芯片補(bǔ)貼可能阻礙英特爾恢復(fù)昔日輝煌

美國(guó)已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)雄心勃勃、耗資巨大的項(xiàng)目：重啟國(guó)內(nèi)制造業(yè)，生產(chǎn)尖端芯片，但是半導(dǎo)體需求下滑加劇了美國(guó)的壓力。

英特爾 (Intel) 認(rèn)為，這一舉措將幫助其重新獲得全球主導(dǎo)地位。這不是這家美國(guó)芯片巨頭第一次被賦予超出前景的期望。

《美國(guó)芯片法》(US Chips Act) 通過貸款、對(duì)第三方的擔(dān)保和直接融資等多種形式，提供了超過 520 億美元的資金，資金將在未來幾個(gè)月到達(dá)。

英特爾有望成為最大的受益者之一，但爭(zhēng)奪資金的半導(dǎo)體公司瞄準(zhǔn)的是一個(gè)不斷變化的目標(biāo)。美國(guó)政府還出臺(tái)了額外條件，包括提供兒童保育和限制對(duì)中國(guó)實(shí)體的投資、資金不能用于回購(gòu)和分紅、一些項(xiàng)目需要分享利潤(rùn)。

英特爾可以找到解決這些問題的方法。美國(guó)希望獲得有助于美國(guó)國(guó)家安全的項(xiàng)目，并減少對(duì)中國(guó)臺(tái)灣制造的芯片的依賴。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 AMD 不同，英特爾不僅設(shè)計(jì)、還能制造芯片。

然而，自去年 8 月《芯片法案》簽署成為法律以來，英特爾股價(jià)已下跌 24%。半導(dǎo)體需求下降只是原因之一，因?yàn)槠涓?jìng)爭(zhēng)對(duì)手 AMD 的股價(jià)同期下跌了 15%。

英特爾的公司結(jié)構(gòu)龐大而繁瑣，反映出它的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)范圍廣大，但是英特爾并不生產(chǎn)先進(jìn)制程芯片。在營(yíng)收方面，英特爾正在增加資本的支出，以支付新工廠和新設(shè)計(jì)的費(fèi)用。預(yù)計(jì)一比例將從五年前的 20% 左右升至 30% 左右。

在疫情期間的高支出之后，半導(dǎo)體需求正在重新調(diào)整，AMD 的凈利潤(rùn)率也有所下降。但 AMD 沒有那么繁重的資本支出義務(wù)。其新款 Ryzen 芯片擁有人工智能功能，因此，我們預(yù)計(jì)今年 AMD 的利潤(rùn)率將恢復(fù)到 21%。

芯片法案的補(bǔ)貼有可能降低而不是提高英特爾的競(jìng)爭(zhēng)力，雖然這些資金可以簡(jiǎn)單地減輕英特爾提高業(yè)績(jī)的壓力，但如果資金是扭轉(zhuǎn)局面的關(guān)鍵，那么早在 10 年前就應(yīng)該開始了，當(dāng)時(shí)英特爾坐擁比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更多的現(xiàn)金。

美銀全球研究部認(rèn)為，英特爾希望通過芯片代工業(yè)務(wù)來扭轉(zhuǎn)局面的計(jì)劃面臨著障礙。美銀分析師 Vivek Arya 重申英特爾「遜于市場(chǎng)表現(xiàn)」的評(píng)級(jí)，目標(biāo)價(jià) 25 美元。

他寫道：「因英特爾堅(jiān)持資本密集型的集成設(shè)計(jì)/ 制造模型 (IDM)，仍存有結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)，這迫使英特爾同時(shí)與靈活的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手競(jìng)爭(zhēng)。與此同時(shí)，英特爾與基于 ARM 的 PC / 服務(wù)器對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)才剛剛開始。」

該分析師指出，蘋果市占持續(xù)增加，在個(gè)人電腦 ( PC) 市場(chǎng)上已約 10% 使用蘋果內(nèi)部設(shè)計(jì)的芯片。蘋果處理器使用 Arm 芯片架構(gòu)技術(shù)，這是英特爾和 AMD 所用的 x86 芯片架構(gòu)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

此外，在第三方芯片制造業(yè)務(wù)上，英特爾也遠(yuǎn)落后同業(yè)。分析師指出，英特爾芯片代工服務(wù)的全球市占率不到 1%，相比之下，臺(tái)積電全球市占達(dá) 57%。

Arya 指出，其他芯片廠可能會(huì)擔(dān)心英特爾代工廠 (IFS) 可能優(yōu)先制造自家芯片?！概c臺(tái)積電/ 三星相比，IFS 不僅技術(shù)落后，且規(guī)模也太小了?！?/span>

英特爾完成 1.8 納米和 2 納米生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)開發(fā)

近日，英特爾中國(guó)總裁兼董事長(zhǎng)王銳在一次活動(dòng)中表示，英特爾已經(jīng)完成了 Intel 18A（18 埃級(jí)）和 Intel 20A（20 埃級(jí)）制造工藝的開發(fā)。這并不意味著生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)已準(zhǔn)備好用于商業(yè)制造，而是英特爾已經(jīng)確定了這兩種技術(shù)的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標(biāo)。

英特爾的 20A 制造技術(shù)將依賴環(huán)柵 RibbonFET 晶體管，并將使用背面供電?？s小金屬間距、引入全新的晶體管結(jié)構(gòu)并同時(shí)增加背面供電是一個(gè)冒險(xiǎn)的舉動(dòng)，但預(yù)計(jì) 20A 將使英特爾超越公司的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——臺(tái)積電和三星代工廠。英特爾計(jì)劃在 2024 年上半年開始使用該節(jié)點(diǎn)。

英特爾的 18A 制造工藝將進(jìn)一步完善公司的 RibbonFET 和 PowerVia 技術(shù)，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點(diǎn)的開發(fā)顯然進(jìn)展順利，以至于英特爾將其推出時(shí)間從 2025 年推遲到 2024 年下半年。英特爾最初計(jì)劃為其 1.8 埃節(jié)點(diǎn)使用具有 0.55 數(shù)值孔徑 (NA) 光學(xué)器件的 ASML Twinscan EXE 掃描儀，但由于它決定盡快開始使用該技術(shù)，它將不得不依賴于大量使用具有 0.33 NA 光學(xué)器件的現(xiàn)有 Twinscan NXE 掃描儀，以及 EUV 雙圖案化。

該公司本身預(yù)計(jì)其 1.8 納米級(jí)制造技術(shù)將在 2024 年下半年進(jìn)入大批量制造 (HVM) 時(shí)成為業(yè)界最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。英特爾的 20A 和 18A 制造技術(shù)正在為公司自己的產(chǎn)品以及 IFS 為其代工客戶生產(chǎn)的芯片而開發(fā)。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 在最近與分析師舉行的電話會(huì)議上表示：「我們與 10 大代工客戶中的 7 家有積極的合作渠道，并且渠道持續(xù)增長(zhǎng)，包括 43 家潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴測(cè)試芯片和投資者?！埂复送猓覀兝^續(xù)在 Intel 18A 上取得進(jìn)展，并且已經(jīng)與我們的主要客戶分享了 PDK 0.5（工藝設(shè)計(jì)套件）的工程版本，并預(yù)計(jì)在未來幾周內(nèi)發(fā)布最終產(chǎn)品?！?/span>