中美半導體產(chǎn)業(yè)政策的博弈

1950 年以后，集成電路、計算機陸續(xù)被發(fā)明出來，人類進入電子信息技術(shù)時代。1958 年，美國將信息傳輸和計算機結(jié)合起來，首創(chuàng)數(shù)據(jù)通信方式，從此，數(shù)據(jù)通信開始直接介入社會生產(chǎn)，并成為社會生產(chǎn)的重要組成部分。人類開啟了信息技術(shù)革命的按鈕。

自信息技術(shù)革命爆發(fā)以來，作為產(chǎn)業(yè)基礎，半導體技術(shù)的重要性只有增強，沒有減弱。發(fā)展到今天，它的地位和作用又發(fā)展到了一個新高度，特別是在多種因素共同發(fā)揮作用的情況下，全球半導體產(chǎn)業(yè)拉開了新發(fā)展階段的序幕，這些因素包括：集成電路制造技術(shù)前進速度明顯放緩，美國全面限制中國大陸電子半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，新冠疫情在全球范圍內(nèi)爆發(fā)。

在以上三個因素當中，美國對中國大陸產(chǎn)業(yè)的打壓是重心，集成電路制造技術(shù)前進速度明顯放緩是產(chǎn)業(yè)背景和基礎，而新冠疫情在全球范圍內(nèi)爆發(fā)是催化劑。在它們的共同作用下，半導體產(chǎn)業(yè)的全球化恐怕將逐步退出歷史舞臺，用臺積電創(chuàng)始人張忠謀的話講：半導體業(yè)的全球化已死。

近些年，中國大陸半導體業(yè)的發(fā)展速度越來越快，這與過去半個多世紀的情況形成了鮮明對比。早些年，特別是在 1990 年之前，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)處于極緩慢的發(fā)展期，與當時全球半導體業(yè)——特別是美國和日本——的發(fā)展態(tài)勢正相反。而 1990 年以后，特別是自 2014 年開始，在不斷增加的經(jīng)驗和教訓加持下，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展明顯提速，朝陽產(chǎn)業(yè)色彩明顯。而以美國為代表的半導體產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)處于成熟期，發(fā)展速度減緩，與中國大陸相比，優(yōu)勢越來越弱。在這種情況下，美國要保持、甚至擴大原有優(yōu)勢，就要采取非常規(guī)措施，這也是近幾年全球各種芯片法案「層出不窮」的重要原因。

無論是中國大陸的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，還是美歐日韓的芯片法案，都對各自國家和地區(qū)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮著重要作用，特別是中國大陸，其作用更加明顯和深入，也可以說，在不同時期，不同的半導體產(chǎn)業(yè)政策形成了不同的產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程和結(jié)果。

中國半導體產(chǎn)業(yè)政策的發(fā)展和特點

粗略劃分，中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)政策經(jīng)歷了三個發(fā)展階段，分別是 1949-1990 年，1990-2014 年，2014 至今。這三個階段的政策都不同，產(chǎn)生的效果也有很大差異。

1949-1990 年，跨度比較大，在這個階段，特別是前 20 年（1949-1969 年），中國大陸半導體業(yè)與先進國家和地區(qū)（主要是美國）基本處于同一起跑線，在那段時間，美國的集成電路產(chǎn)業(yè)也剛起步不久，領先中國不多。在這 20 年中，中國針對半導體業(yè)出臺的政策并不多，直到 1965 年，才取得了突破性成果，即第一塊硅基數(shù)字集成電路研制成功，開創(chuàng)中國集成電路產(chǎn)業(yè)史。

相對于前 20 年，中國在后 20 年（1970-1990）出臺的半導體產(chǎn)業(yè)政策增多了，例如：1982 年，國務院成立電子計算機和大規(guī)模集成電路領導小組，制定了中國集成電路發(fā)展規(guī)劃，提出「六五」期間要對半導體工業(yè)進行技術(shù)改進；1989 年，當時的機電部在無錫召開「八五」集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；1990 年，國務院決定實施「908」工程。在這個階段，取得的成果也多了起來，例如：1982 年，無錫 742 廠從東芝引進電視機集成電路生產(chǎn)線，這是中國第一次從國外引進集成電路技術(shù)；1985 年，我國第一塊 64K DRAM 在無錫 742 廠試制成功。然而，在這 20 年里，中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與國際先進水平的差距在逐漸拉大，也可以說，這 20 年是中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后于全球的關鍵期。

