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高性價(jià)比4.8W雙組輸出IGBT驅(qū)動(dòng)電源:QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列

作者: 時(shí)間:2022-10-31 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

一、產(chǎn)品介紹

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202210/439816.htm

隨著新能源行業(yè)的發(fā)展,IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件組成部分,市場(chǎng)對(duì)其應(yīng)用條件和性能提出更高的要求,對(duì)于驅(qū)動(dòng)方案的要求也隨之提高。日前,推出了IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品,以及滿足更加嚴(yán)苛的應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。

為打造更具有高性價(jià)比的驅(qū)動(dòng)電源,基于自主IC設(shè)計(jì)平臺(tái)升級(jí)開發(fā)出內(nèi)部采用非對(duì)稱式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列產(chǎn)品,以期為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案。

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二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強(qiáng)絕緣

基于自主IC設(shè)計(jì)平臺(tái),此系列產(chǎn)品能提供兩組隔離輸出電壓,輸出1-輸出2隔離電壓高達(dá)3750VAC,同時(shí)輸入-輸出隔離電壓高達(dá)5000VAC,遠(yuǎn)優(yōu)于市場(chǎng)上常規(guī)產(chǎn)品,且滿足加強(qiáng)絕緣設(shè)計(jì)要求,整體可靠性得到極大提升。

②滿足1700VDC長(zhǎng)期絕緣要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驅(qū)動(dòng)電源基于IEC-61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期絕緣電壓(持續(xù)放電)滿足1700V,且應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件,產(chǎn)品原副邊電氣間隙/爬電距離達(dá)22.36mm(typ.)。

③性能更優(yōu)

<1>支持雙組驅(qū)動(dòng),滿足半橋式整流應(yīng)用

<2>低低紋&波噪聲:50mVpp

<3>強(qiáng)帶載能力:2200uF

<4>超小隔離電容:4.2pF

<5>高效率:85%

④高性價(jià)比

此系列是專門為IGBT/SIC MOSFET驅(qū)動(dòng)器而設(shè)計(jì)的DC-DC模塊電源,其內(nèi)部采用了非對(duì)稱式電壓輸出形式,盡可能減小IGBT/SIC MOSFET的驅(qū)動(dòng)損耗。且QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2個(gè)單組輸出產(chǎn)品合價(jià)。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

作為IGBT/SiC MOSFET專用驅(qū)動(dòng)電源,可用于光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等多種場(chǎng)合中IGBT/SiC MOSFET器件的驅(qū)動(dòng),以光伏SVG系統(tǒng)為例,可配合驅(qū)動(dòng)芯片來(lái)共同驅(qū)動(dòng)后端的IGBT器件,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的有效運(yùn)行。

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四、產(chǎn)品特點(diǎn)

● 隔離電壓5000VAC(加強(qiáng)絕緣)

● 局部放電 1700V

● CMTI>200kV/μs

● 最大容性負(fù)載2200μF

● 超小隔離電容4.2pF(typ.)

● 效率高達(dá)85%

● 工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

五、產(chǎn)品布局

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詳細(xì)產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)請(qǐng)參考技術(shù)手冊(cè):QAxx3HD2-R3QAxx3HCD2-R3

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