2023年內(nèi)存芯片趨勢

2022 年，存儲芯片無疑是半導(dǎo)體下行周期中受影響最嚴(yán)重的芯片品類。進(jìn)入 2023 年，存儲芯片的下滑趨勢仍在繼續(xù)，何時止跌仍是未知數(shù)。

從 2021 年下半年至今，存儲芯片價格下跌的時長已經(jīng)超過 18 個月。DRAM 和 NAND Flash 兩大內(nèi)存芯片價格已經(jīng)下跌長達(dá) 20 個月之久。盡管各大分析師認(rèn)為，目前存儲芯片價格已接近底部，跌幅有所收窄，但下行趨勢仍在繼續(xù)。

Utmel 表示，2023 年 2 月全球智能手機(jī)出貨量（批發(fā)）和銷售額（零售）分別同比下降 11% 和 5%。作為存儲芯片終端需求的三大驅(qū)動力，智能手機(jī)市場的低迷無疑讓存儲芯片需求回暖雪上加霜。

當(dāng)然，存儲芯片也出現(xiàn)在一些細(xì)分領(lǐng)域的利好信息中，比如 ChatGPT 對高帶寬存儲芯片的需求猛增，汽車智能化、高端制造信息化升級也將帶動存儲芯片需求的增長。不過，這些細(xì)分需求能否對沖存儲芯片整體下滑的趨勢，目前還是一個未知數(shù)。

存儲芯片作為占集成電路第二大比重的產(chǎn)業(yè)占據(jù)著核心地位，半導(dǎo)體和消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)的景氣度有重要的支撐作用。而 2023 年的減單、減產(chǎn)、價格暴跌持續(xù)影響著存儲芯片行業(yè)。

2022 年下半年開始，三星、美光科技、西部數(shù)據(jù)、海力士、鎧甲俠等存儲芯片巨頭紛紛通過減產(chǎn)去庫存應(yīng)對市場疲軟態(tài)勢。2023 年一季度，鎧甲俠、美光產(chǎn)線持續(xù)承壓，西部數(shù)據(jù)、SK 海力士跟進(jìn)減產(chǎn)，力圖跨過行業(yè)寒冬。

從有分析人士的數(shù)據(jù)來看，主要廠商的努力對于減緩存儲芯片價格的下滑起到了不小的作用。2022 年第四季度全球 DRAM 和 NAND 閃存價格下跌約 20%-25%，預(yù)計 2023 年第一季度 DRAM 價格跌幅收窄至 13%-18%，NAND 閃存價格下跌約 10%-15%。這也使得業(yè)內(nèi)普遍預(yù)期行業(yè)反彈的時間表越來越近。

由于存儲芯片固有的周期性，作為最主要產(chǎn)品的 DRAM 和 NAND Flash 的市場規(guī)模也具有明顯的周期性波動，通常遵循 3-4 年的波動周期。按照這個規(guī)律，存儲芯片的最后一個景氣高點(diǎn)是 2021 年，預(yù)計到 2023 年底恢復(fù)增長趨勢。

有業(yè)內(nèi)專家分析，2023 年存儲芯片行業(yè)走勢有望呈現(xiàn)兩極分化：一方面，低端芯片產(chǎn)品庫存持續(xù)高企，價格大幅回落；另一方面，部分高端芯片市場需求日益旺盛，但由于產(chǎn)能回升緩慢等原因，供需矛盾依然突出，甚至面臨「一芯難求」的局面。其中，最具代表性的是高帶寬存儲芯片訂單的大增。

ChatGPT 的出現(xiàn)將推動 AI 在地面的應(yīng)用，同時也催生了對高性能芯片的需求。受益于 ChatGPT，三星電子和 SK 海力士的 HBM 訂單自 2023 年初以來大幅增加，價格大幅反彈。

ChatGPT 發(fā)布后迅速在全球引起廣泛關(guān)注，各大廠商紛紛公布各自的 GPT 模型開發(fā)計劃。以 GPT 模型為代表的大模型的訓(xùn)練和應(yīng)用帶來了底層算力需求的大幅提升，相應(yīng)地需要大量的 AI 芯片為其提供算力支持。訓(xùn)練 AI 模型需要大規(guī)模的數(shù)據(jù)集，AI 芯片中存儲的數(shù)據(jù)越多，大型模型的訓(xùn)練速度越快，訓(xùn)練精度越高。因此，ChatGPT 的訓(xùn)練量急劇增加，最底層的基礎(chǔ)設(shè)施需要大量的運(yùn)算芯片和存儲芯片。

HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內(nèi)存芯片技術(shù)，可顯著提高數(shù)據(jù)處理速度，而 ChatGPT 的發(fā)展導(dǎo)致第三代 HBM 報價大幅增加。HBM 是一種基于 3D 堆疊工藝的 DRAM 內(nèi)存芯片，安裝在 GPU、網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備、AI 和高性能服務(wù)器中。HBM 可以大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，每瓦帶寬比 HBM 可以大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，每瓦帶寬是 GDDR5 的三倍以上，HBM 比 GDDR5 節(jié)省了 94% 的表面積。以 HBM 為代表的超高帶寬內(nèi)存技術(shù)世代級模型也將加速 HBM 內(nèi)存進(jìn)一步提升容量和帶寬。第三代 HBM 提供了一個巨大的飛躍，

當(dāng)然，汽車智能化的快速推進(jìn)和高端制造信息化升級，也將帶動汽車、工業(yè)、醫(yī)療等行業(yè)強(qiáng)勁的市場需求。雖然車載存儲芯片整體市場規(guī)模約為手機(jī)存儲市場的十分之一，但在智能網(wǎng)聯(lián)汽車發(fā)展大趨勢下，車載存儲板塊的快速發(fā)展有望為存儲行業(yè)提供新的增長動力，根據(jù) Utmel 的預(yù)測，2021 年至 2027 年的復(fù)合年增長率為 18.6%。

此外，5G 基站、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、智能家居、可穿戴設(shè)備等新興應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，將對功耗、安全、傳輸速率、體積、成本等提出更高要求。存儲芯片，也將為存儲芯片市場提供重要的驅(qū)動力。