不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開發(fā) 4F2 DRAM

IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。

4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。

三星組建了專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。

在漏極（D）上方安裝一個(gè)存儲(chǔ)電荷的電容器，晶體管和水平排列的 WL 線和垂直排列的 BL 線接觸，其中 WL 連接到柵極（G），負(fù)責(zé)晶體管的開 / 關(guān)；而 BL 連接到源極（S），負(fù)責(zé)讀取和寫入數(shù)據(jù)。