳瑞溢,李蕙萱.激光打標路徑孵化算法研究[J].哈爾濱師范大學自然科學學報,2021,37(05):62-67.

[3]?許晨昱,陳永明.應用于新型激光打標機的視覺標定算法[J].機電技術,2021(04):28-31.

[4]?彭川來.基于兩步法紋理映射的曲面零件激光打標技術研究[J].山西大同大學學報(自然科學版),2021,37(04):14-16.

(注:本文轉載自《電子產品世界》雜志2022年10月期)



評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