SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3^*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）^**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。

SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開(kāi)發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲(chǔ)器需求也隨之增長(zhǎng)，公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng)，以滿足市場(chǎng)需求?！?/p>

公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)在此次此新產(chǎn)品采用了先進(jìn)（Advanced）MR-MUF^*和TSV^**技術(shù)。SK海力士表示，通過(guò)先進(jìn)MR-MUF技術(shù)加強(qiáng)了工藝效率和產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性，又利用TSV技術(shù)將12個(gè)比現(xiàn)有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實(shí)現(xiàn)了與16GB產(chǎn)品相同的高度。

SK海力士于2013年在世界上首次開(kāi)發(fā)的HBM DRAM是實(shí)現(xiàn)需要高性能計(jì)算的生成式AI所必要的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體產(chǎn)品，因此在受到業(yè)界的高度關(guān)注。

最新規(guī)格的HBM3 DRAM被評(píng)價(jià)為能夠快速處理龐大數(shù)據(jù)的首選產(chǎn)品，從而大型科技公司的需求也在逐漸擴(kuò)大。

公司已向數(shù)多全球客戶公司提供了24GB HBM3 DRAM樣品正在進(jìn)行性能驗(yàn)證，據(jù)悉客戶對(duì)此產(chǎn)品抱有極大的期待。

SK海力士封裝測(cè)試（P&T）擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)洪相后表示：“公司以全球頂級(jí)后端工藝技術(shù)力為基礎(chǔ)，接連開(kāi)發(fā)出了超高速、高容量的HBM DRAM產(chǎn)品。將在今年上半年內(nèi)完成新產(chǎn)品的量產(chǎn)準(zhǔn)備，以鞏固人工智能時(shí)代尖端DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)”。

^*HBM(High Bandwidth Memory)：垂直連接多個(gè)DRAM，與DRAM相比顯著提升數(shù)據(jù)處理速度的高附加值、高性能產(chǎn)品。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的順序開(kāi)發(fā)。

^**現(xiàn)有HBM3 DRAM的最大容量是垂直堆疊8個(gè)單品DRAM芯片的16GB。

^*MR-MUF：將半導(dǎo)體芯片堆疊后，為了保護(hù)芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料，并固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個(gè)芯片時(shí)，鋪上薄膜型材料的方式對(duì)比工藝效率高，散熱方面也更有效。

^**TSV（Through Silicon Via， 硅通孔技術(shù)）在DRAM芯片打上數(shù)千個(gè)細(xì)微的孔，并通過(guò)垂直貫通的電極連接上下芯片的先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）技術(shù)。采用該技術(shù)的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清（Full-HD）電影，最大速度可達(dá)819GB/s（每秒819千兆字節(jié)）。