1990-2014 年，這是業(yè)界一直爭論的「貿(mào)工技」和「技工貿(mào)」路線發(fā)展期，實際情況是「貿(mào)工技」占上風。在這一時期，中國出臺的半導體產(chǎn)業(yè)相關政策比之前的 40 年多了很多，例如：1995 年，我國啟動了推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的「909 工程」，主要涉及的內(nèi)容包括兩大項目，一是中央與上海共同投資建立了 8 英寸晶圓廠——華虹微電子（后更名為華虹集團），二是積極推動面向市場經(jīng)濟的集成電路企業(yè)發(fā)展，在追求先進制造工藝的同時，兼顧市場需求，不能只依靠軍工支持，更需要形成民用市場的競爭力；2000 年，國務院簽發(fā) 18 號文件，加大對集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持力度，重點在制造業(yè)；2006 年，推出「國家重大科技專項」，包括「01」專項，主要針對核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產(chǎn)品，還有「02」專項，主要針對超大規(guī)模集成電路制造裝備和成套工藝；2009 年，實施國家「核高基」重大專項；2011 年，發(fā)布了《關于印發(fā)進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》，也被稱為「4 號文」。

在產(chǎn)業(yè)政策的推動下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)取得的成果也增加了不少，例如：1991 年，首都鋼鐵公司和日本 NEC 公司成立合資公司——首鋼 NEC 電子有限公司；1997 年，上海華虹集團與日本 NEC 合資組建上海華虹 NEC 電子有限公司，承擔「909」工程超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線建設任務；1998 年，華晶與上華簽定合作生產(chǎn) MOS 晶圓合約，中國大陸開始進入 Foundry（晶圓代工）時代；2000 年，中芯國際成立；2002 年，「龍芯一號」研制成功，這是中國第一款批量投產(chǎn)的通用 CPU。

在這一時段（1990-2014 年），雖然中國集成電路產(chǎn)業(yè)政策及其催生出的成果空前，但相對于國際半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)達國家和地區(qū)，差距依然在擴大。之所以如此，原因比較復雜，有幾個要點：總體資金投入不足。半導體業(yè)是典型的技術(shù)和資金密集型產(chǎn)業(yè)，我國還處于爬坡期，需要源源不斷地資金投入，包括政府和市場兩方面的，這方面做的不夠好；龍頭企業(yè)，特別是 IDM 的國際競爭力不強，在這一時期，歐美日韓的半導體業(yè)之所以強大，主要就體現(xiàn)在 IDM 方面；人才培養(yǎng)體系不夠健全；在拓展國際分工合作的同時，自身核心競爭力的提升意識不足。

正是看到了這些問題，2014 年，中央政府發(fā)布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，正式成立「國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資基金」。自此，中國半導體產(chǎn)業(yè)邁入「大基金」時代。

2014 年至今，「大基金」及相關政策所發(fā)揮的作用越來越明顯，特別是打造本土芯片制造先進產(chǎn)線方面，例如：三大存儲芯片 IDM 先后成立，且成果明顯，例如，2018 年實現(xiàn)了 32 層 3D NAND 閃存的量產(chǎn)，這是中國大陸在該芯片產(chǎn)品領域零的突破。另外，晶圓代工龍頭企業(yè)也實現(xiàn)了本土先進制程芯片量產(chǎn)的歷史性突破，如果不是美國政府的干預和打壓，這些晶圓廠會取得更驕人的成績。

美國半導體產(chǎn)業(yè)政策的變化

在不同的發(fā)展時期，美國半導體產(chǎn)業(yè)政策也有所不同。

在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，也就是 1950-1970 年，美國政府對本土半導體產(chǎn)業(yè)的扶持政策力度很大，目的就是在全球半導體產(chǎn)業(yè)基本處于同一起跑線時期，通過政策扶持，加快本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。具體政策包括：實施半導體稅收補貼政策，以促進半導體產(chǎn)業(yè)商業(yè)化。在此階段，美國政府實施了以稅收優(yōu)惠為主的政策，并進一步出臺相關措施，以完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，包括推動政府采購多元化，減少市場門檻，支持中小企業(yè)發(fā)展等。

當本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展到一定水平，且明顯高于其它國家和地區(qū)時，美國政府的產(chǎn)業(yè)政策「存在感」就比較弱，此時，更多靠市場的力量對產(chǎn)業(yè)進行調(diào)控。

