DDR5加速滲透，封測(cè)龍頭帶來新消息

近日，封測(cè)龍頭長(zhǎng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。

隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì)，給用戶帶來更佳的可靠性和擴(kuò)展性，市場(chǎng)前景廣闊。

反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲(chǔ)芯片效能不斷提升，對(duì)芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時(shí)延，以及更短互連等要求。

為此，長(zhǎng)電科技通過各種先進(jìn)的2.5D/3D封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度性能，滿足市場(chǎng)的需求。

目前，長(zhǎng)電科技的工藝能力可以實(shí)現(xiàn)16層芯片的堆疊，單層芯片厚度為35um，封裝厚度為1mm左右。長(zhǎng)電科技包括DDR在內(nèi)各類存儲(chǔ)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

長(zhǎng)電科技表示，隨著PC端、服務(wù)器端、以及消費(fèi)端等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，市場(chǎng)對(duì)DDR5的需求有望加速釋放，為集成電路封測(cè)帶來新機(jī)遇。