東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET

中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造^[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數(shù)據中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調節(jié)器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。

通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質因數(shù)）降低了約52%。這有助于確保該系列產品實現(xiàn)導通損耗和開關損耗的雙重降低，并最終實現(xiàn)了開關電源效率的提高。 

該新產品采用TOLL封裝，柵極驅動采用開爾文連接?？梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響，增強MOSFET的高速開關性能，從而抑制開關過程中的振蕩。 

未來，東芝將繼續(xù)擴展600V DTMOSVI系列產品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產品，并通過降低開關電源的功率損耗來達到節(jié)約節(jié)能的目的。 

圖1：漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較 

?  應用

-    數(shù)據中心（服務器開關電源等）

-    光伏發(fā)電機功率調節(jié)器

-    不間斷電源系統(tǒng) 

?  特性

-    低漏源導通電阻×柵漏電荷，有助于提高開關電源的效率

?  主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年6月