當其它國家和地區(qū)的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起來，接近甚至要超過美國時，該國政府又會舉起產(chǎn)業(yè)政策「大棒」，典型代表就是 1986 年打壓日本，由于日本半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，特別是在存儲芯片方面，彼時的日本企業(yè)已經(jīng)完全壓制住了當時的英特爾，且在 1980 年前后，在全球排名前十的半導體企業(yè)榜單中，日本企業(yè)曾占有六席之多，這些都對美國造成了極大的壓力。為了削弱日本的整體競爭力，美國政府于 1985 年對日本進行 301 調(diào)查，指控日本公司傾銷 DRAM 等芯片產(chǎn)品。經(jīng)談判，日本在 1986 年和美國簽署了第一次《半導體協(xié)議》，規(guī)定日本停止在美國市場的傾銷，且要求日本企業(yè)購買美國芯片產(chǎn)品。1991 年，美國以美國企業(yè)在日本的市場份額不足 20% 為由，與日本簽訂了第二次《半導體協(xié)議》，1996 年，美國在日本芯片市場的份額超過 30%，在全球市場份額也達到 30%，重新成為全球半導體第一大國。

確定優(yōu)勢之后，美國的半導體政策又會處于「半隱身」狀態(tài)，產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要依靠市場調(diào)控。

到了 2019 年，由于中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速，美國的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢又被削弱，此時，其產(chǎn)業(yè)政策「大棒」再次出擊。2019 年以來，美國通過將華為列入實體管制清單、修改外國直接產(chǎn)品規(guī)則限制華為供貨、加大半導體設備、EDA 軟件工具和高端芯片的對華出口管制。2022 年 8 月，美國總統(tǒng)拜登簽署《2022 年芯片和科學法案》，使之正式生效，該項立法向美國半導體產(chǎn)業(yè)提供約 400 億美元政府補貼，鼓勵半導體企業(yè)在美國建廠。在這樣的政策指引下，臺積電「被迫」在美國建設 5nm 和 3nm 制程晶圓代工廠，三星也加大了在美國的晶圓廠投資，而美國本土 IDM 大廠英特爾、美光和德州儀器成為最大受益者。美國這一波操作，在促進高水平制造業(yè)回流本土的同時，大力限制中國大陸芯片制造業(yè)的發(fā)展，客觀上阻止了半導體產(chǎn)業(yè)的全球化發(fā)展態(tài)勢。

中美半導體產(chǎn)業(yè)政策的博弈

通過以上介紹可以看出，中國半導體產(chǎn)業(yè)政策一直對本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮著關鍵性作用，它比市場的調(diào)控能力要強，而美國半導體產(chǎn)業(yè)政策只在對手趕上來時發(fā)揮關鍵性作用，其它時段主要依靠市場去調(diào)控。中國半導體產(chǎn)業(yè)政策并不排外，更多體現(xiàn)的是多贏態(tài)度，而美國相關政策則具有很強的「排他性」，重點在于維護本土產(chǎn)業(yè)高水平的領導力。

雖然有所不同，但中美兩國半導體產(chǎn)業(yè)政策有一個共同點，那就是在各自產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵時間點，必定會出臺對今后相當長時期內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮決定性作用的政策，這一點在當下再次充分體現(xiàn)出來了。

美國 2022 年確定的芯片法案，不僅對其本土和中國大陸，還會對全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生深遠影響。而在不久前召開的「兩會」上，中國政府提出要進一步發(fā)揮舉國體制優(yōu)勢，加大對本土半導體產(chǎn)業(yè)和企業(yè)的扶持力度，因此，在可預見的未來，中美兩國不斷加強發(fā)展本土半導體產(chǎn)業(yè)的扶持力度，同時盡可能團結(jié)更多歐亞半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)達地區(qū)和相關企業(yè)的政策，會有更多的演進版本，博弈會持續(xù)下去。

對中國而言，加大投入，發(fā)展本土產(chǎn)業(yè)競爭力，吸引更多國際合作伙伴的同時，還需要注意以下幾點：要把比較分散的半導體產(chǎn)業(yè)資源（如資金、人才等）集中起來，以形成產(chǎn)業(yè)的「拳頭」；項目上馬還需要慎重考慮，以減少不必要的資源浪費；加強監(jiān)管和監(jiān)督，以避免造假事件發(fā)生。