東芝推出采用新型高散熱封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET,支持車(chē)載設(shè)備對(duì)更大電流的需求
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布推出采用新型L-TOGL?(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202302/443002.htm近年來(lái),隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)需求的增長(zhǎng),產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿(mǎn)足車(chē)載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝,支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線(xiàn)柱[1]結(jié)構(gòu),通過(guò)引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外部引腳一體化。源極引腳采用多針結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的TO-220SM(W)封裝相比,封裝電阻下降大約30%,從而將XPQR3004PB的漏極額定電流(DC)提高到400A,高出當(dāng)前產(chǎn)品1.6倍[2]。厚銅框的使用使XPQR3004PB內(nèi)的溝道到外殼熱阻降低到當(dāng)前產(chǎn)品的50%[2]。這些特性有利于實(shí)現(xiàn)更大的電流,并降低車(chē)載設(shè)備的損耗。
憑借新型封裝技術(shù),新產(chǎn)品可進(jìn)一步簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì),顯著減少半導(dǎo)體繼電器和一體化起動(dòng)發(fā)電機(jī)變頻器等需要大電流的應(yīng)用所需的MOSFET的數(shù)量,進(jìn)而幫助系統(tǒng)縮小設(shè)備尺寸。當(dāng)需要并聯(lián)多個(gè)器件為應(yīng)用提供更大工作電流時(shí),東芝支持這兩款新品分組出貨[3],即按柵極閾值電壓對(duì)產(chǎn)品分組。這樣可以確保設(shè)計(jì)使用同一組別的產(chǎn)品,從而減少特性偏差。
因?yàn)檐?chē)載設(shè)備可能工作在各種溫度環(huán)境下,所以表面貼裝的焊點(diǎn)可靠性是一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵因素。新品采用鷗翼式引腳降低貼裝應(yīng)力,提高焊點(diǎn)可靠性。
※ 應(yīng)用:
- 車(chē)載設(shè)備:變頻器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。
※ 特性:
- 新封裝L-TOGL?
- 高額定漏極電流:
XPQR3004PB:ID=400A
XPQ1R004PB:ID=200A
- AEC-Q101認(rèn)證
- 低導(dǎo)通電阻:
XPQR3004PB:RDS(ON)=0.23m?(典型值)@VGS=10V
XPQ1R004PB:RDS(ON)=0.8m?(典型值)@VGS=10V
※ 主要規(guī)格:
(除非另有說(shuō)明,@Ta=25℃)
注:
[1] 錫焊連接
[2] 大電流產(chǎn)品:采用TO-220SM(W)封裝的“TKR74F04PB”
[3] 東芝提供分組出貨,每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動(dòng)范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請(qǐng)聯(lián)系東芝銷(xiāo)售代表了解更多信息。
*L-TOGL?是東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社的商標(biāo)。
*本文提及的公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。
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