DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

根據(jù) TrendForce 最新公布的每周內(nèi)存現(xiàn)貨價格，DDR5 芯片的現(xiàn)貨價格已經(jīng)重回下跌趨勢，導(dǎo)致整體現(xiàn)貨價格沒有回暖跡象。

DRAM 現(xiàn)貨市場：

DDR5 芯片現(xiàn)貨價格再次震蕩下行，DDR4、DDR3 產(chǎn)品現(xiàn)貨價格繼續(xù)呈逐日遞增跌勢?，F(xiàn)貨市場整體還未出現(xiàn)價格反彈的跡象。近期，部分買家尋求小批量訂單的報價，但這種需求并沒有產(chǎn)生足夠的動力來擴(kuò)大整體成交量。目前，多數(shù)貿(mào)易商普遍認(rèn)為現(xiàn)貨價格已接近底部，但由于需求前景不樂觀，仍處于被動備貨狀態(tài)。主流芯片（即 DDR4 1Gx8 2666MT/s）現(xiàn)貨均價由上周的 1.543 美元下跌 0.97% 至本周的 1.528 美元。

NAND Flash 現(xiàn)貨市場：

供應(yīng)商供應(yīng)減少，效能顯現(xiàn)，目前市場已達(dá)成共識，價格無法再進(jìn)一步下跌。盡管交易量尚未相應(yīng)放大，但現(xiàn)貨價格整體開始企穩(wěn)。512Gb TLC 晶圓本周下跌 0.49%，至 1.420 美元。

盡管市場沒有回暖，但大廠的步伐沒有停止。SK 海力士宣布，已完成現(xiàn)有 DRAM 中最為微細(xì)化的第五代 10 納米級（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的 DDR5 服務(wù)器 DRAM 提供于英特爾公司（Intel?）開始了「英特爾數(shù)據(jù)中心存儲器認(rèn)證程序（The Intel Data CenterCertified memory program）」。此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強(qiáng)?可擴(kuò)展平臺（Intel? Xeon? Scalable platform）所采用的存儲器產(chǎn)品兼容性的正式認(rèn)證流程。

SK 海力士向英特爾提供的 DDR5 DRAM 產(chǎn)品運行速度高達(dá) 6.4Gbps（每秒 6.4 千兆比特），公司技術(shù)團(tuán)隊實現(xiàn)了目前市面上 DDR5 DRAM 的最高速度。與 DDR5 DRAM 初期階段的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了 33%。

另外，公司在此次 1b DDR5 DRAM 上采用了「HKMG（High-K Metal Gate）」工藝，與 1a DDR5 DRAM 相比功耗減少了 20% 以上。

SK 海力士強(qiáng)調(diào)：「通過 1b 技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞?DRAM 產(chǎn)品。」

SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥說道：「就如于公司在今年 1 月將第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 適用到英特爾?第四代至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器（4thGen Intel? Xeon? Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認(rèn)證，此次 1bDDR5 DRAM 產(chǎn)品驗證也會成功完成?！?/p>

他又說到：「有預(yù)測稱從今年下半年起存儲器市場狀況將得到改善，公司將以 1b 工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的 DRAM 競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計劃在明年上半年將最先進(jìn)的 1b 工藝擴(kuò)大適用于 LPDDR5T 和 HBM3E 產(chǎn)品?！?/p>

另外，SK 海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗證的 1a DDR5DRAM 適用于英特爾下一代至強(qiáng)?可擴(kuò)展平臺的追加認(rèn)證流程也正在同步進(jìn)行中。

三星電子也正式宣布，采用 12nm 級工藝的 DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片已經(jīng)開啟了量產(chǎn)模式。這種新型內(nèi)存芯片單顆容量可以達(dá)到 16Gb(2GB)，最高速度可達(dá) 7.2Gbps(等效頻率 7200MHz)，這相當(dāng)于每秒鐘可以處理兩個 30GB 超高清電影。與之前的產(chǎn)品相比，12nm DDR5 的功耗降低了多達(dá) 23％，同時晶圓生產(chǎn)率提高了 20％，這將對服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的節(jié)能減排產(chǎn)生明顯的貢獻(xiàn)。值得一提的是，12nm 級工藝的 DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片的開發(fā)基于一種新型高 K 材料，該材料可以提高電池電容并使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準(zhǔn)確地區(qū)分。此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的成果。

美光則在 1 月 19 日宣布推出新一代 DDR5 內(nèi)存模塊，產(chǎn)品覆蓋 DDR5-5200/5600，最高擁有 48GB 容量的版本。據(jù)悉，美光新一代 DDR5 內(nèi)存可以支持 5200MT/s 和 5600MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，以及 1.1V 電壓下的 CL46 延遲，同時兼容 AMDEXPO 和英特爾 XMP 3.0 配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了 49%，配置最高可達(dá) 48GB。美光的新 DDR5 存儲模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認(rèn)證。美光還與 AMD 在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實驗室，以縮短存儲芯片的驗證周期。楊俊剛指出，從合作對象來看，三大存儲芯片廠商在 DDR5 方面主要與英特爾和超威半導(dǎo)體服務(wù)器處理芯片供應(yīng)商合作，能夠高效提升處理器芯片和存儲器芯片之間的兼容性。

DDR5 作為新一代 DRAM 存儲技術(shù)，與 DDR4 相比在傳輸速率和容量方面出現(xiàn)較大突破。因此，廠商搶先布局 DDR5，是構(gòu)筑自身 DRAM 技術(shù)優(yōu)勢的戰(zhàn)略需求。

但業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不能太過樂觀。受到全球經(jīng)濟(jì)前景不明朗、市場持續(xù)低迷、客戶庫存水位較高等因素影響，服務(wù)器 DRAM 市場的復(fù)蘇速度將低于預(yù)期。Omdia 預(yù)計，今年服務(wù)器 DRAM 中采用 DDR5DRAM 芯片的速度將比預(yù)期的要慢。此前，市場預(yù)計 DDR5 將占據(jù)服務(wù)器 DRAM 市場的 28%，但當(dāng)前這一數(shù)字已被調(diào)整為 13%。Omdia 的數(shù)據(jù)顯示，2023 年第一季度，DDR5 DRAM 將僅占服務(wù)器 DRAM 市場的 3%，第二季度為 8%，這一比例將在第三季度躍升至 15%，在第四季度將達(dá)到 24%。

Server DRAM 預(yù)估 DDR5 第一季價格跌幅約 18~23%，略高于 DDR4，但 DDR5 第一季度導(dǎo)入率僅約 10%，故 Server DRAM 價格下跌幅度主要還是由 DDR4 決定，預(yù)估跌幅約 15%~20%。

目前存儲器市場主要表現(xiàn)為市場需求疲軟、庫存仍處于高位，導(dǎo)致內(nèi)存芯片價格下滑，存儲器廠商整體營收下降。目前，市場下滑趨勢還未達(dá)到終點，預(yù)計將持續(xù)一段時間。專家認(rèn)為，這對 DDR5 DRAM 的市場滲透速度有較大影響。此外，由于目前 DDR5 成本較高，主要應(yīng)用領(lǐng)域是對算力要求較大的數(shù)據(jù)中心、元宇宙、人工智能等領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品，目前 DRAM 市場主流產(chǎn)品還是以 DDR4 為主，DDR5 替代 DDR4 產(chǎn)品還需要一定時間。