羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱“EV”）的逆變器。

在全球?qū)崿F(xiàn)無(wú)碳社會(huì)的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件寄予厚望。

羅姆自2010年在全球率先開(kāi)始量產(chǎn)SiC MOSFET以來(lái)，在SiC功率元器件技術(shù)開(kāi)發(fā)方面，始終保持著業(yè)界先進(jìn)地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時(shí)間，并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻。在車(chē)載逆變器中采用該產(chǎn)品時(shí)，與使用IGBT時(shí)相比，電耗可以減少6%（按國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“WLTC燃料消耗量測(cè)試”計(jì)算），非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程。

日立安斯泰莫多年來(lái)一直致力于汽車(chē)用電機(jī)和逆變器相關(guān)的先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)，并且已經(jīng)為日益普及的EV提供了大量的產(chǎn)品，在該領(lǐng)域擁有驕人的市場(chǎng)業(yè)績(jī)。此次，為了進(jìn)一步提高逆變器的性能，日立安斯泰莫首次在主驅(qū)逆變器的電路中采用了SiC功率器件，并計(jì)劃從2025年起，依次向包括日本汽車(chē)制造商在內(nèi)的全球汽車(chē)制造商供應(yīng)相應(yīng)的逆變器產(chǎn)品。

未來(lái)，羅姆將作為SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，不斷壯大產(chǎn)品陣容，并結(jié)合能夠更大限度地激發(fā)元器件性能的控制IC等外圍元器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)，持續(xù)提供有助于汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新的電源解決方案。