Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
—— 現(xiàn)可提供具備高效開關和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202306/447879.htm 
長期以來，品質因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數(shù)導致產(chǎn)生了意外后果，在打開或關閉MOSFET時尖峰耐壓升高，從而使得產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)增加。確認這一新問題后，Nexperia立即開始研究如何改善其他工藝技術參數(shù)，以幫助解決此問題。Nexperia的不懈努力最終促成了NextPower 80/100 V MOSFET的發(fā)布。該器件的Qrr（反向恢復電荷）較低，因此可顯著降低開關轉換期間的尖峰值，同時表現(xiàn)出與競品MOSFET相同的高效性能，且具有更低的EMI。
通過為高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封裝系列，Nexperia不僅可以幫助設計人員縮小應用尺寸并體驗到銅夾片封裝的超強可靠性，而且還為設計工程師和客戶提供了新的選擇，希望為現(xiàn)有設計提供額外的資源。
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